半导体分立器件

摘要： 5月12日上午,位于常州高新区龙虎塘街道的宏微科技车规级功率半导体分立器件生产研发项目开工奠基。项目建成后,将形成年产新型功率半导体器件840万块的生产能力。江苏宏微科技股份有限公司专业从事新型电力半导体器件的设计、研发、制造及销售。其自主研发生产的IGBT、VDMOS、FRD等新型电力半导体器件及模块产品系列填补国内空白,广泛应用于电动汽车、新能源、工业控制、家用电器、医疗器械、照明等领域。产品绝大部分替代国外进口,个别产品在国内市场份额已经占到50%以上。产品销售网络已覆盖全国,同时进入亚洲、欧洲、北美等地区,共拥有500多家客户。

摘要： 扬杰电子科技股份有限公司(简称扬杰科技)成立于2000年,公司总部位于我国扬州市。该公司集半导体分立器件与芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务于一体,其产品有整流器件、保护器件、MOS管、功率模块等多种类型,广泛用于家电、照明、工控、汽车电子等多个领域。

摘要： 半导体指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。半导体产业是研发、生产和销售半导体的行业,包括集成电路(IC)、光电子器件、半导体分立器件、传感器等的研发、生产和销售。广义的半导体产业还包括光伏材料(光伏硅料、光伏硅片和半导体光伏薄膜)的研发、生产和销售。本文采用狭义的定义。从产业链来说,在上游,需要外部的材料和设备供应,在内部是:硅知识产权(IP)内核、电子设计自动化(EDA)工具和“无晶圆厂(fabless)”芯片公司(通常简称为芯片设计公司)。产业链中游是(芯片)制造和封装测试。

摘要： 2021年1月27日,常州银河世纪微电子股份有限公司(以下简称“银河微电”)在上海证券交易所举行上市仪式,正式登陆科创板市场。银河微电(688689)作为2021年首只登陆资本市场的半导体新股,首次公开发行股票数量3,210万股,发行价格为每股14.01元,本次发行募集资金总额4.49721亿元,将主要用于半导体分立器件产业提升项目及研发中心提升项目,此次IPO的保荐机构和主承销商为中信建投证券。

摘要： 浙江中晶科技股份冇限公司(以下简称:中晶科技)是一家专注于半导体硅材料的研发、生产和销售的高新技术企业,主要产品为半导体硅片及硅棒,产品主要应用于半导体分立器件,是专业的高品质半导体娃材枓制造商。

摘要： 分立器件行业概况分立器件的＂分立＂一词是相对集成电路而言的,分立器件是单一的一个器件,具有单一的基本功能,而不像集成电路,需要很多元部件组成来提供放大、开关、延时等功能。分立器件是集成电路的始祖,电路最开始由元件一个个搭起来的。集成电路出现后,集成电路因为体积小和批量生产的优势成为趋势。

摘要： 半导体分立器件隶属于半导体大类，是半导体产业的基础及核心领域之一。原材料供应商、分立器件芯片制造商、封装材料制造企业为半导体分立器件制造行业的上游客户；从国内分立器件产品的市场应用结构看，其应用领域涵盖消费电子、计算机及外设市场、网络通信、电子专用设备与仪器仪表、汽车电子、LED显示屏以及电子照明等多个方面。

摘要： 36.3%据工信部网站消息,上半年,规模以上电子信息制造业增加值同比增长12.4%,快于全部规模以上工业增速5.7个百分点;其中6月份增长10.9%。上半年,规模以上电子信息制造业主营业务收入同比增长8.1%,利润总额同比下降2.3%,主营收入利润率为4.27%,主营业务成本同比增长8.9%。6月末,全行业应收账款同比增长20.1%,产成品存货同比增长12.4%。上半年,电子信息制造业固定资产投资同比增长19.7%,较1-5月份加快5.1个百分点。其中,半导体分立器件制造业景气度较高,投资增势突出.

