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X-BAND RADAR WITH INTEGRATED CIRCUIT CHIPS

机译:集成芯片的X波段雷达

摘要

A monolithic integrated circuit (IC) chip containing a plurality of transistors, including: a substrate; a first transistor on the substrate; and a second transistor integrally formed on the substrate with the first transistor, the second transistor having a different structure than the first transistor, wherein the first transistor includes a first material system and the second transistor includes a second material system different from the first material system. The monolithic IC chip may further include a third transistor integrally formed on the substrate with the first and second transistors. The first transistor may include gallium nitride (GaN) and the second and third transistors may include silicon carbide (SiC).
机译:一种包含多个晶体管的单片集成电路(IC)芯片,包括:基板;衬底上的第一晶体管;以及与所述第一晶体管一体形成在所述基板上的第二晶体管,所述第二晶体管具有与所述第一晶体管不同的结构,其中,所述第一晶体管包括第一材料体系,所述第二晶体管包括与所述第一材料体系不同的第二材料体系。 。单片IC芯片还可以包括与第一晶体管和第二晶体管一体形成在基板上的第三晶体管。第一晶体管可以包括氮化镓(GaN),第二晶体管和第三晶体管可以包括碳化硅(SiC)。

著录项

  • 公开/公告号EP2878009B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAYTHEON COMPANY;

    申请/专利号EP20130731186

  • 发明设计人 SAUNDERS JEFFREY H.;

    申请日2013-05-24

  • 分类号G01S7/03;H01L27/06;H01L21/8258;H01L27/085;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 12:31:50

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