低噪声放大器

摘要： 阐述基于110nm工艺设计了一个应用于GPS波段的单片的低噪声放大器,该低噪声放大器采用了片外匹配电感从而降低芯片内部的面积,同时使用了平面螺旋电感作为负载电感,通过设计与仿真,该低噪声放大器在1.575GHz时,工作电流为6.6mA,增益为19.1dB,噪声系数为0.82dB,输入匹配与输出匹配均大于-10dBm,P1dB为-12dBm。

摘要： 为解决传统GPS导航在船舶导航通信中应用制约和功能不全的问题,在对北斗定位导航基本情况分析的基础上,对其定位和通信流程进行阐述,重点对北斗通信模块和北斗低噪声放大器进行设计,通过测试,所设计的通信导航模块和低噪声放大器均能够满足船舶导航通信的要求。

摘要： 设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(LowNoise Amplifier,LNA)。通过在LNA中集成无源陷波滤波器来抑制5~6 GHz的带外信号,并分析了片上电感的寄生参数对滤波效果的影响;采用并联电阻反馈共源共栅结构和并联补偿技术来实现宽带。基于SMIC 28 nmCMOS工艺,使用EMX软件对所设计的LNA进行了电磁建模提参,采用Cadence Virtuoso对电路进行仿真验证,结果表明,该LNA在6.5~10 GHz的工作频带内,S21介于22.77 dB到24.51 dB之间,较为平坦;S11小于-12.34 dB;S22小于-12.34 dB;S12小于-45.06 dB;带内噪声系数较小,介于2.35 dB到2.82 dB之间。全集成片上带阻滤波器在5.8 GHz处可提供-14.6 dB的噪声抑制。在0.9 V供电电压下,LNA的静态功耗仅为10.7 mW(含偏置)。

摘要： 为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求,实现厘米波多波段同时观测,使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3~8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片。放大器电路采用三级级联放大结构,双电源供电,芯片尺寸为2000μm×1000μm。仿真结果显示,常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定。该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段,适用于厘米波段的超宽带接收机前端,并满足未来毫米波拓展中频带宽的需求。

摘要： 文章基于MDIDS软件设计了一个低噪声放大器-微波单片集成电路(LNA-MMIC),利用ADS、Flotherm、Ansys软件分别构建其相应学科领域的仿真模型,通过MDIDS软件实现仿真模型间的数据传输以及芯片的电路—电磁—热—结构疲劳协同优化。结果表明基于MDIDS软件的LNA-MMIC芯片协同优化设计方法是可行的,能够同时达到多个学科的设计指标,大大缩短了设计时间,提高了设计效率。

摘要： 基于65 nm CMOS工艺,设计了一款工作频率为33~48 GHz的毫米波宽带低噪声放大器。采用两级共源共栅(cascode)结构,使用噪声减小技术优化了噪声系数,并运用错峰匹配网络提高了低噪声放大器的增益平坦度并扩展带宽。测试实验表明,该款低噪声放大器的1dB带宽为35~45 GHz,3dB带宽为33~48 GHz,最大增益为20.6 dB,电路直流功耗为24.8 mW,最小噪声系数为4.2 dB。

摘要： 噪声系数是表征接收机及其组成部件在有热噪声存在的情况下接收小信号能力的主要参数。各种通信系统中接收机前端的低噪声放大器、混频器和中放等的噪声系数往往决定了整个系统的性能,现代通信技术的发展对这些部件、组件和系统的噪声系数提出了更高的要求,噪声系数的精确测量对于这些产品的研发和制造都非常关键。噪声源作为噪声系数测量中的标准激励源,其校准精度对噪声系数的测量精度具有直接影响,噪声源的校准技术是噪声系数测试的重要技术之一。

摘要： 为了降低低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)的噪声系数(Noise Figure,NF),提出了一种LNA衬底电阻噪声抑制方法。根据金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor,MOS)的衬底寄生电阻在源衬电容间产生噪声电流的原理,利用MOS管衬底电阻的小信号模型得出衬底噪声电流在大于一定的衬底电阻阻值时存在反比关系,采用增大衬底电阻阻值方法来降低MOS管衬底电阻噪声,从而减小整体LNA的噪声系数。将此方法应用于共栅级、电阻负反馈共源级与源简并电感型共源级等3种LNA中,采用台积电0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明,应用降噪技术后,共栅级、源简并电感型共源级和电阻负反馈型共源级LNA的NF最高降幅分别为0.99 dB、1 dB与1.18 dB。所提方法能够有效降低LNA的NF,并且提高3种LNA的线性度。

