HEMT低噪声放大器的HPM效应等效模型研究

摘要

本文针对HEMT低噪声放大器在HPM作用下损伤情况建立了等效的电路模型.通过在栅漏极并联电阻的方式等效烧蚀通道的损伤效应,在ADS仿真软件中利用小信号等效模型和S2P模型进行了建模仿真.采用增益和噪声系数降级量表征放大器性能,仿真结果表明:并联电阻的阻值变化可以较好地模拟器件的不同损伤程度,注入HPM功率越大,得到的等效并联电阻越小,与实验结果基本吻合,验证了损伤效应等效模型的正确性.根据仿真结果和实验数据对器件的损伤机理进行了理论分析.在小功率注入下,性能降级程度与输入功率及等效并联电导呈指数关系,可以在实际使用中利用拟合和插值预测评估器件损伤程度.