功率半导体器件

摘要： 2022年2月18日,记者从湖南大学获悉,该校电气与信息工程学院杨鑫教授课题组,与华中科技大学祝雪丰教授、同济大学祝捷教授合作,利用第三代功率半导体器件——碳化硅MOSFET,首次在电子领域构建了暂态宇称时间对称(TRANSIE-NT PARITY-TIME SYMMETRY)系统。

摘要： 5月12日上午,位于常州高新区龙虎塘街道的宏微科技车规级功率半导体分立器件生产研发项目开工奠基。项目建成后,将形成年产新型功率半导体器件840万块的生产能力。江苏宏微科技股份有限公司专业从事新型电力半导体器件的设计、研发、制造及销售。其自主研发生产的IGBT、VDMOS、FRD等新型电力半导体器件及模块产品系列填补国内空白,广泛应用于电动汽车、新能源、工业控制、家用电器、医疗器械、照明等领域。产品绝大部分替代国外进口,个别产品在国内市场份额已经占到50%以上。产品销售网络已覆盖全国,同时进入亚洲、欧洲、北美等地区,共拥有500多家客户。

摘要： 大功率半导体器件是直流输电、牵引传动与工业变流等系统的核心部件,如何有效地评估器件工作状态并准确预测其剩余使用寿命,是提升系统工作可靠性的关键难题。该文通过对比不同的加速老化试验方法和寿命预测模型,采用现场工况与仿真相结合的方法,设计了一套热循环负载加速老化试验方案。根据试验结果,该文选取科菲-曼森模型对数据进行分析处理,得到优化的寿命预测定量模型。最后,结合应用现场实际疲劳失效数据,对寿命预测模型进行了校验和改进,使该模型更贴近高功率系统的应用工况,提高了寿命预测模型的准确性和可靠性。

摘要： 在双碳和国产化政策趋势推动下,随着下游新能源、电动汽车、工控等领域蓬勃发展,国产IGBT、FRED功率半导体器件的需求愈加旺盛。近日,宏微科技发布业绩快报,报告期内,公司实现营业收入5.23亿元,较上年同期增长57.76%;实现归母净利润6382.88万元,较上年同期增长139.62%。在双碳和国产替代政策趋势推动下,公司下游应用如新能源、电动汽车、工控等领域蓬勃发展,对国产IGBT、FRED功率半导体器件需求旺盛。

摘要： 高效率是电机控制系统设计永恒的追求目标之一。随着碳中和、碳达峰的要求逐步落实,高效电机的渗透率有望加速提升,新的半导体元器件例如碳化硅、氮化镓等的推广也会加速。这会带来全新的电机和电源的拓扑及控制算法设计。电机控制系统将继续朝着高集成、高性能、高可靠性方向发展,功率半导体器件朝着高开关频率、小体积、低损耗的方向发展。

摘要： 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件--该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。此外,瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产,以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。

摘要： 随着电力电子技术在电力系统、电气化交通等不同行业中的广泛应用,由电力电子装置中功率半导体器件的高频开关动作产生的电磁干扰问题日益突出,已成为制约行业发展的关键问题。为此,无数科研人员投身其中,潜心攻坚。来自北京交通大学电气工程学院的教授李虹就是其中一员。多年来,她脚踏实地、创新科研,面向行业重大需求,在电磁干扰与电磁兼容领域做出了一系列创新性研究。

摘要： 据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

摘要： 为满足功率半导体器件参数测量中对脉冲高压源输出脉冲幅值和宽度的需求,基于Marx发生器原理设计了一脉冲幅值和宽度连续可调的脉冲高压源,用以对功率半导体器件参数的快速测量。该脉冲高压源通过改进Marx发生器基本结构,采用双电源充电模式,减小了脉冲发生器的充电时间;采用同步放电电路,提高了脉冲电压的输出精度;在此基础上,采用快恢复二极管隔离每级Marx电路,降低了充电损耗。通过控制双电源充电电压和放电回路中固态开关导通时间,实现了输出脉冲电压幅值和宽度连续可调。实验结果表明,该脉冲高压源在脉冲幅值0~8000 V和脉冲宽度200~1000μs之间连续可调,上升时间为35 ns,可满足功率半导体器件参数快速测量的需求。