摘要： 提出了一种具有高谐波抑制比的低噪声放大器芯片拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于砷化镓pHEMT单片工艺的宽带低噪声放大器芯片,覆盖频段2~6 GHz,相对带宽达到100%。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的增益典型值为25 dB,噪声系数5.5 dB,输出压缩1 dB功率为7 dBm,二次谐波抑制比达到35 dBc,与常规宽带低噪声放大器芯片相比,二次谐波抑制比提高了约15 dB。芯片面积2.6×2.2 mm^(2)。该低噪声放大器芯片可广泛应用于通信系统中,用于信号的接收放大,同时具有良好的谐波抑制能力,有助于提高通信系统的集成度。

摘要： 随着柔性电子设备在越来越多的领域得到关注,具有可延展弯曲特性的柔性电子技术已经被广泛应用于可穿戴、健康检测等新型电子设备.虽然目前国内外在高速柔性电子领域已有众多研究,但研究成果大都关注高速晶体管和高速柔性电子分立器件的设计制造,对柔性电路设计与柔性器件对电路性能的影响的研究非常有限.介绍基于PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板的柔性单晶硅TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)以及相同衬底工艺制作的柔性电容电感,并以此为核心设计了柔性两级低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),最终在433 MHz的工作频率附近实现了具有13.2 dB增益、12 dBm的1 dB压缩点以及3.4 dB噪声系数的柔性低噪声放大器.讨论了柔性电容电感在弯曲态下对放大器增益以及噪声系数的影响,比较了柔性与硬质基底电路的性能差异,扩展了柔性电路在射频领域的应用,为更高频率下和更复杂结构的柔性电路设计提供了指导.

摘要： 基于ADS软件采用高电子迁移率晶体管VMMK-1225设计了一工作频率为24GHz的低噪声放大器.仿真结果表明在24GHz处噪声系数小于2,增益大于9,稳定系数大于1,输入与输出的电压驻波比都小于2.该放大器可应用于射频识别、雷达接收系统和汽车导航系统等领域.

摘要： 针对0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器,利用半导体仿真软件TCAD建立了HEMT低噪声放大器的器件-电路联合仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波分别从栅极和漏极注入HEMT低噪声放大器后,HEMT内部的损伤效应.研究结果表明,从栅极注入约40.9dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件烧毁,由于栅下靠源侧电流通道和强电场的存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,存在一个幅度阈值,高于这个阈值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤点在漏极附近,如果低于这个阈值,器件很难损伤.在0.4ns脉宽的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤.

摘要： 本文针对HEMT低噪声放大器在HPM作用下损伤情况建立了等效的电路模型.通过在栅漏极并联电阻的方式等效烧蚀通道的损伤效应,在ADS仿真软件中利用小信号等效模型和S2P模型进行了建模仿真.采用增益和噪声系数降级量表征放大器性能,仿真结果表明:并联电阻的阻值变化可以较好地模拟器件的不同损伤程度,注入HPM功率越大,得到的等效并联电阻越小,与实验结果基本吻合,验证了损伤效应等效模型的正确性.根据仿真结果和实验数据对器件的损伤机理进行了理论分析.在小功率注入下,性能降级程度与输入功率及等效并联电导呈指数关系,可以在实际使用中利用拟合和插值预测评估器件损伤程度.

摘要： 该文提出了一款新型超宽带(UWB)SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA).采用改进型的电流复用结构和电流镜偏置结构提高了LNA的增益和线性度.改进型共射-Cascode电流复用结构不但保留了传统电流复用结构高增益的优点,而且提高了LNA的稳定性;改进型的电流镜偏置电路减缓了共射极晶体管在输入功率增加时基极-发射极电压VBE的减少趋势,提高了线性度.基于TSMC0.35μm SiGe BiCMOS工艺完成了UWB LNA的芯片版图的设计,LNA面积为0.53×0.63mm2.在3.1～10.6GHz工作频带范围内,与传统电流复用结构和未采用线性改善技术的LNA相比,LNA的稳定因子提高了2倍,IIP3提高了6dBm,同时具有良好的噪声和增益性能.

摘要： 本文采用热电制冷技术设计了一款工作在X波段的低噪声放大器,其工作频率为8.0GHz～9.0GHz,带内功率增益大于32dB,增益平坦度小于0.35dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-20dB,利用热电制冷器制冷至-30°C时噪声系数小于0.65dB,1dB压缩点输出功率为4.5dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.

