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International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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1.
1.2kV SiC Merged PiN Schottky Diode with Improved Surge Current Capability
机译:
具有改善的浪涌电流能力的1.2kV SiC合并式PiN肖特基二极管
作者:
Na Ren
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC MPS diode;
surge current;
surge capability;
2.
Fabrication and Analysis of a Novel High Voltage Heterojunction p-NiO-Ga2 O3 Diode
机译:
新型高压异质结p-NiO / n-Ga2 O3二极管的制备与分析
作者:
Atsushi Shimbori
;
Hiu Yung Wong
;
Alex Q. Huang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
βGa2O3;
heterojunction;
PIN diode;
TCAD;
NiO;
3.
Surge current capability of 6.5kV-rated SiC MOSFETs
机译:
额定值为6.5kV的SiC MOSFET的浪涌电流能力
作者:
A. Mihaila
;
C. Liu
;
G. Romano
;
E. Bianda
;
S. Wirths
;
Y. Arango
;
L. Knoll
;
A. Baschnagel
;
B. Boksteen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC MOSFET;
6.5kV-voltage class;
surge current capability;
4.
Vertical Power SiC MOSFETs with High-k Gate Dielectrics and Superior Threshold Voltage Stability
机译:
具有高k栅极电介质和出色阈值电压稳定性的垂直功率SiC MOSFET
作者:
Stephan Wirths
;
Yulieth Arango
;
Andrei Mihaila
;
Marco Bellini
;
Gianpaolo Romano
;
Giovanni Alfieri
;
Manuel Belanche
;
Lars Knoll
;
Enea Bianda
;
Elena Mengotti
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Wide Band Gap;
High-k;
SiC;
1.2kV MOSFETs;
SiC power MOSFETs;
5.
6.5kV Silicon Carbide MOSFETs with 5kV RB safe operating area and MOS-channel surge capability
机译:
具有5kV RB安全工作区和MOS通道浪涌能力的6.5kV碳化硅MOSFET
作者:
Y. Arango
;
G. Romano
;
A. Mihaila
;
M. Bellini
;
C. Liu
;
P. Steimer
;
S. Wirths
;
L. Knoll
;
E. Bianda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
High voltage;
power MOSFET;
Wide band-gap;
SiC;
RBSOA;
surge capability;
6.
Short Circuit Robustness and Carrier Lifetime in Silicon Carbide MOSFETs
机译:
碳化硅MOSFET的短路鲁棒性和载流子寿命
作者:
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Alexander Tsibizov
;
Roger Stark
;
Ivana Kovacevic Badstübner
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
short-circuit robustness;
SiC MOSFET;
lifetime;
SRH generation-recombination;
leakage current;
7.
Artificial Neural Network-Based (ANN) Approach for Characteristics Modeling and Prediction in GaN-on-Si Power Devices
机译:
基于人工神经网络(ANN)的GaN-on-Si功率器件的特性建模和预测
作者:
Sayeem Bin Kutub
;
Hong-Jia Jiang
;
Nan-Yow Chen
;
Wen-Jay Lee
;
Chia-Yung Jui
;
Tian-Li Wu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Artificial neural network;
Modeling;
Prediction;
MIS-HEMTs;
p-GaN HEMTs;
GaN-on-Si;
8.
Impact of Device Design on the Power Cycling Capability of Discrete SiC MOSFETs at Different Temperature Swings
机译:
器件设计对不同温度摆幅下离散SiC MOSFET功率循环能力的影响
作者:
Felix Hoffmann
;
Nando Kaminski
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
silicon carbide;
sic;
reliability;
power cycling;
discrete;
MOSFET;
lifetime modeling;
9.
Intrinsic Propensity of IGBTs to High-Frequency Short-Circuit Oscillations
机译:
IGBT对高频短路振荡的固有倾向
作者:
Vera van Treek
;
Frank Pfirsch
;
Franz-Josef Niedernostheide
;
Roman Baburske
;
Judith Specht
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
short-circuit oscillations;
TCAD simulation;
10.
Radiation Influence Comparison between SiC JMOS and DMOS
机译:
SiC JMOS和DMOS的辐射影响比较
作者:
Fu-Jen Hsu
;
Chien-Chung Hung
;
Kuo-Ting Chu
;
Lurng-Shehng Lee
;
Wen-Bin Yeh
;
Chwan-Ying Lee
;
Der-Sheng Chao
;
Jheng-Yi Jiang
;
Chih-Fang Huang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC;
MOSFET;
JMOS;
Radiation hardness;
Schottky;
11.
Investigation of Gate and Drain Leakage Currents During the Short Circuit of SiC-MOSFETs
机译:
SiC-MOSFET短路期间栅漏电流的研究
作者:
Christian Unger
;
Martin Pfost
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
12.
ISPSD 2020 Short Courses
机译:
ISPSD 2020短期课程
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
13.
Novel IEGT based Modular Multilevel Converter for New Hokkaido-Honshu HVDC Power Transmission
机译:
用于新北海道-本州高压直流输电的基于IEGT的新型模块化多电平转换器
作者:
Yoshimasa Sato
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
VSC;
MMC;
self-commutated switching device;
14.
Impact of Hole-Deficiency and Charge Trapping on Threshold Voltage Stability of p-GaN HEMT under Reverse-bias Stress
机译:
反向偏压下空穴缺陷和电荷陷阱对p-GaN HEMT阈值电压稳定性的影响
作者:
Junting Chen
;
Mengyuan Hua
;
Jiali Jiang
;
Jiabei He
;
Jin Wei
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
p-GaN;
HEMT;
reverse-bias stress;
threshold voltage instability;
15.
