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马尚; 于洪喜;
西安空间无线电技术研究所;
西安710000;
低噪声放大器; HEMT; 管芯;
机译:基于X波段HEMT晶体管的宽带低噪声放大器设计。
机译:基于Mosfet的6 GHz带宽低噪声放大器设计的比较研究
机译:高度坚固的低噪声放大器设计的GaN HEMT布局优化
机译:基于微电感的优化和集成的低噪声放大器设计。
机译:用于相控阵雷达和5G新无线电的GaN HEMT放大器设计
机译:WLAN应用中基于反馈和平衡技术的低噪声放大器设计
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。
机译:低噪声和功率Algapsb /增益功率-Gaas衬底上的Hemt和拟晶Hemts
机译:gaas基板上的algapsb //低噪声性能hemt和拟态性hemt
机译:GaAs衬底上的低噪声和低功耗AlGaPSb / GaInAs HEMT和伪晶HEMT
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