A dVS/dt Noise Immunity Improvement Structure Based on Slope Sensing Technology for 200V High Voltage Gate Drive Circuit

机译：基于斜率传感技术的200V高压栅极驱动电路dVS / dt噪声抗扰度改善结构

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This paper presents a high voltage level shifter with a dVs/dt noise immunity improvement structure. Benefit from the proposed slope sensing technology, the dVs/dt noise can be eliminated without compromising the transmission speed of the level shifter. Meanwhile, a new level shifter featuring with three branches is also proposed to increase the transmission speed. Based on 200V BCD process, measured and simulated results are performed to verify the electrical characteristics of the designed gate drive circuit.

机译：本文提出了一种具有dVs / dt噪声抗扰度改进结构的高压电平转换器。受益于建议的斜率检测技术，可以消除dVs / dt噪声，而不会影响电平转换器的传输速度。同时，还提出了一种具有三个分支的新型电平转换器，以提高传输速度。基于200V BCD工艺，执行测量和仿真结果以验证设计的栅极驱动电路的电气特性。

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来源
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》|2020年|270-273|共4页
会议地点
作者
Siyuan Yu; Jing Zhu; Weifeng Sun; Yangyang Lu; Yunqi Wang; Long Zhang; Sen Zhang; Yan Gu; Nailong He; Yunwu Zhang;
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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
high voltage; noise immunity; level shifter;

机译：高电压;抗噪声;电平转换器;
入库时间 2022-08-26 13:55:11

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