电力半导体器件

摘要： 5月12日上午,位于常州高新区龙虎塘街道的宏微科技车规级功率半导体分立器件生产研发项目开工奠基。项目建成后,将形成年产新型功率半导体器件840万块的生产能力。江苏宏微科技股份有限公司专业从事新型电力半导体器件的设计、研发、制造及销售。其自主研发生产的IGBT、VDMOS、FRD等新型电力半导体器件及模块产品系列填补国内空白,广泛应用于电动汽车、新能源、工业控制、家用电器、医疗器械、照明等领域。产品绝大部分替代国外进口,个别产品在国内市场份额已经占到50%以上。产品销售网络已覆盖全国,同时进入亚洲、欧洲、北美等地区,共拥有500多家客户。

摘要： 5月18日,江苏宏微科技股份有限公司(以下简称"宏微科技")首发申请获上交所上市委员会通过,将于上交所科创板上市。据招股书显示,宏微科技拟募集资金5575036万元,此次募集的资金将用于新型电力半导体器件产业基地、研发中心建设、偿还银行贷款及补充流动资金等项目。

摘要： 未来,电力半导体器件想要得到更好的发展与应用,则需要在熟悉晶闸管、整流管、功率晶体管等各类电力半导体器件发展现状的同时,准确把握其低成本、高性能的发展趋势电力半导体器件的出现与发展,虽然使整流器、逆变器、斩波器等各类装置的整体性能得到了显著提升,但由于电力半导体器件的应用范围十分广泛,而当前各应用领域又处于高速发展之中,对电力半导体器件的应用要求已经变得越来越高,因此要想满足工业生产、农业生产等各方面的应用需求,就必须要对电力半导体器件进行持续开发与更新换代。

摘要： 关键词:电力电子可靠性;大容量电力电子装备;失效物理机理;电力半导体器件;电容器;可靠性建模雷万钧,刘进军,吕高泰,等.大容量电力电子装备关键器件及系统可靠性综合分析与评估方法综述[J].高电压技术20204610$3353-3361.现有的电力电子装备设计往往是靠高成本的过度裕量来换取装备的安全可靠运行,造成装备制造和运维成本不必要的浪费。目前我国电力电子装备市场容量每年约为5000亿元,因过度裕量设计增加的制造和运维成本初步估计至少约300亿元。西安交通大学刘进军教授对大容量电力电子装备关键器件与系统可靠性进行了详细的综述与展望,针对现有研究的不足主要包括:(1)物理过程的时间尺度划分方法不明确、划分界限不清晰,阻碍了对多时间尺度物理过程的正确认识。

摘要： 派瑞股份成功登陆创业板,5月7日,西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司成功于深交所创业板上市。证券简称为"派瑞股份",证券代码为"300831"。据悉,派瑞股份主要从事电力半导体器件和装置的研发、生产、实验调试和销售服务,产品广泛应用于广泛应用于电力、轨道交通、钢铁冶金、机械制造等行业。

摘要： 本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性,并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性及导通特性及开关特性的影响。研究结果表明,采用隐埋型FS层,可以大幅度改善IGBT的反向阻断特性,同时正向阻断、导通及开关特性也有所改善,并且高温漏电流更小,高温稳定性能更好。

摘要： 在建筑照明领域,选用LED灯应符合下列条件:显色指数Ra不应低于80,同类光源的色容差不应超过5 SDCM,特殊显色指数R9 ＞0,色温不宜高于4000K,寿命期内的色偏差不应超过0.007,不同方向的色偏差不应超过0.004;灯具宜有漫射罩,灯的谐波应符合国标GB 17625.1-2012的规定,灯的功率因数不宜小于0.9,灯的使用寿命和光通维持率应符合GB/T 24908-2014的规定.最后,对设计标准GB 50034-2013和产品标准GB/T 24908-2014中关于LED灯的技术要求进行了比较.