Stable cascode GaN HEMT operation by direct gate drive
机译:
通过直接栅极驱动实现稳定的共源共栅GaN HEMT操作
作者:
Toru Sugiyama
;
Hung Hung
;
Yasuhiro Isobe
;
Akira Yoshioka
;
Takenori Yasuzumi
;
Yusuke Sato
;
Masataka Tsuji
;
Yiyao Liu
;
Shinichi Umekawa
;
Yosuke Kajiwara
;
Masahiro Koyama
;
Kentaro Ikeda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN power device;
cascode GaN HEMT;
zero volt switching;
stable operation;
LLC resonant converter;
16.
Power Semiconductors – the Keys for a Future Green Mobility
机译:
功率半导体–未来绿色交通的关键
作者:
Patrick Leteinturier
;
Clemens Mueller
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Green mobility;
CO2;
Vehicle architectue;
Electric Electronic architecture;
Inverters;
Energy storage;
Charging infrastructure;
Future energy carriers);
17.
Mixed Signal and Power Semiconductor Technology for Industrial and Automotive Electronics
机译:
工业和汽车电子的混合信号和功率半导体技术
作者:
Sameer Pendharkar
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
18.
Integrated SenseHEMT and Gate-Driver on a 650-V GaN-on-Si Platform Demonstrated in a Bridgeless Totem-pole PFC Converter
机译:
在无桥图腾柱PFC转换器中展示的650V硅上GaN平台上的集成SenseHEMT和栅极驱动器
作者:
M. S. Zaman
;
W. L. Jiang
;
S. Murray
;
H. De Vleeschouwer
;
P. Moens
;
J. Roig
;
O. Trescases
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN;
monolithic integration;
gate-driver;
sense- HEMT;
hysteretic current control;
totem-pole PFC;
senseFET;
19.
A Study of On-state Breakdown Decreasing of nLDMOSFETs by Hole Current Increase Depending on Drain Pulse Rise Time
机译:
通过漏极电流上升时间增加空穴电流来使nLDMOSFET的导通击穿减小的研究
作者:
Takahiro Mori
;
Tomonari Yamaguchi
;
Takeshi Kamino
;
Junji Tsuruta
;
Mototsugu Okushima
;
Hirokazu Sayama
;
Koji Iizuka
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
nLDMOSFET;
p-type RESURF layer;
on-state breakdown;
20.
Investigation of Temperature-Dependent Dynamic RON of GaN HEMT with Hybrid-Drain under Hard and Soft Switching
机译:
硬开关和软开关下混合漏极GaN HEMT的温度相关动态RON研究
作者:
Shaocheng Li
;
Shu Yang
;
Shaowen Han
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN;
dynamic RON;
HD-GIT;
p-GaN drain;
high temperature;
21.
Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure
机译:
AlN / AlGaN / AlN双异质结构上的明显击穿电压
作者:
I. Abid
;
R. Kabouche
;
F. Medjdoub
;
S. Besendörfer
;
E. Meissner
;
J. Derluyn
;
S. Degroote
;
M. Germain
;
H. Miyake
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
AlGaN channel;
High-Electron-Mobility Transistor (HEMT);
Ultra-Wide Band Gap;
AlN;
AlGaN channel;
High-Electron-Mobility Transistor (HEMT);
Ultra-Wide Band Gap, AlN;
22.
Analysis of channel properties at extremely high temperature in 3.3-kV SiC trench-etched double diffused MOS (TED-MOS®) using temperaturesensitive electrical parameters (TSEPs)
机译:
使用温度敏感的电参数(TSEP)分析3.3 kV SiC沟槽刻蚀的双扩散MOS(TED-MOS®)中极高温下的沟道特性
作者:
Kazuki Tani
;
Naoki Tega
;
Akio Shima
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC;
trench;
MOSFET;
short-circuit;
temperature sensitive electrical parameters;
23.
SiC MOSFET Corner and Statistical SPICE Model Generation
机译:
SiC MOSFET转角和统计SPICE模型生成
作者:
Canzhong He
;
James Victory
;
Yunpeng Xiao
;
Herbert De Vleeschouwer
;
Elvis Zheng
;
ZhiPing Hu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Backward Propagation of Variance;
discrete device corner and statistical SPICE models;
discrete device process variation;
SiC MOSFET SPICE model;
24.
High Switching Controllability Trench Gate Design in Si-IGBTs
机译:
Si-IGBT中的高开关可控沟槽闸设计
作者:
Wataru Saito
;
Shin-ichi Nishizawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
trench gate;
dynamic avalanche;
negative capacitance;
25.
First Demonstration of Si Superjunction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance
机译:
具有超高电流增益和低导通电阻的Si超结BJT的首个演示
作者:
K. Yano
;
M. Hashimoto
;
N. Matsukawa
;
A. Matsuo
;
A. Mouraguchi
;
M. Arai
;
N. Shimizu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
superjunction;
bipolar transistor;
power device;
low ON-resistance;
high current gain;
bidirectional switch;
26.
Schottky Source LDMOS - Electrical SOA Improvement through BJT Suppression
机译:
肖特基源LDMOS-通过抑制BJT改善电气SOA
作者:
Brendan Toner
;
Markus Frank
;
Lutz Steinbeck
;
Stefan Eisenbrandt
;
Ralf Granzner
;
Darin Davis
;
William R. Richards
;
Gary M. Dolny
;
Terry Johnson
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Schottky source;
LDMOS;
SOA;
TLP;
ESD;
27.
Mechanism and Experiments of a Novel Dielectric Termination Technology Based on Equal-potential Principle
机译:
基于等电位原理的新型介电技术的机理与实验
作者:
Wentong Zhang
;
Jian Zu
;
Xuhan Zhu
;
Sen Zhang
;
Zhili Zhang
;
Nailong He
;
Boyong He
;
Ming Qiao
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
dielectric termination technology (DTT);
LDMOS;
equal-potential principle;
breakdown voltage VB;
curvature effect;
28.
