成方

摘要： (接上期)五、甘草甘草又名甜草根,是豆科多年生草本植物,极耐旱抗寒、喜光、耐盐碱,是抗盐性很强的植物。我国是世界上唯一的甘草生产、出口大国,出口的三十多个国家和地区中,仅日本年需求量就达一万吨之多。中医药界素有“十方九草,无草不成方”之说。

摘要： 自治区党委决定:周成方同志任自治区人民政府党组成员;周成方同志任自治区公安厅党委书记。自治区人民政府经研究决定:免去蔡中平同志的自治区政务服务监督管理办公室主任职务;蔡中平同志任自治区人民防空和边海防办公室主任(试用期至2019年2月);周卫同志任自治区人民防空和边海防办公室副主任.

摘要： 心肌电生理信号传导的基础是各种离子通过心肌细胞膜上的通道形成跨膜电流.当离子通道结构、数目及功能异常时将会导致离子通道跨膜平衡的破坏,使各主要离子通道间数目比例改变从而诱发心律失常.近年来中医对心肌细胞跨膜离子通道异常导致的心律失常有一定的研究,发现多种中药成分具有抑制离子转运、调节膜内外离子浓度、改变动作电位等作用,进而抑制心律失常的发生.对中医药单药及成方总结与归纳,对作用于心肌细胞离子通道的抗心律失常中药进行综述.

摘要： 恩替卡韦合成新工艺恩替卡韦为抗病毒药物，临床具有较为广阔的前景。目前，恩替卡韦的合成方法有多种，但现有方法均有一些不足之处，不适合工业化生产。前不久，南京天丰药业的赵明亮经过深入研究，对恩替卡韦的生产工艺进行了研究和改进，提出了一条新工艺，并申请了中国发明专利：“一种恩替卡韦的合成方法”，专利号：CN104230933A。

摘要： 昆明市药材业同业公会1939年汇编的医方《昆明方目》始载于民国档案.全书82方,补遗4首,分14门,涉及补益、脾胃、妇科、痰嗽、眼目、泻痢、气滞、风痰、伤寒、暑湿、燥火、咽喉口齿、幼科和疮科诸门.该书医方是民国时期昆明中药铺制药的标准,但未著出处.经文献考证,一一陈明卫生丸、参茸丸、十全丸等86方的出处、来源或组方,分析该书具有以“旨证为纲”分类、创新的数量超过继承、严守制方法则、大量使用云南地产药材和价值突出等特点.这次整理为深入认识和正确应用《昆明方目》成方创造条件.

摘要： 1954年3月昆明市工商业联合会药商业同业公会选编的《昆81方》与民国时期编纂的《昆明方目》二者的编纂目的、过程、收载医方、分类和医方数量基本一致.《昆81方》对《昆明方目》增补了制法、主治、用量、服法和禁忌,修订了部分药名,删除9方新增4方,以古方为依据加减部分处方、份量和炮制法.与《昆明方目》相比,《昆81方》更具完备、严谨和系统性.

摘要： 寇琼教授对于原发性痛经,善于从虚实入手,抓住病机,辨为“不通则痛”和“不荣则痛”.临床常见原发性痛经可分为气滞血瘀、寒凝血瘀、冲任虚寒、脾肾阳虚证,给予疏肝解郁、活血化瘀、温经散寒、补肾助阳的治疗方法,擅用成方治疗原发性痛经,如血府逐瘀汤、温经汤、少腹逐瘀汤,临床上疗效显著.

摘要： 目的:以中医理论为指导,通过对失眠的病因病机及机制进行分析,总结了治疗失眠方剂的配伍规律,以更好的指导临床实践.

摘要： 探讨中医药治疗非酒精性脂肪肝(non-alcoholic fatty liver diseases,NAFLD)的研究进展.总结分析中国期刊全文数据库中医药治疗NAFLD临床及实验研究文献在NAFLD病情发展的不同阶段,中医药常采用疏肝健脾、清热祛湿化痰、活血通络、化痰散结等方法加以治疗.与西医药学比较,中医药对NAFLD的治疗方法及药物选择多样,具有多靶点作用机制、价格便宜、不良反应少等特点.

