寄生效应

摘要： 金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制,通过TCAD构建了40,90以及180 nm 3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真,得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件及其对NMOS晶体管工作状态的影响.结果表明:1)脉冲γ射线在辐射瞬时诱发NMOS晶体管内部阱电势抬升是导致纵向寄生三极管开启的主要原因;2)当纵向寄生三极管导通时,NMOS晶体管内部会产生强烈的二次光电流影响晶体管的工作状态;3)NMOS晶体管内部纵向寄生三极管的电流增益随工艺节点的减小而减小.研究结果可为电子器件的瞬时电离辐射效应机理研究提供理论依据.

摘要： 分辨率是CMOS图像传感器最重要的指标之一,分辨率越高,意味着像素阵列越大,像素阵列横向尺寸的增大对时序控制驱动电路的驱动能力提出了更高的要求,纵向尺寸增大也使得延迟影响行选信号的正常产生.本文研究了超大阵列CMOS图像传感器时序控制驱动电路.在像素阵列尺寸确定的情况下,采用左右两端同时驱动来提高控制电路的驱动能力,分析了寄生效应对时钟走线的影响,提出一种将移位寄存器时钟反向接入的方法,在不增加额外版图消耗的前提下提高了电路的可靠性.此外传感器尺寸较大,因此将时序控制驱动电路设计成可重复单元,再进行拼接.基于110 nm CMOS工艺,设计了超大阵列CMOS图像传感器时序控制驱动电路,并进行了2 k×2 k的样品芯片设计.配合2-share型5T像素结构,时序控制驱动电路可以实现滚筒模式、滚筒像素合并模式、全局模式3种模式的切换,并且可以开启高增益模 μm式来获得低光照条件下的良好表现.样品芯片的像素尺寸为6μm×6μm,单侧行驱动电路尺寸为2256μm×12288μm,芯片整体尺寸19300μm×19500μm,帧频2帧/s,每行行选时间24.36μs,左右两端同时驱动,左右两侧信号差小于5 ns.

摘要： LRC滤波器寄生参数易引起串并联自谐振,影响滤波器对矿用变频器长线传输系统中电动机端尖峰电压和电压变化率的抑制性能,甚至造成器件烧损,但目前缺少该方面的研究成果.建立了变频器长线传输系统数学模型,在分析LRC滤波器元件寄生效应的基础上,采用频域分析方法研究了寄生参数对LRC滤波器滤波性能的影响,得出结论:LRC滤波器中电阻寄生电感对滤波效果的影响最为突出,导致LRC滤波器滤波性能下降、变频器长线传输系统在阶跃响应过程中超调和震荡问题严重,其他寄生参数的影响微弱.对LRC滤波器电阻寄生电感对滤波性能及变频器长线传输系统动态特性的影响进行了仿真和实验研究,结果表明:LRC滤波器采用铝壳功率电阻时,电动机端电压波形出现失真,上升及下降过程中存在明显的震荡;采用厚膜功率无感电阻可消除因电阻寄生电感引起的系统超调、震荡现象,使LRC滤波器达到较理想的滤波效果.

摘要： 当飞行器处于高超声速飞行状态时,其外部会形成等离子体鞘套.等离子体的存在会使飞行器上的天线发生阻抗失配,导致谐振频率偏移以及回波损耗的增加.通过不同速度、高度等条件下等离子体密度的数值预测,进一步估算对天线谐振频率偏移等性能的影响.考虑到元器件的电抗在L波段的寄生效应,利用广义连接网络的方法,对匹配网络设计和优化,完成等离子体环境下的天线阻抗调谐.实验表明,通过改变匹配网络中变容管的容值,等离子体环境下天线的输入阻抗可以被调节,从而复原谐振频率、降低回波损耗、恢复通信性能.

摘要： EMI滤波器作为减少系统对外部设备产生电磁干扰的重要设备,在工业生产中得到了广泛应用.但寄生效应会对EMI滤波器的高频特性产生影响,从而影响EMI滤波器的滤波效果.现建立了EMI滤波器的高频模型,并提出了消除共模电感寄生电容的办法.