Distinct Short Circuit Capability of 650-V p-GaN Gate HEMTs under Single and Repetitive Tests
机译:
650V p-GaN栅极HEMT在单个和重复测试下的独特短路能力
作者:
Jiahui Sun
;
Jin Wei
;
Zheyang Zheng
;
Gang Lyu
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
p-GaN gate high-electron-mobility transistor (HEMT);
short circuit capability;
short circuit current;
thermomechanical stress;
29.
Electrostatic Discharge (ESD) Behavior of p-GaN HEMTs
机译:
p-GaN HEMT的静电放电(ESD)行为
作者:
Yajie Xin
;
Wanjun Chen
;
Ruize Sun
;
Yijun Shi
;
Chao Liu
;
Yun Xia
;
Fangzhou Wang
;
Xiaorui Xu
;
Qi Shi
;
Yuan Wang
;
Xiaochuan Deng
;
Qi Zhou
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
ESD;
p-GaN HEMTs;
degradation/failure;
30.
Critical temperature and failure mechanism of SiC Schottky rectifiers in Unclamped Inductive Switching (UIS)
机译:
非钳位感应开关(UIS)中SiC肖特基整流器的临界温度和失效机理
作者:
Andrei Konstantinov
;
Fredrik Allerstam
;
Helen Pham
;
George Park
;
KS Park
;
Daniel Waible
;
Thomas Neyer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon carbide;
ruggedness;
avalanche breakdown;
31.
A New Double Trench, Buried-P JTE Edge Termination for 1200 V-class SiC Devices
机译:
适用于1200 V级SiC器件的新型双沟槽,埋入P JTE边缘终端
作者:
Yong Liu
;
Hao Feng
;
Xianda Zhou
;
Linhua Huang
;
Chao Xiao
;
Xin Peng
;
Johnny K.O. Sin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Double trench;
buried-P JTE;
edge termination;
electric field crowding;
JTE dose sensitivity;
trench etching;
ideal planar junction breakdown;
32.
Towards ultimate scaling of LDMOS with Ultralow Specific On-resistance
机译:
实现具有超低比导通电阻的LDMOS的最终定标
作者:
Saumitra Mehrotra
;
Ljubo Radic
;
Bernhard Grote
;
Tanuj Saxena
;
Ganming Qin
;
Vishnu Khemka
;
Tania Thomas
;
Mark Gibson
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
LDMOS;
Trench;
RON*A;
33.
A Novel 6.5 kV Innovative Silicon Power Device (i-Si) with a Digital Carrier Control Drive (DCC-drive)
机译:
具有数字载波控制驱动器(DCC驱动器)的新型6.5 kV创新型硅功率器件(i-Si)
作者:
Tomoyuki Miyoshi
;
Hiroshi Suzuki
;
Tomoyasu Furukawa
;
So Watanabe
;
Masaki Shiraishi
;
Yujiro Takeuchi
;
Mutsuhiro Mori
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
Dual-gate HiGT;
MOSD;
DCC-drive;
34.
An Ultralow Loss N-channel RB-IGBT with P-drift Region
机译:
具有P漂移区的超低损耗N沟道RB-IGBT
作者:
Xiaorui Xu
;
Wanjun Chen
;
Fangzhou Wang
;
Ruize Sun
;
Chao Liu
;
Yun Xia
;
Yajie Xin
;
Qi Zhou
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
RB-IGBT;
bidirectional-blocking capability;
energy loss;
AC matrix converter;
35.
A comparative study of oxidized spacer trench and micro-pattern trench concepts for 1200 V IGBTs
机译:
1200 V IGBT的氧化隔离沟槽和微图案沟槽概念的比较研究
作者:
Alexander Philippou
;
Roman Baburske
;
Thorsten Arnold
;
Ilaria Imperiale
;
Erich Griebl
;
Hans-Jürgen Thees
;
Philipp Ross
;
Frank Wolter
;
Franz-Josef Niedernostheide
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
side gate;
narrow mesa;
IGBT;
GPD;
36.
Impacts of high temperature annealing above 1400° C under N2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN
机译:
在N2超压下高于1400°C的高温退火以激活注入Mg的GaN中的受体的影响
作者:
Hideki Sakurai
;
Tetsuo Narita
;
Kazufumi Hirukawa
;
Shinji Yamada
;
Akihiko Koura
;
Keita Kataoka
;
Masahiro Horita
;
Nobuyuki Ikarashi
;
Michal Bockowski
;
Jun Suda
;
Tetsu Kachi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Gallium Nitride;
vertical GaN power device;
p-doping;
Mg-ions implantation;
ultra-high-pressure annealing;
37.
A SPICE-Compatible Equivalent-Circuit Model of Schottky Type p-GaN Gate Power HEMTs with Dynamic Threshold Voltage
机译:
具有动态阈值电压的肖特基型p-GaN栅极功率HEMT的SPICE兼容等效电路模型
作者:
Han Xu
;
Jin Wei
;
Ruiliang Xie
;
Zheyang Zheng
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
p-GaN gate HEMT;
SPICE model;
Schottky type p-GaN gate;
Miller plateau;
dynamic threshold voltage;
38.
Edge Termination Design with Strong Process Robustness for 1.2 kV-class 4H-SiC Super Junction V-groove MOSFETs
机译:
1.2 kV级4H-SiC超结V槽MOSFET具有强大工艺鲁棒性的边缘端接设计
作者:
Takeyoshi Masuda
;
Tomoaki Hatayama
;
Shinsuke Harada
;
Yu Saitou
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
4H-SiC;
SJ-VMOSFET;
double RESURF JTE;
avalanche breakdown;
process robustness;
TCAD simulation;
oxide charge density;
charge unbalance;
39.
