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International Reliability Physics Symposium
International Reliability Physics Symposium
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1.
Write disturb analyses on half-selected cells of cross-point RRAM arrays
机译:
对交叉点RRAM阵列的半选择单元进行写干扰分析
作者:
Li Haitong
;
Chen Hong-Yu
;
Chen Zhe
;
Chen Bing
;
Liu Rui
;
Qiu Gang
;
Huang Peng
;
Zhang Feifei
;
Zizhen Jiang
;
Gao Bin
;
Liu Lifeng
;
Liu Xiaoyan
;
Yu Shimeng
;
Wong H.-S.Philip
;
Kang Jinfeng
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Resistive random access memory (RRAM);
cross-point;
failure;
reliability;
write disturb;
2.
Scaling and reliability of NAND flash devices
机译:
NAND闪存设备的扩展性和可靠性
作者:
Youngwoo Park
;
Jaeduk Lee
;
Seong Soon Cho
;
Gyoyoung Jin
;
Eunseung Jung
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
NAND Flash memory;
planar NAND;
reliability;
scaling down;
vertical NAND;
3.
Study on the Vt variation and bias temperature instability characteristics of TiN/W and TiN metal buried-gate transistor in DRAM application
机译:
TiN / W和TiN金属埋栅晶体管在DRAM中的Vt变化和偏置温度不稳定性的研究
作者:
Jang Tae-Su
;
Kim Kyung-do
;
Min-Soo Yoo
;
Kim Yong-Taik
;
Cha Seon-Yong
;
Jeong Jae-Goan
;
Lee Seok-Hee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
DRAM;
TiN;
TiN/W;
buried-gate (BG);
metal gate;
positive bias temperature instability (PBTI);
4.
Acceleration of chip - Package failures in temperature cycling
机译:
芯片加速-温度循环中的封装故障
作者:
Huitink David
;
Enamul Kabir
;
Rangaraj Sudarshan
;
Lucero Alan
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Package qualification;
organic flip chip components;
thermomechanical reliability;
use conditions;
5.
Energy driven modeling of OFF-state and sub-threshold degradation in scaled NMOS transistors
机译:
缩放NMOS晶体管中关断状态和亚阈值退化的能量驱动建模
作者:
Varghese D.
;
Nandakumar M.
;
Tang S.
;
Reddy V.
;
Krishnan S.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
OFF-state drain stress;
energy-driven hot carrier model;
gate dielectric breakdown;
lateral scaling;
sub-threshold degradation;
universal degradation;
6.
Impact of sum of failure rates (SOFR) model on thermal design in SOC#039;s for next generation game consoles
机译:
故障率总和(SOFR)模型对下一代游戏机SOC的散热设计的影响
作者:
Maitra K.
;
Nguyen T.
;
Langendorf B.
;
Purtell J.
;
Dixit S.
;
Chen S.
;
Liu N.
;
Mccormack M.
;
Gannamani R.
;
Jensen R.
;
Marathe A.
;
Master R.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Game Consoles;
Sum of failure rates (SOFR);
Thermal Design;
User Experience;
7.
Monolithic ESD protection for distributed high speed applications in 28-nm CMOS technology
机译:
单片ESD保护,用于采用28nm CMOS技术的分布式高速应用
作者:
Salcedo Javier A.
;
Parthasarathy Srivatsan
;
Hajjar Jean-Jacques
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
28nm CMOS;
Data Converters;
Monolithic IO ESD Protection;
System-on-a-chip (SoC);
8.
Novel dual direction PNP with self-bias ring structure
机译:
具有自偏置环结构的新型双向PNP
作者:
Tsai Tsung-Che
;
Jam-Wem Lee
;
Ming-Fu Tsai
;
Yi-Feng Chang
;
Shui-Ming Cheng
;
Song Ming-Hsiang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
ESD;
LU;
TCAD;
power clamp;
9.
Dielectric charging characterization in MEMS switches with insulator-insulator contact
机译:
具有绝缘子-绝缘子触点的MEMS开关中的介电充电特性
作者:
Molinero David
;
Cunningham Shawn
;
DeReus Dana
;
Morris Art
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Charging;
Dielectrics;
Micromechanical Devices;
RF MEMS;
Switches;
triboelectric effects;
10.
Impact of SET and RESET conditions on CBRAM high temperature data retention
机译:
SET和RESET条件对CBRAM高温数据保留的影响
作者:
Barci M.
;
Guy J.
;
Molas G.
;
Vianello E.