摘要： 提出了一种低电压CMOS工艺下用于偏置电路中的低漏电流电荷泵电路设计.漏电是输出纹波的主要来源,引入两个不同频率的时钟,通过控制电荷转移器件的开关交替动作来抑制反向漏电流.与传统设计相比,在每级电荷泵单元中增加了两个额外的MOS管,用于维持电荷泵单元中每个晶体管的衬底电位.详细分析了时钟和寄生所引入的非理想效应,并在0.35μm工艺下设计了一款电荷泵电路.仿真结果表明,所提出的9级电荷泵在1.4 V电源电压下能够实现13.4 V直流输出和0.17 mV纹波电压.这种电荷泵结构具有更好的噪声性能,可用于给传感器电路提供稳定的电压偏置.%A low ripple charge pump in low-voltage CMOS process is proposed for the bias circuit.Two clocks with different frequency are utilized to alternately turn on and off the charge-transfer devices to suppress the return-back leakage current,which could improve the output ripple.Compared with conventional designs,two more MOSFETs are added to each pump stage to maintain the correct bulk voltage of all MOSFETs.The non-ideal effects introduced by clock and technology parasitic are analyzed in detail,and the circuit has been designed with 0.35 μm technology.The simulation results show that the proposed nine-stage charge pump can obtain a 13.4 V DC voltage output with 0.17 mV ripple wave under VDD=1.4 V.With the improved noise performance,the proposed charge pump circuit is able to provide a stable high voltage bias for sensors.

摘要： 基于60Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和;STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响,SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.

摘要： 对印刷电路板进行LAYOUT布线的时候,往往需要考虑产生的寄生的效应,比如说寄生出来的电阻,电容和电感,这些寄生效应,在直流和低频回路的设计中,往往不太明显或者对电路的性能影响不大,可以忽略不计,但是,在交流和高频电路的设计中,这些效应的影响就非常明显,往往影响到电路的整体性能,甚至影响到电路的功能输出.例如,板上的元件之间的走线可以产生寄生电阻,板上的平行走线和焊盘间可以产生寄生电容,环路的电感、互感和过孔可以产生寄生电感.在PCB布线的时候,需要特别关注寄生效应的影响,反复进行检查,否则,对电路板的抗干扰性和可靠性都有影响.

摘要： 本文设计了一种新颖的双频不等分Wilkinson功分器.为了减小传统功分器中接有隔离电阻的枝节离得太近所引起的寄生效应,一种隔离枝节引入到了双频功分器的设计中.本文给出了功分器的设计思路和设计公式,仿真和实测结果吻合的较好,验证了设计公式的正确性.

摘要： 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法.将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益.此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度.

摘要： 在深亚米SOC设计中,布线的寄生延时将起主导作用,金属线间的偶合效应(CrossTalk)将导致信号完整性(SI)问题及延时的增量变化,消耗电流的增加及布线寄生电阻将导致电压降(IRDrop)及本文分析了深亚微米SOC设计时寄生效应对设计的影响,应对这些效应的设计工具的性能要求,最后简单介绍采用新工具的设计流程的变化.

摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.

摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.

摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.

摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.

摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.

摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.

摘要： 提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。

摘要： 一种用于在以太网通信系统中对电功率信号进行滤波的装置包括链路接口、功率接口和被连接在链路接口与功率接口之间的滤波器。链路接口被配置为连接到以太网链路。功率接口被配置为连接到以下中的一者或两者：(i)提供用于在以太网链路之上进行传输的电功率信号的电源以及(ii)消耗在以太网链路之上进行传输的电功率信号的电路。该滤波器至少包括：(i)被配置为对被传输到以太网链路或从以太网链路传输的电功率信号进行滤波的初级电感器，以及(ii)与初级电感器串联连接的一个或多个互补电感器，该一个或多个互补电感器被配置为降低滤波器的寄生电容。

摘要： 本发明公开了一种带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，包含基于标准BSIM3的LDMOS管，以及分别接在LDMOS源、漏端端的源端电阻、漏端电阻，另外增加一寄生MOS管，其源漏端分别于源端电阻、漏端电阻的剩余一端相连，并引出作为整个等效电路的源极及漏极，LDMOS管得栅极直接引出作为整个等效电路的栅极，寄生MOS管的栅极接一电压控制电压源的正极，电压控制电压源的负极接等效电路的漏极。本发明还公开了所述带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法。