SiC MOSFETs soft and hard failure modes: functional analysis and structural characterization
机译:
SiC MOSFET软硬失效模式:功能分析和结构表征
作者:
F. Richardeau
;
F. Boige
;
A. Castellazzi
;
V. Chazal
;
A. Fayyaz
;
A. Borghese
;
Irace
;
G. Guibaud
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon carbide;
SiC MOSFETs;
short-circuit robustness;
fail-to-open;
40.
Simulation of a Short-Circuit Rugged Trench IGBT with a JFET Connected to a SiC Schottky Rectifier
机译:
JFET连接到SiC肖特基整流器的短路坚固型沟槽IGBT的仿真
作者:
Thorsten Arnold
;
Rudolf Elpelt
;
Hans-Jürgen Thees
;
Ilaria Imperiale
;
Alexander Philippou
;
Franz Hirler
;
Moritz Hauf
;
Roman Baburske
;
Christian Sandow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
41.
Current filament behavior in IGBTs of different voltage classes investigated by measurements and simulations
机译:
通过测量和仿真研究了不同电压等级的IGBT中的电流灯丝行为
作者:
Riteshkumar Bhojani
;
Madhu Lakshman Mysore
;
Md. Rubel Raihan
;
Jens Kowalsky
;
Josef Lutz
;
Roman Baburske
;
Hans-Joachim Schulze
;
Franz-Josef Niedernostheide
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
short-circuit;
current filaments;
local Al reconstruction;
3D-IGBT TCAD simulation;
42.
Polarization effects in ferroelectric gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
铁电栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的极化效应
作者:
R. Zhou
;
L. Li
;
W. Zhao
;
Z. Liao
;
M. D. Nguyen
;
M. Nunnenkamp
;
E. P. Houwman
;
G. Koster
;
A. J. H. M. Rijnders
;
D. J. Gravesteijn
;
R. J. E. Hueting
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Polarization effect;
PZT;
2DEG;
ferroelectric gate;
AlGaN/GaN HEMTs.;
43.
Self-terminated Gate Recessing with a Low Density of Interface States and High Uniformity for Enhancement-mode GaN HEMTs
机译:
具有增强型GaN HEMT的界面态密度低且均匀度高的自终止栅极凹槽
作者:
Shuai Su
;
Yaozong Zhong
;
Yu Zhou
;
Hongwei Gao
;
Xiaoning Zhan
;
Qian Sun
;
Hui Yang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
44.
13kV UHV-IGBT: Feasibility Study
机译:
13kV UHV-IGBT:可行性研究
作者:
Atsushi Ito
;
Ichiro Omura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
13kV Si IGBT;
UHV IGBT;
Double gate;
TCAD simulations;
45.
Bidirectional Phase Control Thyristor (BiPCT): A New Antiparallel Thyristor Concept
机译:
双向相位控制晶闸管(BiPCT):新型反并联晶闸管概念
作者:
Jan Vobecky
;
Umamaheswara Vemulapati
;
Renata Bessa-Duarte
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
thyristor;
bidirectional thyristor;
AC switch;
commutation turn-off;
Silicon;
SiC;
46.
A High-Voltage Transients Suppressor Diode
机译:
高压瞬态抑制器二极管
作者:
M. Beninger-Bina
;
T. Basler
;
M. Dainese
;
H.-J. Schulze
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
TVS diode;
clamping;
overvoltage protection;
47.
Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
机译:
开关MOS中Rg的dVDS / dt可控性研究以低dVDS / dt实现优异的导通特性
作者:
Ruito Aiba
;
Kevin Matsui
;
Masataka Okawa
;
Taiga Kanamori
;
Hiroshi Yano
;
Noriyuki Iwamuro
;
Shinsuke Harada
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SWITCH-MOS;
dVDS/dt controllability;
reverse recovery current;
internal source inductance;
48.
1.2kV/2.9mΩ.cm2 Vertical NiO/β-Ga2 O3 Heterojunction Diodes with High Switching Performance
机译:
具有高开关性能的1.2kV /2.9mΩ.cm2垂直NiO /β-Ga2O3异质结二极管
作者:
Yawei Hu
;
Shanyong Wang
;
Ziqi Yang
;
Rongsheng Chen
;
Xing Lu
;
Yuan Ren
;
Xianda Zhou
;
Zimin Chen
;
Yanli Pei
;
Gang Wang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
βGa2O3;
bipolar device;
heterojunction;
power diode;
NiO;
reverse recovery;
49.
Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation
机译:
动态无雪崩超级结-TCIGBT,可实现高功率密度运行
作者:
Peng Luo
;
Sankara Narayanan Ekkanath Madathil
;
Shin-ichi Nishizawa
;
Wataru Saito
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
CIGBT;
dynamic avalanche;
high current density;
super junction;
50.
1200V RC-IGBT based on CSTBTTM with Suppressed Dynamic Cres and Partial Lifetime Control
机译:
基于CSTBTTM的1200V RC-IGBT,具有抑制的动态Cres和部分寿命控制
作者:
Shinya Soneda
;
Tetsuya Nitta
;
Atsushi Narazaki
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
RC-IGBT;
Voltage tail;
Miller Capacitance (Cres);
Lifetime Control;
51.
Which is harder SOA test for SiC MOSFET to do Unclamped Inductive Switching (UIS) or Unloaded Short Circuit mode Switching (USCS)? Does UIS play a role of USCS?
机译:
对于SiC MOSFET进行无钳位电感开关(UIS)或无负载短路模式开关(USCS)的SOA测试,哪个更难? UIS是否扮演USCS的角色?