;
Toffoli A.
;
Cluzel J.
;
Roule A.
;
Bernard M.
;
Sabbione C.
;
Perniola L.
;
De Salvo B.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
CBRAM;
Non-volatile Memory;
Resistive Memory;
data retention;
metal-oxide;
operating conditions;
11.
Circuit speed timing jitter increase in random logic operation after NBTI stress
机译:
NBTI应力后,随机逻辑操作中的电路速度时序抖动增加
作者:
Jiao G.F.
;
Lu J.W.
;
Campbell J.P.
;
Ryan J.T.
;
Cheung K.P.
;
Young C.D.
;
Bersuker G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
12.
The impact of Hot Carrier Injection (HCI) on Voltage Control Oscillator lifetime prediction
机译:
热载流子注入(HCI)对电压控制振荡器寿命预测的影响
作者:
Ho Chih-Hsiang
;
Jenkins Keith A.
;
Ainspan Herschel
;
Ray Emily
;
Peilin Song
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
CVS;
Circuit lifetime;
HCI;
NBTI;
RVS;
Voltage Control Oscillator;
13.
Correlating reliability to yield for liftoff metallization
机译:
将可靠性与成品率关联以进行剥离金属化
作者:
Roesch William J.
;
Hamada Dorothy June M.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
acceleration;
defects;
detection;
14.
Current collapse in GaN heterojunction field effect transistors for high-voltage switching applications
机译:
用于高压开关应用的GaN异质结场效应晶体管中的电流崩溃
作者:
Joh Jungwoo
;
Tipirneni Naveen
;
Pendharkar Sameer
;
Krishnan Srikanth
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
GaN;
current collapse;
hard switching;
impact ionization;
power device;
reliability;
soft switching;
trapping;
15.
Tunneling currents and reliability of atomic-layer-deposited SiBCN for low-#x03BA; spacer dielectrics
机译:
低κ间隔基电介质的原子层沉积SiBCN的隧道电流和可靠性
作者:
Southwick R.G.
;
Sathiyanarayanan R.
;
Bajaj M.
;
Mehta S.
;
Yamashita T.
;
Gundapaneni S.
;
Pandey R.K.
;
Wu E.
;
Murali K.V.R.M.
;
Cohen S.
;
Stathis J.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
MOS cap;
SiBCN;
TDDB;
reliability;
silicon nitride;
16.
Low-field TDDB reliability data to enable accurate lifetime predictions
机译:
低场TDDB可靠性数据可实现准确的寿命预测
作者:
Liniger E.G.
;
Cohen S.A.
;
Bonilla G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Acceleration model;
Low-field;
TDDB;
17.
Effect of line-overlay and via-misalignment on dielectric reliability for different patterning schemes
机译:
线路重叠和通孔未对准对不同构图方案的介电可靠性的影响
作者:
Croes Kristof
;
Ciofi Ivan
;
Kocaay Deniz
;
Tokei Zsolt
;
Bommels Jurgen
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Damascene Cu/low-k;
Monte Carlo simulations;
line-overlay;
time dependent dielectric breakdown;
via-misalignment;
18.
High-voltage double-pulsed measurement system for GaN-based power HEMTs
机译:
GaN基功率HEMT的高压双脉冲测量系统
作者:
Bisi D.
;
Stocco A.
;
Meneghini M.
;
Rampazzo F.
;
Cester A.
;
Meneghesso G.
;
Zanoni E.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Double-Pulse;
GaN;
High-Voltage;
Power HEMTs;
Transient;
19.
Frequency dependence of TDDB amp; PBTI with OTF monitoring methodology in high-k/metal gate stacks
机译:
高k /金属栅叠层中采用OTF监控方法的TDDB和PBTI的频率依赖性
作者:
Bezza A.
;
Rafik M.
;
Roy D.
;
Federspiel X.
;
Mora P.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
High-k;
Reliability;
TDDB;
breakdown;
dielectric;
metal gate;
trapping;
20.
Reliability investigation of T-RAM cells for DRAM applications
机译:
用于DRAM应用的T-RAM单元的可靠性调查
作者:
Mulaosmanovic Halid
;
Paolucci Giovanni M.
;
Monzio Compagnoni Christian
;
Castellani Niccolo
;
Carnevale Gianpietro
;
Fantini Paolo
;
Ventrice Domenico
;
Vigano Sara
;
Conti Anna M.
;
Righetti Niccolo
;
Spinelli Alessandro S.
;
Lacaita Andrea L.