摘要： 电机节能是国家实现节能减排的主要方向。电机系统是重要的工业耗能设备，占工业总耗电的60％～70％，占全国总耗电量的50％左右。变频器通过软硬件控制系统来控制电力半导体器件的通断将工频电源变换为可变频率的电源，从而实现电动机的软启动和可调速运行，有利于工业自动化控制，同时其平均节电率达到20％～30％，最高达到60％。

摘要： 本文针对H+注入到硅中形成的缺陷浓度分布,采用STRIM软件进行了仿真.分析了注入损伤和不同退火条件下H+浓度分布对施主掺杂的影响,建立了H+注入掺杂分布的解析模型,并采用Matlab软件进行了仿真验证.结果表明,采用lMeVH+注入硅中后在350°C～500°C下退火,会形成呈高斯分布的类施主(HTD)掺杂,注入深度为5μm～20μm,峰值浓度约为其注入剂量的10倍.采用本解析模型得到的仿真曲线与文献中的实验结果吻合较好,为电力半导体器件的工艺设计与制造提供较大的自由度.

摘要： 市场上的电力半导体器件现已有几十种，它们各有其特点和应用领域。但在特大功率的工频应用中，晶闸管以其耐压高、通态压降小，是其它电力半导体器件所不能代替的。在大功率工频可控整流装置、高压直流输电、机车牵引、动态无功功率补偿等应用场台，晶闸管都占有一定优势，有着广阔的应用前景。本文主要介绍了一种高压晶闸管的设计方法和生产工艺，并对其在扩散工艺、光刻版的设计考虑、烧结、台面造型、封装结构等主要工艺方面进行了阐述。

摘要： Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构,其主要特点是在版图布局中将二极管阳极与GCT阴极指条穿插一起.本文通过对BGCT器件结构的分析,给出了一种工艺制作方案,并利用SentaurusTCAD软件验证了工艺方案的可行性,分析研究结果表明,工艺设计方案可行,器件结构参数符合目标要求;最后在确定的工艺流程方案基础上,通过对门阴极指条的设计给出了其版图布局方案,且用L-edit软件绘制出了其光刻流程。

摘要： Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构,其主要特点是在版图布局中将二极管阳极与GCT阴极指条穿插一起.本文通过对BGCT器件结构的分析,给出了一种工艺制作方案,并利用SentaurusTCAD软件验证了工艺方案的可行性,分析研究结果表明,工艺设计方案可行,器件结构参数符合目标要求;最后在确定的工艺流程方案基础上,通过对门阴极指条的设计给出了其版图布局方案,且用L-edit软件绘制出了其光刻流程。

摘要： Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构,其主要特点是在版图布局中将二极管阳极与GCT阴极指条穿插一起.本文通过对BGCT器件结构的分析,给出了一种工艺制作方案,并利用SentaurusTCAD软件验证了工艺方案的可行性,分析研究结果表明,工艺设计方案可行,器件结构参数符合目标要求;最后在确定的工艺流程方案基础上,通过对门阴极指条的设计给出了其版图布局方案,且用L-edit软件绘制出了其光刻流程。

摘要： Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构,其主要特点是在版图布局中将二极管阳极与GCT阴极指条穿插一起.本文通过对BGCT器件结构的分析,给出了一种工艺制作方案,并利用SentaurusTCAD软件验证了工艺方案的可行性,分析研究结果表明,工艺设计方案可行,器件结构参数符合目标要求;最后在确定的工艺流程方案基础上,通过对门阴极指条的设计给出了其版图布局方案,且用L-edit软件绘制出了其光刻流程。

摘要： 本文从热可靠性角度出发，利用ANSYS软件模拟了门极换流晶闸管（GCT）阳极面多层金属化电极的热应力，并对Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化、Ti/Ni/Ag 三层金属化和单层Al 金属化所产生的热应力进行了对比分析。同时，分析了GCT阴极面金属化电极在热循环后所产生的形变。结果表明，采用Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化可减小GCT 阳极面的应力，通过适当增加阴极条数目可减小GCT阴极金属电极的形变。