作者:
Kazuhiko Hasegawa
;
Kensuke Taguchi
;
Yasuhiro Kagawa
;
Eisuke Suekawa
;
Naoto Kaguchi
;
Yasuo Ata
;
Hideki Haruguchi
;
Yu Nakashima
;
Tadaharu Minato
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC;
MOSFET;
Unclamped Inducting Switching (UIS);
Short Circuit Safety Operation Area (SCSOA);
52.
Current Crowding Study by IIR-LD in a 1.2 kV SiC Schottky Diode
机译:
IIR-LD在1.2 kV SiC肖特基二极管中的电流拥挤研究
作者:
O. Aviñó
;
F. Bonet
;
M. Vellvehi
;
X. Jordà
;
P. Godignon
;
X. Perpiñá
;
G. Giorgio
;
E. Bochaca
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IIR-LD;
Current Crowding;
SiC Schottky diode.;
53.
Degradation of 4H-SiC MOSFET body diode under repetitive surge current stress
机译:
重复浪涌电流应力下4H-SiC MOSFET体二极管的性能下降
作者:
Zhengyun Zhu
;
Na Ren
;
Hongyi Xu
;
Li Liu
;
Qing Guo
;
Junming Zhang
;
Kuang Sheng
;
Zhenyu Wang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC MOSFET;
body diode;
repetitive surge current;
bipolar degradation;
54.
Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode
机译:
430V台面结构的SiC雪崩二极管吸收浪涌
作者:
Masayuki Yamamoto
;
Kunio Koseki
;
Koji Nakayama
;
Yasunori Tanaka
;
Shigeki Nishiyama
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
silicon carbide (SiC);
avalanche diode;
surge absorption;
voltage clamp;
55.
High Accurate Representation of Turn-on Switching Characteristics by New IGBT and FWD Compact Models for High Power Applications
机译:
新型IGBT和FWD紧凑型型号可高精度表示高功率应用中的导通开关特性
作者:
Takeshi Mizoguchi
;
Yoshiko Ikeda
;
Naoto Tsukamoto
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
FWD;
compact model;
MBD;
circuit simulation;
56.
Analysis of the RC-IGBT snap-back phenomenon on the switching performance of parallel devices
机译:
RC-IGBT的反跳现象对并联设备开关性能的分析
作者:
Munaf Rahimo
;
Paula Diaz Reigosa
;
Nicola Schulz
;
Francesco Iannuzzo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Reverse Conducting IGBT;
snap-back;
57.
UIS Withstanding Capability of GaN E-HEMTs with Schottky and Ohmic p-GaN contact
机译:
UIS具有肖特基和欧姆p-GaN接触的GaN E-HEMT的承受能力
作者:
Quanshun Bao
;
Shu Yang
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN E-HEMT;
UIS withstanding capability;
gate destruction;
SOA;
58.
Interaction of hot electrons with Carbon doped GaN buffer in AlGaN/GaN HEMTs: Correlation with lateral electric field and device failure
机译:
AlGaN / GaN HEMT中热电子与碳掺杂GaN缓冲液的相互作用:与横向电场和器件故障的关系
作者:
Rajarshi Roy Chaudhuri
;
Vipin Joshi
;
Sayak Dutta Gupta
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
AlGaN/GaN HEMT;
Carbon doped buffer;
Hot Carriers;
Electroluminescence (EL);
Reliability;
59.
Investigation of p-GaN tri-Gate normally-Off GaN Power MOSHEMTs
机译:
p-GaN三栅常关GaN功率MOSHEMT的研究
作者:
Minghua Zhu
;
Jun Ma
;
Elison Matioli
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Gallium Nitride;
p-GaN gate;
normally-off;
MOSFET;
tri-gate;
recess;
high breakdown;
low leakage;
60.
Superior Short-Circuit Performance of SiC Superjunction MOSFET
机译:
SiC超结MOSFET的出色短路性能
作者:
Masakazu Okada
;
Shinya Kyogoku
;
Teruaki Kumazawa
;
Jun Saito
;
Tadao Morimoto
;
Manabu Takei
;
Shinsuke Harada
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC;
MOSFET;
superjunction;
short-circuit;
specific on-resistance;
61.
Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
机译:
短路应力后1.2 kV SiC SWITCH-MOS的分析
作者:
Masataka Okawa
;
Taiga Kanamori
;
Ruito Aiba
;
Hiroshi Yano
;
Noriyuki Iwamuro
;
Shinsuke Harada
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon carbide;
SWITCH-MOS;
Short-circuit stress;
Residual damage in SBD region;
Drain-source leakage current;
62.
Improvement of Cosmic Ray Robustness in IGBT with Deep-N layer
机译:
具有深N层的IGBT中宇宙射线鲁棒性的改善
作者:
Daiki Yoshikawa
;
Masato Hayashi
;
Hiroaki Yamashita
;
Yusuke Kawaguchi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
Cosmic Ray Robustness;
Single Event Burnout;
Deep-N layer;
Experiment;
Simulation;
63.
Integrated Gate Commutated Thyristor: From Trench to Planar
机译:
集成门换向晶闸管:从沟槽到平面
作者:
Umamaheswara Vemulapati
;
Thomas Stiasny
;
Tobias Wikström
;
Neophytos Lophitis
;
Florin Udrea
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
high power semiconductor switch;
IGCT;
discrete power semiconductor;
Thyristor;
planar-gate;
trench-gate;
64.
Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes
机译:
介电层对垂直GaN-on-GaN纳米线肖特基势垒二极管的表面场效应
作者:
Yaqiang Liao
;
Tao Chen
;
Jia Wang
;
Yuto Ando
;
Xu Yang
;
Hirotaka Watanabe
;
Jun Hirotani
;
Maki Kushimoto
;
Manato Deki
;
Atsushi Tanaka
;
Shugo Nitta
;
Yoshio Honda
;
Kevin J. Chen
;
Hiroshi Amano
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
gallium nitride;
vertical power device;
nanowire;
Schottky barrier diode;
dielectric reduced surface field principle;
Baliga’s Figure of merit;
65.
The Influence of Mechanical Property on the Heat-Cycle Reliability of Sintered Silver Die Attach
机译:
力学性能对烧结银模头热循环可靠性的影响
作者:
Keisuke Wakamoto
;
Yo Mochizuki
;
Takukazu Otsuka
;
Ken Nakahara
;
Takahiro Namazu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
mechanical properties;
s-Ag;
porous materials;
heat cycle reliability;
66.
Output Capacitance Losses in Wide-Band-Gap Transistors: A Small-Signal Modeling Approach
机译:
宽带隙晶体管中的输出电容损耗:一种小信号建模方法
作者:
Mohammad Samizadeh Nikoo
;
Armin Jafari
;
Nirmana Perera
;
Elison Matioli
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Wide-band-gap;
GaN;
SiC;
high frequency;
output capacitance;
Coss losses.;
67.
10-kV 4H-SiC Drift Step Recovery Diodes (DSRDs) for Compact High-repetition Rate Nanosecond HV Pulse Generator
机译:
用于紧凑型高重复频率纳秒HV脉冲发生器的10kV 4H-SiC漂移逐步恢复二极管(DSRD)
作者:
Ruize Sun
;
Kenan Zhang
;
Wanjun Chen
;
Yun Xia
;
Ji Tan
;
Yunfeng Chen
;
Song Bai
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
4H-SiC;
Drift Step Recovery Diodes (DSRDs);
High voltage;
Pulsed power;
Pulse generator;
68.
Dislocation Propagation in Si 300 mm Wafer during High Thermal Budget Process and Its Optimization
机译:
高热预算过程中Si 300 mm晶片中的位错扩散及其优化
作者:
Ryohei Sato
;
Koichi Kakimoto
;
Wataru Saito
;
Shin-ichi Nishizawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Si wafer;
dislocation;
thermal budget process;
IGBT;
69.
Design of Dual-Gate Superjunction IGBT towards Fully Conductivity-Modulated Bipolar Conduction and Near-Unipolar Turn-Off
机译:
完全电导率调制双极导电和近单极关断的双栅极超结IGBT设计
作者:
Jin Wei
;
Meng Zhang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Dual gate superjunction IGBT;
floating p-pillar;
grounded p-pillar;
near-unipolar turn-off;
VON-EOFF trade-off;
70.
A Charge-to-Breakdown (QBD) Approach to SiC Gate Oxide Lifetime Extraction and Modeling
机译:
电荷击穿(QBD)方法用于SiC栅氧化物寿命提取和建模
作者:
P. Moens
;
J. Franchi
;
J. Lettens
;
L. De Schepper
;
M. Domeij
;
F. Allerstam
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
TDDB;
Qbd;
tunneling;
Weibull;
SiC MOSFET;
border traps;
71.
V-I Curve Based Condition Monitoring System for Power Devices
机译:
基于V-I曲线的电力设备状态监测系统
作者:
Masanori Tsukuda
;
Li Guan
;
Kazuha Watanabe
;
Haruyuki Yamaguchi
;
Kenshi Takao
;
Ichiro Omura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
V-I curve;
Condition minitoring;
Power devices;
IGBT;
power Diode;
Condition based maintenance (CBM);
72.
Fan-Out-Package-Embedded Coupled Inductors for Integrated Voltage Conversion
机译:
扇出封装式嵌入式耦合电感器,用于集成电压转换
作者:
Yixiao Ding
;
Xiangming Fang
;
Rongxiang Wu
;
Johnny K. O. Sin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
integrated inductor;
coupled inductors;
integrated voltage conversion;
integrated voltage regulator;
73.
Experimental Verification of the Junction Temperature Distribution within Press Pack IGBTs
机译:
压装IGBT中结温分布的实验验证
作者:
Yiming Zhang
;
Erping Deng
;
Zhibin Zhao
;
Jie Chen
;
Shi Fu
;
Xiang Cui
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
press pack IGBT;
junction temperature distribution;
physical contact measurement;
heating time;
clamping force;
74.
Single and repetitive surge current events of 3.3 kV-20 A 4H-SiC JBS rectifiers: the impact of the anode layout
机译:
3.3 kV-20 A 4H-SiC JBS整流器的单次和重复浪涌电流事件:阳极布局的影响
作者:
Nazareno Donato
;
Florin Udrea
;
Andrei Mihaila
;
Lara Knoll
;
Gianpaolo Romano
;
Lukas Kranz
;
Marina Antoniou
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Junction Barrier Schottky diodes;
JBS;
SiC;
surge current;
SiC diodes;
MPS;
75.
Implications of Short-Circuit Degradation on the Aging Process in Accelerated Cycling Tests of SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的加速循环测试中短路降解对老化过程的影响
作者:
He Du
;
Nick Baker
;
Francesco Iannuzzo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon Carbide (SiC) power MOSFET;
reliability;
short-circuit;
power cycling;
76.
Dv/Dt-control of 1200-V Co-packaged SiC- JFET/GaN-HEMT Cascode Device
机译:
1200V共封装SiC-JFET / GaN-HEMT级联器件的Dv / Dt控制
作者:
Gang Lyu
;
Yuru Wang
;
Jin Wei
;
Zheyang Zheng
;
Jiahui Sun
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Dv/Dt-control;
Cascode Configuration;
E-mode GaN-HEMT;
SiC-JFET;
Normally-off;
77.