摘要： 根据中医学特点，把中药成方调理引入中医保健学，使用当归四物汤和通乳散，对奶牛进行调理，能够明显提高奶牛产奶量，泌乳期平均延长17 d，日均奶产量增加3.8 kg，提高16.74%，产后疾病发病率降低22%。

摘要： 成方是前人的处方用药经过实践有效后遗留下来的.在继承的基础上,仍需要自然地达到推陈出新的医疗境界.做好处方用药,不能离开治疗的方针和范围.近年来中成药不良反应的报道日见增多,其中一个重要的原因就是滥用,误用从而导致药证不符.所以我们要掌握一些通治方和主治方的各有特点,善于加减使用,还要多方面吸取前人的用药经验,做到知宜知避,要知常法,也要知变化,不仅在处方用药时可以减少差错,并且受到疗效后也能说明道理.总之，成方的选用和适当地加减，主要在遵循中医“辨证施治”的原则是合理应用，如此才能做到应有的治疗效果，在临床使用上更为灵活广泛。同时还需注意药物的副作用和病人的体质情况。

摘要： 成方也是中医的精华,应用得当,疗效很好,值得研究。本文举验案3则,分别为：水肿案、耳鸣案、便秘案，以期抛砖引玉。

摘要： 本发明涉及遗传工程，并且可用于生物技术、医学和农业。本发明需要构建3165bp基因疗法DNA载体VTvaf17，用于含有核苷酸序列SEQ ID No.1的动物和人细胞的遗传修饰。构建3165bp基因疗法DNA载体VTvaf17的方法包括首先构建4182bp载体，然后通过SpeI限制性位点将它切割，并且将剩余的片段与其自身连接，该4182bp载体含有具有内在增强子的人延伸因子EF1A的1188bp启动子区、具有限制性内切核酸酶BamHI、EcoRV、Sail、HindIII、KpnI、EcoRI的位点的35bp多接头、466bp转录终止子和人生长因子的多腺苷酸化序列、允许无抗生素的阳性选择的转座子Tn10的136bp调节元件RNA‑OUT、具有单核苷酸取代以增加大多数大肠杆菌菌株细胞中的载体生成的用于自主复制的1299bp复制起点、1010bp卡那霉素抗性基因。可以通过获得大肠杆菌菌株SCS110‑AF以生成基因疗法DNA载体VTvaf17或允许无抗生素阳性选择的基于其的基因疗法DNA载体实现规定的目的。获得大肠杆菌菌株SCS110‑AF以生成基因疗法DNA载体VTvaf17或基于其的基因疗法DNA载体的方法包括构建64bp的线性DNA片段，然后通过电穿孔转化大肠杆菌细胞，并挑选出在含10μg/ml氯霉素的培养基中存活的克隆，该线性DNA片段含有允许无抗生素的阳性选择的转座子Tn10的调节元件RNA‑IN、1422bp果聚糖蔗糖酶基因sacB(其产物确保在含蔗糖的培养基中进行选择)、挑出发生同源重组的菌株克隆需要的763bp氯霉素抗性基因catR、确保与基因失活同时的基因recA区域中的同源重组的两个同源序列329bp和233bp。还构建了携带基因疗法DNA载体VTvaf17的大肠杆菌菌株SCS110‑AF/VTvaf17(在俄罗斯国家工业微生物保藏中心，以编号B‑12990，国际保藏机构编号NCIMB 42801登记)，用于允许无抗生素的选择的其进一步开发。获得携带基因疗法DNA载体VTvaf17的大肠杆菌菌株SCS110‑AFA/Tvaf17(在俄罗斯国家工业微生物保藏中心，以编号B‑12990，国际保藏机构编号NCIMB 42801登记)的方法包括制备大肠杆菌菌株SCS110‑AF的电感受态细胞，并且用基因疗法DNA载体VTvaf17对这些细胞进行电穿孔。之后，将细胞倒入具有含有选择性培养基的琼脂板(培养皿)中，所述选择性培养基含有酵母浸膏、蛋白胨、6％蔗糖和10μg/ml氯霉素。

摘要： 本发明提供了芯片封装。所述芯片封装可以包括：半导体芯片，其在正面上包括第一连接焊盘和第二连接焊盘；载体，其包括焊盘接触区域和凹陷；包封材料，其包封半导体芯片；第一外部连接，其没有包封材料或延伸出包封材料；导电夹具；以及接触结构，其中，半导体芯片被布置为使其正面面对载体，其中第一连接焊盘在凹陷之上，并且第二连接焊盘接触焊盘接触区域，其中，夹具布置在半导体芯片的背面之上，覆盖半导体芯片，在半导体芯片处，夹具在凹陷之上延伸，并且其中，导电接触结构将第一连接焊盘与第一外部连接导电连接。

摘要： 通过在溶液中使作为路易斯酸的第1单体和作为路易斯碱的第2单体进行路易斯酸碱反应，生成由第1单体和第2单体通过弱电相互作用相结合而成的单体加成物。然后，将含有单体加成物的溶液涂敷在基板上，形成由单体加成物组成的超分子固体薄膜后，加热该超分子固体薄膜，在超分子固体薄膜的内部使第1单体和第2单体进行聚合反应，由此形成高分子薄膜。