摘要： 本文从热可靠性角度出发，利用ANSYS软件模拟了门极换流晶闸管（GCT）阳极面多层金属化电极的热应力，并对Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化、Ti/Ni/Ag 三层金属化和单层Al 金属化所产生的热应力进行了对比分析。同时，分析了GCT阴极面金属化电极在热循环后所产生的形变。结果表明，采用Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化可减小GCT 阳极面的应力，通过适当增加阴极条数目可减小GCT阴极金属电极的形变。

摘要： 本文从热可靠性角度出发，利用ANSYS软件模拟了门极换流晶闸管（GCT）阳极面多层金属化电极的热应力，并对Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化、Ti/Ni/Ag 三层金属化和单层Al 金属化所产生的热应力进行了对比分析。同时，分析了GCT阴极面金属化电极在热循环后所产生的形变。结果表明，采用Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化可减小GCT 阳极面的应力，通过适当增加阴极条数目可减小GCT阴极金属电极的形变。

摘要： 本文从热可靠性角度出发，利用ANSYS软件模拟了门极换流晶闸管（GCT）阳极面多层金属化电极的热应力，并对Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化、Ti/Ni/Ag 三层金属化和单层Al 金属化所产生的热应力进行了对比分析。同时，分析了GCT阴极面金属化电极在热循环后所产生的形变。结果表明，采用Al/Ti/Ni/Ag 四层金属化可减小GCT 阳极面的应力，通过适当增加阴极条数目可减小GCT阴极金属电极的形变。

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象（20）的处理液（19）供给处理对象（20）表面上的供给工序；以及将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料（17）设成接触或接近至处理对象（20）的表面的配置状态的配置工序。根据该半导体器件的制造方法，并非具有如迄今为止任意性高，也就是，再现性低的形状，而是通过预先使催化剂材料（17）具有所需的形状，即可稳定地制造出具备具有一定水准的凹凸形状、或纳米级的微结晶状或多孔状的层的半导体层或半导体衬底的半导体器件。

摘要： 本发明涉及一种半导体器件用基板的清洗液，该清洗液的pH为8以上11.5以下，该清洗液含有：成分(A)：含有选自由下述通式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物；成分(B)：抗坏血酸；成分(C)：多元羧酸或羟基羧酸；成分(D)：pH调节剂；以及成分(E)：水。(所述式中，R

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。

摘要： 为了提供一种能够实现低损失的性能和相对于温度、通电条件稳定的dvCE/dt的开关的半导体器件，半导体器件包括具有第1栅极端子和第2栅极端子的双栅极IGBT，第1栅极端子在双栅极IGBT从非导通状态向导通状态转移时，比第2栅极端子提前第1规定时间地被施加阈值电压以上的电压，第2栅极端子在双栅极IGBT从导通状态向非导通状态转移时，比第1栅极端子提前第2规定时间地被施加小于阈值电压的电压，第1规定时间和第2规定时间被可变地控制，以使得从非导通状态向导通状态转移时和从导通状态向非导通状态转移时产生的双栅极IGBT的集电极发射极间电压的随时间的变化大致一定。

摘要： 一种半导体器件以及电力半导体器件。本实施方式的半导体器件具备：箱体；在上述箱体的内部收容的半导体元件；与上述半导体元件导通，并具有延伸出上述箱体的外部的外部延伸部的端子；以及被设为在上述外部延伸部与上述箱体之间能够沿上述箱体的表面移动的、用于在上述外部延伸部上固定外部端子的螺纹部件。

摘要： 一种半导体器件以及电力半导体器件。本实施方式的半导体器件具备：箱体；在上述箱体的内部收容的半导体元件；与上述半导体元件导通，并具有延伸出上述箱体的外部的外部延伸部的端子；以及被设为在上述外部延伸部与上述箱体之间能够沿上述箱体的表面移动的、用于在上述外部延伸部上固定外部端子的螺纹部件。