;
Benvenuti Augusto
;
Grossi Alessandro
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
T-RAM;
forward-breakover;
gated-thyristors;
nanoscale semiconductor devices;
semiconductor-device modeling;
21.
Energy control paradigm for compliance-free reliable operation of RRAM
机译:
能源控制范例可确保RRAM可靠运行
作者:
Shrestha P.R.
;
Nminibapiel D.
;
Kim J-H.
;
Campbell J.P.
;
Cheung K.P.
;
Deora S.
;
Bersuker G.
;
Baumgart H.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
RRAM;
current compliance;
pulsed forming;
reliability;
22.
Analysis of the reliability impact on high-k metal gate SRAM with assist-circuit
机译:
辅助电路对高k金属栅极SRAM可靠性影响的分析
作者:
Chiu Y.T.
;
Wang Y.F.
;
Lee Y.-H.
;
Liang Y.C.
;
Wang T.C.
;
Wu S.Y.
;
Hsieh C.C.
;
Wu K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Assist Circuit;
HTOL;
Reliability;
SRAM;
Vmin;
23.
Preventing single event latchup with deep P-well on P-substrate
机译:
使用P衬底上的深P阱防止单事件闩锁
作者:
Uemura T.
;
Kato T.
;
Tanabe R.
;
Iwata H.
;
Matsuyama H.
;
Hashimoto M.
;
Takahisa K.
;
Fukuda M.
;
Hatanaka K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Deep-well;
Double-well;
Latchup;
Neutorn;
SRAM;
Single Event;
Single Event Latchup (SEL);
Soft-error;
Terrestial environment;
Triple-well;
24.
Combined Ramp Voltage Stress and Constant Voltage Stress for optimal BTI voltage acceleration and lifetime modeling
机译:
组合的斜坡电压应力和恒定电压应力可实现最佳的BTI电压加速和寿命建模
作者:
Linder Barry P.
;
Ando Takashi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Accelerated aging;
High-K gate dielectric;
NBTI;
PBTI;
Semiconductor device reliability;
25.
Comprehensive study of NBTI under compressive and tensile strain
机译:
NBTI压缩应变和拉伸应变的综合研究
作者:
Wangran Wu
;
Chang Liu
;
Jiabao Sun
;
Yi Shi
;
Yi Zhao
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Strained Si;
compressive strain;
negative bias temperature instability (NBTI);
pMOSFETs;
tensile strain;
26.
Mechanical stress effects on p-channel MOSFET performance and NBTI reliability
机译:
机械应力对p沟道MOSFET性能和NBTI可靠性的影响
作者:
Ioannou Dimitris P.
;
La Rosa Giuseppe
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
High-k dielectrics;
MOSFET;
Mechanical Stress;
NBTI;
SOI;
Through-Silicon-Via (TSV);
27.
Investigation of vacancy diffusion path for stress migration failure mode in highly scaled Cu/low-k interconnects
机译:
大规模Cu / low-k互连中应力迁移失效模式的空位扩散路径研究
作者:
Chen S.-F.
;
Lu Y.R.
;
Lin J.H.
;
Lee Y.-H.
;
Chang H.C.
;
Wang Y.C.
;
Li Hui.
;
Lee S.Y.
;
Chiu C.C.
;
Wu K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
SIV;
SM;
Stress migration;
stress induced voiding;
vacancy diffusion;
28.
Package reliability and performance trends in an era of product integration
机译:
产品集成时代的包装可靠性和性能趋势
作者:
Jun He
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
geometric scaling;
knowledge based qualification;
reliability modeling;
system use conditions;
29.
New methodology for drift analysis on reliability trial
机译:
可靠性试验中漂移分析的新方法
作者:
De Tomasi M.
;
Vaion R.Enrici
;
Cola L.
;
Zabberoni P.
;
Mervic A.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Drift analysis;
reliability;
robust validation;
30.
65 nm fault tolerant latch architecture based on transient propagation blocking
机译:
基于瞬态传播阻塞的65 nm容错锁存器架构
作者:
Glorieux Maximilien
;
Clerc Sylvain
;
Gasiot Gilles
;
Autran Jean-Luc
;
Roche Philippe
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
31.
Energy-driven Hot-Carrier model in advanced nodes
机译:
先进节点中能量驱动的热载流子模型
作者:
Arfaoui W.
;
Federspiel X.
;
Mora P.
;
Monsieur F.
;
Cacho F.
;
Roy D.