摘要： 本发明提供一种接触开口(例如一贯孔)的形成方法，其中在暴露形成于基板中的导体前，于开口底侧沉积一牺牲层，以避免对构成集成电路元件的材料产生损害与污染；所述暴露可于导体中形成、或不形成凹部。本发明也提供一种在导体中具有凹部的接触开口的形成方法，其中在暴露导体后、但在导体中形成凹部前沉积一牺牲层，以避免产生与凹部形成相关的主要损害和污染。通过在利用本发明所形成的接触开口上形成一沟槽特征，即可形成一双重嵌入特征。通过在本发明所形成的各种嵌入互连特征上进行其他嵌入式工艺步骤，可形成如单一嵌入平面连接柱、单一嵌入嵌入式连接柱、与具有平面连接柱或嵌入式连接柱的各种双重嵌入式互连系统。

摘要： [问题]使用计算机图形获取训练数据。[解决方案]一种图像生成方法，包括：获取CG模型或基于CG模型生成的人工图像；并且使用处理器以对CG模型或人工图像进行操作处理，从而生成用于在使用传感器获取的图像所采用的AI学习中的经操作的图像或人工图像的元数据。

摘要： 本发明提供一种超微细晶体层生成方法等，其能以低成本在金属制品的表层稳定地生成超微细晶体层等。通过对被加工物(W)进行利用钻头(D)实施的孔部(1)的开孔加工，对该孔部(1)的内周面赋予较大的应变而生成超微细晶体层(C1)。在这种情况下，对孔部(1)的内周面实施产生至少1以上的真应变的塑性加工，并且，将孔部(1)的加工面的材料温度维持在Ac1相变点以上且低于熔点的温度范围内。另外，维持在不超过Ac1相变点的温度下。由此，能够以低成本在孔部(1)的内周面上稳定地生成超微细晶体层(C1)。

摘要： 本公开内容涉及能够抑制编码效率的降低的图像处理装置、比特流生成方法、系数数据生成方法以及量化系数生成方法。本公开内容在对图像进行编码时：生成变换跳过标志，该变换跳过标志是针对每个分量指示是否跳过将图像与图像的预测图像之间的残差变换成系数数据的变换处理的标志信息；对所生成的变换跳过标志进行编码；生成变换跳过标志的编码数据；以及生成包括所生成的变换跳过标志的编码数据的比特流。本公开内容可以应用于例如图像处理装置、图像编码装置、图像解码装置、发送装置、接收装置、发送/接收装置、信息处理装置、成像装置、再现装置、比特流生成方法、系数数据生成方法、量化系数生成方法等。

摘要： 焊料材料、层结构及其形成方法、芯片封装及其形成方法、芯片布置及其形成方法。提供一种焊料材料。焊料材料可以包括镍和锡，其中镍可以包括第一量的颗粒和第二量的颗粒，其中第一量的颗粒和第二量的颗粒的和是镍的总量或更少，其中第一量的颗粒在镍的总量的5 at%和60 at%之间，其中第二量的颗粒在镍的总量的10 at%和95 at%之间，其中第一量的颗粒的颗粒具有第一大小分布，其中第二量的颗粒的颗粒具有第二大小分布，其中第一量的颗粒的30%至70%具有根据第一大小分布最高数量的颗粒具有的颗粒大小附近约5μm的范围中的颗粒大小，并且其中第二量的颗粒的30%至70%具有根据第二大小分布最高数量的颗粒具有的颗粒大小附近约5μm的范围中的颗粒大小。

摘要： 下述式(1)所示的化合物及其制造方法、以及组合物、光学部件形成用组合物、光刻用膜形成组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案的形成方法、辐射敏感组合物、非晶膜的制造方法、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、以及纯化方法。(1)(式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2～R5各自独立地为碳数1～30的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的烯基、下述式(A)所示的基团、下述式(B)所示的基团、硫醇基或羟基，此处，选自由R2～R5组成的组中的至少1个为选自由下述式(A)所示的基团和下述式(B)所示的基团组成的组中的基团，m2和m3各自独立地为0～8的整数，m4和m5各自独立地为0～9的整数，其中，m2、m3、m4以及m5不同时为0，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。)(A)(式(A)中，R6各自独立地为碳数1～4的亚烷基，m’为1以上的整数。)(B)(式(B)中，R6与前述定义相同，R7为氢原子或甲基，m”为0或1以上的整数。)

摘要： 本发明提供一种中间体α‑氯代乙酰基‑γ‑丁内酯的合成方法及硫噻唑的合成方法，以α‑乙酰基‑γ‑丁内酯为原料，采用廉价、安全的三氯异氰尿酸为氯化试剂，通过氯化反应合成得到α‑氯代乙酰基‑γ‑丁内酯，所制备的α‑氯代乙酰基‑γ‑丁内酯应用于制备硫噻唑。本发明使用三氯异氰尿酸作为氯化剂，与传统氯化工艺采用氯气进行氯化过程相比，氯化反应平稳，选择性好，使用方便，安全性高。该方法氯化副产物为氰尿酸，可回收循环使用，相比氯气，无需处理反应后产生大量的盐酸和次氯酸，减轻三废处理负担，具有工业化生产的前景。