摘要： 采用砷化镓工艺,基于赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种Ka波段的宽带低噪声放大器,可应用于对通频带和噪声系数要求较高的毫米波通信领域.放大器由四级电路构成,前两级采用叉指数多的晶体管来降低噪声,后两级采用栅级宽度较大的晶体管获得高增益并使用反馈电路拓宽频带.仿真设计结果表明,在28-36GHz的通频带内,增益大于23dB,噪声系数小于3dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,电路在通频带内无条件稳定.该低噪声放大器的设计满足了实际需求.

摘要： 本文设计并实现了4G-12GHz工作频段内的宽带高增益低噪声放大器.该低噪声放大器采用三菱超低噪声InGaAs HEMT管MGF4941AL,选择并联电阻反馈拓扑结构,采用微带线实现输入输出及级间匹配,并应用扇形偏置实现高频交流接地.仿真和实际测试结果表明该宽带低噪声放大器在工作频段内增益达到30dB,噪声系数小于3.35dB,增益平坦度为1.9dB,输出1dB压缩点P-1dB为5dB,实现了在全频段内绝对稳定的宽带低噪声放大器.

摘要： 本文对场效应晶体管的稳定性进行了计算,分析了两种不同的稳定电路结构的特点.以0.18μm GaAs PHEMT工艺为基础,以12GHz-18GHz低噪声放大器应用为背景,研究了两种不同结构的低噪声放大器稳定性电路,并对这两种电路的主要指标进行了仿真验证.对比结果表明,并联反馈结构的的低噪声放大器稳定性和增益更优异.

摘要： 作为射频接收的重要组成部分，低噪声功率放大器在工程实践中具有重要价值。在有源电路领域，低噪声功率放大器、驱动级功率放大器一直以来都是研究的热点问题。基于工程实践应用，本文设计了一款工作频段为2.4～2.48GHz的平衡式、高增益低噪声功率放大器系统。本文的主要研究内容概括在对低噪声放大器、驱动级功率放大器、以及小型化3dB分支线耦合器进行了相应的指标分析后，利用ADS软件对三种器件分别进行了设计。所设计的低噪声功率放大器在工作频段内增益15dB，噪声系数0.5dB；驱动功率放大器增益为约为9dB，噪声系数为2dB，ldB压缩点输出功率能够达到28dBm;小型化3dB分支线耦合器尺寸为0.18入×0.13入，在工作频带内，直通端口和耦合端口输出幅度一致性和90°相位差稳定。

摘要： 随着软件定义无线电(SDR)的发展,人们对接收机的线性度要求越来越高,而作为接收通路的第一级,低噪声放大器(LNA)的线性度要求也越来越高.在分析电路系统的非线性时,Volterra级数分析法是一个比较有效的方法.本文主要讨论了利用Volterra级数对低噪声跨导放大器的非线性分析,以及通过Volterra级数得到的非线性传递函数在高线性度LNTA设计中的作用.

摘要： 本发明提供的低噪声放大器于输入端口接收一单端输入信号，于输出端口提供差动输出信号。该放大器中的一对晶体管各自具有一对输入端与一对输出端。该对输入端与该对输出端共享一共同端点。一反馈电路连接于该对晶体管中的一闭路晶体管的该非共同输出端与该非共同输入端间，且并未连接于该对晶体管中的一开路晶体管的任两端点间。该输入端口具有一信号承载输入端与一接地端。该信号承载输入端连接至该对晶体管各自的非共同输入端。该输出端口具有一正端与一负端。该正端连接至该开路晶体管的该共同端点。该负端连接至该闭路晶体管的非共同输出端。

摘要： 本发明提供一种接收器，支持多个载波聚合模式。该接收器包括低噪声放大器模块，包括多个低噪声放大器，其中所述多个低噪声放大器被设置为从多个输入端口分别接收多个输入信号，以及所述多个低噪声放大器每一者在所述低噪声放大器模块的多个输出端子产生并输出多个噪声消除信号。本发明可以支持所有不同的载波聚合模式且RF信号路径的信号质量可以进一步得以改善。

摘要： 本发明提供一种可变增益低噪声放大器，于其输入端口接收一单端输入信号，并于其输出端口提供一差动输出信号。该可变增益低噪声放大器包含共同耦接至该输入端口的多个放大级，其中有多个减数放大级共同耦接至该输出端口的负端、多个被减数放大级共同耦接至该输出端口的正端。一控制电路负责启动至多一个减数放大级并启动一个被减数放大级，以组态出产生该射频差动输出信号的一差动放大器组合。