Packaging degradation studies of High Temperature SiC MOSFET discrete packages
机译:
高温SiC MOSFET分立封装的封装退化研究
作者:
Bassem Mouawad
;
Li Yang
;
Pearl Agyakwa
;
Martin Corfield
;
C. Mark Johnson
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC MOSFET;
discrete package;
high temperature;
reliability;
power cycling;
thermal cycling;
packaging degradation;
78.
Current density and Gate Ringing in Superjunction MOSFETs
机译:
超结MOSFET中的电流密度和栅极振铃
作者:
H. Kang
;
F. Udrea
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Power MOSFET;
Superjunction;
dV/dt;
gate ringing;
current level;
79.
Opportunities and challenges of a 1200 V IGBT for 5 V gate voltage operation
机译:
用于5 V栅极电压的1200 V IGBT的机遇与挑战
作者:
I. Imperiale
;
R. Baburske
;
T. Arnold
;
A. Philippou
;
E. Griebl
;
F. Wolter
;
H.-J. Thees
;
A. Mauder
;
F.-J. Niedernostheide
;
C. Sandow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
scaling;
5 V gate operation;
80.
Pushing the Limits of the Maximum Punch-Through Design with an Advanced Buffer for Thin Wafer IGBTs
机译:
利用用于薄晶圆IGBT的高级缓冲器突破最大穿孔设计的极限
作者:
Elizabeth Buitrago
;
Nick Schneider
;
Chiara Corvasce
;
Jan Vobecky
;
Luca De-Michielis
;
Munaf Rahimo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
81.
SiC MOS Power Module in Direct Pressed Die Technology and some Challenges for Implementation
机译:
直接压模技术中的SiC MOS功率模块及其实施中的挑战
作者:
Igor Kasko
;
Sven E. Berberich
;
Matthias Spang
;
Stefan Oehling
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
power module;
sintering;
SiC MOS;
performance;
reliability;
parallel switching;
82.
Strapped Cu interconnect for enhancing electromigration limit for power device application
机译:
捆扎铜互连,可增强功率器件应用中的电迁移极限
作者:
Young-Joon Park
;
Jungwoo Joh
;
Jayhoon Chung
;
Srikanth Krishnan
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
electromigration;
power device;
reliability;
strapped layer;
Cu interconnects;
electromigration;
power device;
reliability;
strapped layer, Cu interconnects;
83.
3300 V SiC MOSFETs with integrated Schottky rectifiers
机译:
具有集成肖特基整流器的3300 V SiC MOSFET
作者:
Siddarth Sundaresan
;
Jaehoon park
;
Vamsi Mulpuri
;
Sumit Jadav
;
Ranbir Singh
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon Carbide MOSFET;
Schottky diode;
On-resistance;
Avalanche Robustness;
Short-Circuit withstand time;
84.
Investigation of Avalanche Capability of 1200V 4H-SiC MPS Diodes and JBS Diodes
机译:
1200V 4H-SiC MPS二极管和JBS二极管的雪崩能力研究
作者:
Li Liu
;
Na Ren
;
Jiupeng Wu
;
Zhengyun Zhu
;
Hongyi Xu
;
Qing Guo
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC;
MPS Diode;
JBS Diode;
Avalanche Capability;
Wide P+Region;
85.
Advanced High Voltage Reverse Conducting RC-IGBT Technology with Low Losses and Robust Switching Performance
机译:
具有低损耗和强大开关性能的高级高压反向传导RC-IGBT技术
作者:
Liheng Zhu
;
Munaf Rahimo
;
Haihui Luo
;
Qiang Xiao
;
Rongzhen Qin
;
Haibo Xiao
;
Pengfei Liu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Reverse Conducting IGBT;
planar cell;
ruggedness;
86.
High-Frequency GaN-on-Si power integrated circuits based on Tri-Anode SBDs
机译:
基于三阳极SBD的高频GaN-on-Si电源集成电路
作者:
Luca Nela
;
Georgios Kampitsis
;
Halil Kerim Yildirim
;
Remco Van Erp
;
Jun Ma
;
Elison Matioli
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN diode;
Tri-Anode;
reverse recovery;
Power ICs;
Diode Bridge Rectifier;
87.
CMOS Gate Driver with fast short circuit protection for SiC MOSFETs
机译:
具有用于SiC MOSFET的快速短路保护的CMOS栅极驱动器
作者:
Yazan Barazi
;
Nicolas Rouger
;
Fréderic Richardeau
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC MOSFET;
Active Gate Driver;
CMOS;
Short-Circuit;
Detection and Protection;
88.
A GaN HEMT Gate Driver IC with Programmable Turn-on dV/dt Control
机译:
具有可编程导通dV / dt控制的GaN HEMT栅极驱动器IC
作者:
Xin Ming
;
Xiang-jun Li
;
Zhi-wen Zhang
;
Yao Qin
;
Qi-fei Xu
;
Zi-wei Fan
;
Yuan-yuan Liu
;
Xu-dong Feng
;
Qi Zhou
;
Zhuo Wang
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN gate drive;
slew rate control;
power supply modulation;
EMI optimization.;
89.
Optimization of Automotive SiC-Sixpack Converter System with New Gate Connection for SiC devices and New Integrated Discharge Unit for Functional Safety
机译:
新型SiC设备的栅极连接和功能安全的新型集成放电单元优化了汽车SiC-Sixpack转换器系统
作者:
S. Buetow
;
R. Bittner
;
S. Bulovic
;
R. Herzer
;
J. Klier
;
N. Becker
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiC-MOSFET;
Sixpack module;
automotive converter system;
gate driver;
monitoring functions;
DC-link;
90.
