X波段多功能芯片的研制

摘要

采用GaAs pHEMT工艺,研制了一款X波段收发多功能芯片.在一个芯片上集成了双平衡混频器、本振驱动放大器、低噪声放大器、射频开关等电路,能够分别实现接收下变频和发射上变频的功能.该芯片的面积仅为2.8×2.2mm2.在射频频率7～13GHz,本振频率7～17GHz,中频频率DC～4GHz,本振输入功率-3dBm情况下,接收变频增益大于10dB,噪声系数小于3.5dB,输出P-1大于0dBm;发射变频增益大于11dB,输出P-1大于9dBm.