摘要： 本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展,阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了IGBT技术面临的技术挑战和发展趋势。

摘要： 功率半导体器件在电力电子系统实际应用中,除受到电压电流等电气应力外,还会受到一系列热应力的影响,这些电、热应力直接决定了变流器的效率和可靠性,因而对其进行准确的分析和评估十分必要.在典型并网DC-AC变流器中,对功率半导体器件电热应力进行分析时,通常考虑的是理想正弦基波负载电流的情况,而实际流经半导体器件的电流中含有较大的纹波电流成分,在应力分析时往往被忽略,从而对功率半导体器件的应力分析结果带来影响.本文以典型的三相并网DC-AC变流器中的IGBT功率器件为研究对象,采用PLECS进行仿真,对负载电流的纹波电流大小进行了建模和分析,并讨论了不同电流纹波对功率半导体器件所受电流应力、功率损耗以及所受热应力的影响.结论表明,电流纹波的存在会使得变流器负载电流过零时的波形发生畸变,在与理想正弦电流负载情况下的分析结果相比,功率半导体器件的开关功耗在考虑电流纹波时会明显增加,进而增加器件的总功耗及效率;同时考虑纹波电流后也会使器件的温度比理想情况有所升高.

摘要： 采用集总电荷的方法,分别对功率半导体器件中的二极管和MOSFET进行表征,描述二极管的正反向恢复特性,应用载流子输运方程、连续性方程和泊松方程确定MOSFET内部P型体区和N-型漂移区电荷的变化规律,进而完成二极管和MOSFET模型的建立.以boost电路为例,应用Saber软件对模型进行验证,其结果表明所建功率半导体器件模型十分精确,可用于电磁干扰的研究.

摘要： 功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试系统有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小电流源、小电压源、数字电压表等直流参数测试系统重要组成部分,编制了功率半导体器件直流参数测量软件,在此基础上,研制成功功率半导体器件直流参数测试系统.实验证明,能满足绝大多数功率半导体器件的测试,测试速度较快,满足功率半导体器件器件直流参数生产和研发单位的需要.

摘要： 列表并逐一介绍了从1984年开始翻译出版的九本功率半导体器件专著,简述了这些专著对教学、理论研究等的影响,说明了认真学习这些专著的意义。

摘要： 功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试设备有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小电流源、小电压源、数字电压表等直流参数测试设备重要组成部分,编制功率半导体器件直流参数测量软件,在此基础上,研制成功CESI系列功率半导体器件直流参数测试设备。

摘要： 大功率智能图示仪是用来测量功率半导体器件直流及I/V参数的测试设备,是半导体器件质量控制的必备设备.脉冲测试法为该类设备内部参数测量原理,目前校准难点主要体现在内部集电极电流偏转系数、阶梯电流源、阶梯电压源的校准缺乏整体校准方案.本文通过研究基于脉冲分流器和脉冲电压测量单元的脉冲数据采集法,研制主控模块、多路选择矩阵模块、集电极电流校准模块、阶梯电流校准模块、阶梯电压校准模块、采样保持电路模块、程控放大电路模块、数据处理电路A/D模块、程控基准电源模块、定时模块、触发模块、USB通信模块等模块,推出了一种基于脉冲数据采集法的功率图示仪校准仪,填补了国内功率图示仪校准仪的空白,并通过对关键参数测量不确定度的评定,证明其能够满足大功率智能图示仪校准需要.

摘要： 回顾了中国国内专家自1970年以来的功率半导体器件专著，摘要说明了这些专著的内容、历史意义、对行业发展的巨大推动作用。作者介绍了普及型的基本生产工艺指导书，阐述了晶闸管设计的基本理论，阐明《高压硅半导体器件绝缘耐压与表面绝缘技术》是提高反向电压特性的重要参考书，最后指明脉冲器件是未来功率半导体器件的重大发展方向之一。

摘要： 叙述了非对称晶闸管的提出和发展历史,简述了非对称晶闸管的基本原理,叙述了三氯氧磷等扩散制造缓冲层的方法,说明了缓冲层技术在现代功率半导体器件中的关键作用.