摘要： 最近,杭州士兰微电子股份有限公司公布了2018年半年度报告。2018年上半年,公司营业总收入为143,709万元,较2017年同期增长10.70%;公司营业利润为6,165万元,比2017年同期减少32.63%;公司利润总额为6,200万元,比2017年同期减少31.84%;公司归属于母公司股东的净利润为9,531万元,比2017年同期增加12.90%。

摘要： 半导体分立器件隶属于半导体大类，是半导体产业的基础及核心领域之一。原材料供应商、分立器件芯片制造商、封装材料制造企业为半导体分立器件制造行业的上游客户；从国内分立器件产品的市场应用结构看，其应用领域涵盖消费电子、计算机及外设市场、网络通信、电子专用设备与仪器仪表、汽车电子、LED显示屏以及电子照明等多个方面。

摘要： 随着国民经济的快速发展,作为现代工业基础的半导体行业也在持续快速发展着。随着电子产品的不断发展，对半导体分立器件可靠性的要求越来越多样化，越来越激烈的市场竞争使得半导体分立器件行业的利润空间被不断压缩。本文以温度循环试验为例，基于客户端实际应用环境与条件，设计半导体分立器件的可靠性试验，更准确的评估产品在客户端的表现，为客户提供更为适用、经济的产品。

摘要： 本文主要介绍了利用三菱FX2N系列PLC对半导体分立器件测试分选机进行顺序逻辑控制,给出了总体顺控程序流程图,并解决了分选步进电机的反转及快速准确定位问题,最后讨论了生产现场的PLC与上位计算机联网通信.

摘要： 本文介绍了国内半导体分立器件在国内外市场销售方面取得的成绩及在目前市场上存在的具大潜力以及加入WTO后所面临的发展机遇,同时对分立器件的发展提出了几方面尚需解决的问题.

摘要： 本文论述了国内半导体分立器件产业经过40多年的发展所经历的发展历程,及目前在应用市场存在的巨大潜力,分析了加入WTO后半导体分立器件面临的挑战和发展机遇及今后发展尚需解决的诸多问题.

摘要： 本文在广泛收集、深入分析国产半导体分立器件试验、使用失效模式的基础上，统计得各类半导体分立器件的工作失效模式分布。进而，探讨了各主要失效模式与失效机理之间的关系，为改进国产元器件的可靠性和开展系统“失效模式和效应分析”提供了重要的依据。

摘要： 本文阐述了影响器件气密性的各种因素和质量一致性检验中所存在的问题,给出了摸底试验条件制定思路,对实验结果进行了分析,最后总结了在检漏工作中的几点建议.

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象（20）的处理液（19）供给处理对象（20）表面上的供给工序；以及将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料（17）设成接触或接近至处理对象（20）的表面的配置状态的配置工序。根据该半导体器件的制造方法，并非具有如迄今为止任意性高，也就是，再现性低的形状，而是通过预先使催化剂材料（17）具有所需的形状，即可稳定地制造出具备具有一定水准的凹凸形状、或纳米级的微结晶状或多孔状的层的半导体层或半导体衬底的半导体器件。

摘要： 本发明涉及一种半导体器件用基板的清洗液，该清洗液的pH为8以上11.5以下，该清洗液含有：成分(A)：含有选自由下述通式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物；成分(B)：抗坏血酸；成分(C)：多元羧酸或羟基羧酸；成分(D)：pH调节剂；以及成分(E)：水。(所述式中，R

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。

摘要： 提供能够保持良好的电接触来进行具有微细电极构造的被测试电子部件的测试的半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法及半导体器件的制造方法。该半导体测试装置包括：测试电路(13)，将测试信号输入输出到被测试电子部件；测试信号布线(12)，与该测试电路电连接；接触基板(5)，与被测试电子部件的电极电连接，配有传送测试信号的导电通路(6)，设置有用绝缘性材料形成的、有上表面和下表面的至少一个以上的通孔；多层布线基板(7)，与导电通路和测试信号布线电连接，配置有在接触基板的下表面上的至少一个以上的通孔(9)；以及吸附机构(11)，吸附并保持被测试电子部件、接触基板、以及多层布线基板。

摘要： 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。