摘要： 本发明公开了一种抑制寄生效应的高级数模拟域TDI电路，包括全差分运放，全差分运放连接采样电容，全差分运放与采样电容之间均设置有换向开关L1，两个换向开关L1之间通过两个换向开关L2连接；采样电容连接VREF和像素单元，全差分运放还连接多个相互并联的电容CH上下极板切换电路。本发明还公开了高级数模拟域TDI电路实现方法。通过引入开关L1与L2将像素单元的输出电压交替为上下极板充电，同时为保证CH中的电荷不会被切换极性之后的输入抵消，加入CH上下极板切换开关，经过开关的控制使得运算放大器的输出呈现高压与低压之间的切换，对于输入输出总线经寄生电容耦合进CH的电荷误差优化有非常显著的效果。

摘要： 本发明提供一种改善栅源寄生效应的功率放大器，包括输入匹配电路、栅源寄生补偿电路、输出匹配电路和偏置电路，其中，栅源寄生补偿电路用于补偿GaN HEMT自身的栅源寄生效应，使得栅源寄生效应对电路的影响达到最小。相对于现有技术，本发明通过改善GaN HEMT栅源寄生效应的方法来设计功率放大器，减少由于栅源寄生效应产生的输入谐波对于功率放大器的影响，提高整体电路的输出功率和效率。

摘要： 本发明涉及一种微波键合线寄生效应自适应消除系统，包括：测试基板、压控调谐电容、调谐信号控制模块；其中，所述调谐信号控制模块分别连接所述压控调谐电容和测试基板；被测芯片通过键合线与所述测试基板连接；所述调谐信号控制模块根据寄生感抗拟合模型产生调谐控制信号，以消除键合线寄生效应。该系统可广泛应用于微波芯片测试，尤其是亚毫米波、毫米波及更高频段芯片测试。

摘要： 本发明公开了一种带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，包含基于标准BSIM3的LDMOS管，以及分别接在LDMOS源、漏端端的源端电阻、漏端电阻，另外增加一寄生MOS管，其源漏端分别于源端电阻、漏端电阻的剩余一端相连，并引出作为整个等效电路的源极及漏极，LDMOS管得栅极直接引出作为整个等效电路的栅极，寄生MOS管的栅极接一电压控制电压源的正极，电压控制电压源的负极接等效电路的漏极。本发明还公开了所述带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法。

摘要： 本发明公开了一种基于集总元件及其寄生效应实现的小型化微波整流电路，属于无线能量传输领域中的微波整流电路。包含介质基板、设置于介质基板上表面的电路结构、设置于介质基板下表面的金属地板。本发明利用集总参数匹配替代分布式微带枝节匹配，实现了整流电路的小型化设计；同时，为了解决集总元件因其寄生参数影响而在微波频段表现不佳的问题，本发明利用村田电容电感模型在微波频段的寄生效应，实现了电路的高阶谐波抑制功能，不仅减小了寄生效应所带来的负面影响，还改善了整流二极管的电压、电流时域波形，提升了电路的整流效率。

摘要： 本发明公开了一种抑制寄生效应的高级数模拟域TDI电路，包括全差分运放，全差分运放连接采样电容，全差分运放与采样电容之间均设置有换向开关L1，两个换向开关L1之间通过两个换向开关L2连接；采样电容连接VREF和像素单元，全差分运放还连接多个相互并联的电容CH上下极板切换电路。本发明还公开了高级数模拟域TDI电路实现方法。通过引入开关L1与L2将像素单元的输出电压交替为上下极板充电，同时为保证CH中的电荷不会被切换极性之后的输入抵消，加入CH上下极板切换开关，经过开关的控制使得运算放大器的输出呈现高压与低压之间的切换，对于输入输出总线经寄生电容耦合进CH的电荷误差优化有非常显著的效果。

摘要： 本发明公开了一种可消除寄生效应的高级数TDI模拟域电路，该电路通过引入极性切换开关L1与L2将像素单元的输出电压交替为上下极板充电，同时为保证CH中的电荷不会被切换极性之后的输入抵消，遂加入CH上下极板切换开关，经过这些开关的控制使得运算放大器的输出呈现高压与低压之间的切换；在保持阶段引入正反馈电容Cb以抵消寄生电容对于转移电荷产生的损失；本发明还公开了一种可消除寄生效应的高级数TDI模拟域电路的实现方法，通过以上方法消除模拟域累加过程中在采样阶段与保持阶段的寄生影响，大幅度提升模拟域TDI电路的累加精度。