摘要： 本文主要概述了绝缘栅双极型晶体管的演变历程以及主要技术发展，同时对我国绝缘栅双极型晶体管的发展现状进行了分析。

摘要： 本文主要概述了绝缘栅双极型晶体管的演变历程以及主要技术发展，同时对我国绝缘栅双极型晶体管的发展现状进行了分析。

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。根据各个实施例，一种半导体器件可包括形成在半导体器件的表面处的层堆叠，层堆叠包括具有第一金属或金属合金的金属化层以及覆盖金属化层的保护层，保护层包括第二金属或金属合金，其中第二金属或金属合金比第一金属或金属合金的贵金属性更低。

摘要： 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。根据各个实施例，一种半导体器件可包括形成在半导体器件的表面处的层堆叠，层堆叠包括具有第一金属或金属合金的金属化层以及覆盖金属化层的保护层，保护层包括第二金属或金属合金，其中第二金属或金属合金比第一金属或金属合金的贵金属性更低。

摘要： 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。

摘要： 一种功率半导体器件，具有平面整流元件、基电极、第一焊料层、引线电极、第二焊料层以及第一密封部和第二密封部。基电极经由形成在整流元件的第一表面上的第一焊料层电连接到整流元件。引线电极经由形成在整流元件的第二表面上的第二焊料层电连接到整流元件。第一密封部由第一树脂形成并设置在凹部中，该凹部由整流元件的第一表面以及第一焊料层形成，或由整流元件的第二表面以及第二焊料层形成。第二密封部由第二树脂形成，并且第二密封部与第一密封部分开形成，以便覆盖第一密封部的外表面。

摘要： 公开了竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。

摘要： 本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件，解决了碳化硅功率半导体容易沟槽底角形成电场集中，从而导致栅氧击穿失效的问题。功率半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层的上表面形成第一导电类型阱区；在第一导电类型阱区的部分区域形成第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层；在第一导电类型阱区的上表面形成第二外延层；刻蚀第二外延层、第一导电类型阱区、第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层以形成斜坡结构，斜坡结构沿第二外延层的侧壁向第二导电类型掺杂层延伸；在第二外延层的上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成栅极和源极，在衬底远离第一外延层的一侧形成漏极。

摘要： 本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。

摘要： 说明了一种功率半导体器件（1），具有‑布置在壳体（4）内的功率半导体元件（2），其中散热器（6）暴露在所述壳体（4）的第一表面（5）上；‑具有第一主表面（12）和第二主表面（14）的布线衬底（10），所述布线衬底容纳具有所述功率半导体元件（2）的壳体（4），其中具有增加的导热性的冷却区域（16）布置在所述第二主表面（14）上；其中所述壳体（4）布置在所述布线衬底（10）上，使得所述散热器（6）经由焊料层（2）连接到所述冷却区域（16），其中布置在所述散热器（6）与所述冷却区域（16）之间的一定数量的间隔保持器（28）嵌入在所述焊料层（20）中。还说明了一种用于制造功率半导体器件的方法。

摘要： 公开了一种功率半导体器件元胞结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一外延层和第二外延层；位于第一外延层中的第一半导体柱；位于第二外延层中的多个连接区；位于第二外延层表面两侧的体区，且与连接区的上表面接触；位于体区内的源区以及欧姆接触区；位于第二外延层上的栅极结构；连接区位于第一半导体柱上方两侧，沿第一方向横向延伸，并沿第二方向不连续分布，第二外延层围绕每个连接区以使每个连接区分离，第一方向与第二方向垂直，并且第一方向、第二方向均与半导体器件的纵向方向垂直。本申请在第一外延层中设置第一半导体柱，在第一半导体柱表面上方两侧设置连接区，有效地抑制了器件通流区域的双极退化问题，且提高栅氧可靠性。