Investigation on the Impact of Thermo-Mechanical Stress on the Humidity Ruggedness of IGBTs by Means of Consecutive PCT and H3TRB Testing
机译:
通过连续PCT和H3TRB测试研究热机械应力对IGBT的耐湿性的影响
作者:
Felix Hoffmann
;
Michael Hanf
;
Nando Kaminski
;
Stefan Schmitt
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
IGBT;
power module;
reliability;
power cycling;
H3TRB;
humidity;
combined testing;
91.
Monolithic 4-Terminal 1.2 kV/20 A 4H-SiC Bi-Directional Field Effect Transistor (BiDFET) with Integrated JBS Diodes
机译:
具有集成JBS二极管的单片4端子1.2 kV / 20 A 4H-SiC双向场效应晶体管(BiDFET)
作者:
Kijeong Han
;
Aditi Agarwal
;
Ajit Kanale
;
B. Jayant Baliga
;
Subhashish Bhattacharya
;
Tzu-Hsuan Cheng
;
Douglas Hopkins
;
Voshadhi Amarasinghe
;
John Ransom
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Bi-Directional Field Effect Transistors (BiDFETs);
4-Quadrant switch;
On-Resistance (Ron);
JBSFETs;
SiC;
92.
Third Quadrant Operation of 1.2 kV-10 kV SiC Planar MOSFETs: New Device Findings and Converter Validation
机译:
1.2 kV-10 kV SiC平面MOSFET的第三象限工作:新的器件发现和转换器验证
作者:
Ruizhe Zhang
;
Xiang Lin
;
Jingcun Liu
;
Slavko Mocevic
;
Dong Dong
;
Yuhao Zhang
会议名称:
《》
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2020年
关键词:
Siliccon carbide;
MOSFET;
third quadrant conduction;
body diode;
MOS;
power converter;
Siliccon carbide, MOSFET;
third quadrant conduction;
body diode;
MOS;
power converter;
93.
700-V p-GaN Gate HEMT with Low-Voltage Third Quadrant Operation Using Area-Efficient Built-in Diode
机译:
具有低电压第三象限操作的700V p-GaN栅极HEMT,使用面积高效的内置二极管
作者:
Li Zhang
;
Jin Wei
;
Zheyang Zheng
;
Wenjie Song
;
Song Yang
;
Sirui Feng
;
Kevin. J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
p-GaN gate HEMT;
reverse conduction;
power transistor;
distributive built-in SBD;
94.
Enhancement-Mode GaN p-Channel MOSFETs for Power Integration
机译:
用于功率集成的增强型GaN p沟道MOSFET
作者:
Zheyang Zheng
;
Wenjie Song
;
Li Zhang
;
Song Yang
;
Han Xu
;
Roy K.-Y. Wong
;
Jin Wei
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
GaN;
p-channel;
enhancement-mode;
MOSFET;
oxygen plasma treatment;
complementary logic;
power integration;
95.
A Segmented Gate Driver for E-mode GaN HEMTs with Simple Driving Strength Pattern Control
机译:
具有简单驱动强度模式控制的E型GaN HEMT的分段栅极驱动器
作者:
Wei Jia Zhang
;
Jingshu Yu
;
Yahui Leng
;
Wen Tao Cui
;
Gao Qiang Deng
;
Wai Tung Ng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
E-mode GaN driver;
active driving;
gate ringing reduction;
smart gate driver IC;
96.
Modeling and Design of High Bandwidth Feedback Loop for dv/dt Control in CMOS AGD for GaN
机译:
GaN CMOS AGD中用于dv / dt控制的高带宽反馈环路的建模和设计
作者:
Plinio Bau
;
Marc Cousineaul
;
Bernardo Cougo
;
Frèdèric Richardeau
;
Nicolas Rouger
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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2020年
关键词:
Active gate driver;
GaN;
switching analysis;
dv/dt;
EMI;
power electronics;
ASIC for power IC.;
97.
Enhanced Performance of 50 nm Ultra-Narrow-Body Silicon Carbide MOSFETs based on FinFET effect
机译:
基于FinFET效应的50 nm超窄体碳化硅MOSFET性能增强
作者:
T. Kato
;
Y. Fukuoka
;
H. Kang
;
K. Hamada
;
A. Onogi
;
H. Fujiwara
;
T. Ito
;
T. Kimoto
;
F. Udrea
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
Silicon carbide;
Channel resistance;
Mobility;
FinFET;
98.
Novel Termination Structure Eliminating Bipolar Degradation of SBD-embedded SiC-MOSFET
机译:
消除SBD嵌入SiC-MOSFET双极性退化的新型端接结构
作者:
Yuichi Nagahisa
;
Shiro Hino
;
Hideyuki Hatta
;
Koutarou Kawahara
;
Shingo Tomohisa
;
Naruhisa Miura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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2020年
关键词:
SiC;
MOSFET;
SBD-embedded;
bipolar degradation;
peripheral region;
bipolar transistor;
99.
4H-SiC Trench MOSFET with low on-resistance at high temperature
机译:
4H-SiC沟渠MOSFET在高温下具有低导通电阻
作者:
Hidefumi Takaya
;
Tadashi Misumi
;
Hirokazu Fujiwara
;
Takahiro Ito
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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2020年
关键词:
SiC;
trench;
MOSFET;
Ron;
100.
Design Consideration of Low Capacitance SiC JMOS for Adapting High-Speed Operation
机译:
适用于高速运行的低电容SiC JMOS的设计考虑
作者:
Fu-Jen Hsu
;
Chien-Chung Hung
;
Kuo-Ting Chu
;
Lumg-Shehng Lee
;
Chwan-Ying Lee
;
Jheng-Yi Jiang
;
Chih-Fang Huang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2020年
关键词:
SiCMOSFET;
TCAD;
JMOS;
Schottky;
Crss;
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