摘要： 本发明公开了一种低噪声放大器以及具有该低噪声放大器的TD-SCDMA射频前端系统，天线接收包含有有用信号和干扰信号的信号，首先，经过输入匹配网络和blocker干扰抑制网络，对有用信号进行匹配处理，以及实现blocker干扰呈现高阻抗抑制；然后，通过低噪声放大器核心放大管对信号进行放大处理；最后，再通过输出LC选频网络对有用信号进行选频，输出无干扰的信号。通过在低噪声放大器内部设计blocker抑制网络使其取代芯片外部SAW滤波器，并与输入匹配网络相结合，在LNA内部滤除接收到的干扰信号，实现在滤除干扰信号的同时，减少了芯片面积、降低系统功耗和提高系统性能的目的。

摘要： 本公开提供一种低噪声放大器、低噪声放大器的操作方法和放大器。所述低噪声放大器包括：放大单元，包括以级联结构连接的第一晶体管和第二晶体管，并且所述放大单元被配置为放大输入到所述第一晶体管的控制端子的信号；以及增益控制器，连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此连接的接触点与电源电压之间，并且被配置为调节所述放大单元的增益。

摘要： 本发明实施例公开了一种低噪声放大器和利用低噪声放大器的射频放大方法。其中，低噪声放大器包括多个增益级电路，数量大于或等于待放大的射频信号的数量，用于在被启用时，对射频信号进行独立放大；多个放大选择开关电路，每个所述放大选择开关电路与一增益级电路连接，用于根据射频信号选择增益级电路，选择启用的增益级电路；多个驱动电路，每个所述驱动电路与一增益级电路连接，用于在增益级电路被启用时，接收至少一个经增益级电路放大后的射频信号，并且将放大后的射频信号输出；至少一个负载电路，驱动电路的连接，用于根据驱动电路输出的放大后的射频信号，输出至少一个射频输出信号。本发明实施例提供的技术方案，同时实现射频开关以及低噪声放大的能力，减少占用面积，降低寄生影响。

摘要： 本发明提供的低噪声放大器于输入端口接收一单端输入信号，于输出端口提供差动输出信号。该放大器中的一对晶体管各自具有一对输入端与一对输出端。该对输入端与该对输出端共享一共同端点。一反馈电路连接于该对晶体管中的一闭路晶体管的该非共同输出端与该非共同输入端间，且并未连接于该对晶体管中的一开路晶体管的任两端点间。该输入端口具有一信号承载输入端与一接地端。该信号承载输入端连接至该对晶体管各自的非共同输入端。该输出端口具有一正端与一负端。该正端连接至该开路晶体管的该共同端点。该负端连接至该闭路晶体管的非共同输出端。

摘要： 本申请公开了低噪声放大器及低噪声放大器芯片。其中，所述低噪声放大器包括：接收机；第一射频开关，所述第一射频开关的第一端与所述接收机连接；多级低噪声放大模块，所述多级低噪声放大模块第一端与所述第一射频开关的第二端连接；第一衰减通路，所述第一衰减通路的第一端与所述第一射频开关的第二端连接；射频开关，所述射频开关与所述多级低噪声放大模块的第二端、所述第一衰减通路的第二端连接。本申请实施例提供的低噪声放大器是一种带旁路的限幅低噪声放大器SIP芯片。有效减小布局面积和系统复杂性，提高系统接收灵敏度，特别适合应用于对尺寸和重量有严格要求的背负式或手持式超短波通信电台接收前端。

摘要： 本申请实施例提供了一种双频低噪声放大器电路、低噪声放大器及设备，所述双频低噪声放大器电路包括放大子电路和开关选频电路；其中，所述放大子电路，用于对待放大射频信号进行增益放大，得到放大后射频信号，并将所述放大后射频信号进行输出；所述开关选频电路，与所述放大子电路相连，用于基于所述待放大射频信号对应的目标频段，通过控制所述开关选频电路中的开关状态，使得所述双频低噪声放大器电路在所述目标频段下满足最优性能。这样，通过低噪声放大器电路的可重构结构实现了对双频信号的低噪声放大，而且能够在每个频段内实现噪声系数、增益和线性度等参数处于最优状态。

摘要： 本发明提供一种接收器，支持多个载波聚合模式。该接收器包括低噪声放大器模块，包括多个低噪声放大器，其中所述多个低噪声放大器被设置为从多个输入端口分别接收多个输入信号，以及所述多个低噪声放大器每一者在所述低噪声放大器模块的多个输出端子产生并输出多个噪声消除信号。本发明可以支持所有不同的载波聚合模式且RF信号路径的信号质量可以进一步得以改善。