;
Bravaix A.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Bias Temperature Instability (BTI);
HC modeling;
Hot-Carrier Injections (HCI);
32.
Model based method for electro-migration stress determination in interconnects
机译:
基于模型的互连中电迁移应力确定方法
作者:
Demircan Ertugrul
;
Shroff Mehul
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
electromigration;
electromigration risk;
electromigration stress;
33.
Modeling the threshold voltage instability in SiC MOSFETs at high operating temperature
机译:
对高工作温度下SiC MOSFET的阈值电压不稳定性进行建模
作者:
Kikuchi Takuo
;
Ciappa Mauro
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Silicon Carbide MOS;
TCAD model;
gate bias stress;
phonon-assisted tunneling;
threshold voltage instability;
34.
Simulation-based reliability evaluation for analog applications
机译:
针对模拟应用的基于仿真的可靠性评估
作者:
Weber Eduard
;
Echtle Klaus
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Fault simulation;
electronic design automation (EDA);
fault injection;
fault modeling;
reliability analysis;
35.
AAS-Maps: Aging-aware sensitivity-maps for reliability driven analog circuit design
机译:
AAS-Maps:老化感知灵敏度图,用于可靠性驱动的模拟电路设计
作者:
Hellwege Nico
;
Heidmann Nils
;
Peters-Drolshagen Dagmar
;
Paul Steffen
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Aging;
Analog;
BTI;
Degradation;
HCI;
Reliability;
Sensitivity;
36.
Modeling of crystallization kinetics in phase change memories for set and read disturb regimes
机译:
针对设置和读取干扰机制的相变存储器中的结晶动力学建模
作者:
Ciocchini Nicola
;
Ielmini Daniele
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Phase change memory;
crystallization kinetics;
read disturb;
set transition model;
37.
BTI recovery in 22nm tri-gate technology
机译:
22nm三栅极技术中的BTI恢复
作者:
Ramey S.
;
Hicks J.
;
Liyanage L.S.
;
Novak S.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
38.
Instability of HfO
2
RRAM devices: Comparing RTN and cycling variability
机译:
HfO
2 inf> RRAM设备的不稳定性:比较RTN和循环变异性
作者:
Puglisi F.M.
;
Larcher L.
;
Pavan P.
;
Padovani A.
;
Bersuker G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Cycling;
FHMM;
RRAM;
RTN;
Resistive Switching;
Variability;
39.
Mission Profiles derived from lifetests and field return data using inverse problem theory
机译:
使用反问题理论从寿命测试和现场返回数据得出的任务概况
作者:
Liang Zhongning
;
Kho Ramun M.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Weibull statistics;
failure rate;
inverse problem theory;
mission profiles;
risk assessment;
40.
Voltage Ramp Stress Test to determine TDDB performance in SRAM vehicle
机译:
电压斜坡压力测试可确定SRAM车辆中的TDDB性能
作者:
Ahn Jae-Gyung
;
Parameswaran Suresh
;
Tsaggaris Dean
;
Chien-Wei Ku
;
Ping-Chin Yeh
;
Chang Jonathan
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Hi-K dielectric;
Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB);
Voltage Ramp Stress Test (VRST);
effective gate current;
failure criterion;
progressive breakdown;
standby current;
41.
SILC and gate oxide breakdown characterization of 22nm tri-gate technology
机译:
22nm三栅极技术的SILC和栅极氧化物击穿特性
作者:
Ramey S.
;
Hicks J.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
FinFET;
SILC;
TDDB;
reliability;
tri-gate;
42.
Fast aging degradation rate prediction during production test
机译:
在生产测试中快速预测老化率
作者:
Wang Xiaoxiao
;
Winemberg LeRoy
;
Haggag Amr
;
Chayachinda Joe
;
Saluja Amandeep
;
Tehranipoor Mohammad
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Aging Test;
NBTI;
on-chip sensor;
style;
styling;
43.
Stacked-etch induced charge loss in Hybrid Floating Gate cells using high-#x03BA; Inter-Gate Dielectric
机译:
使用高κ门间介电层在混合浮栅单元中堆叠蚀刻引起的电荷损失
作者:
Zahid M.B.
;
Breuil L.
;
Degraeve R.
;
Blomme P.
;
Tan C.-L.
;
Lisoni J.G.
;
Van den bosch G.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Alinf2/infOinf3/inf;
Gate Side-Trap Spectroscopy by Charge Injection and Sensing;
HfAlO;
Hybrid floating gate;
Post-Program Discharge;
capacitor;
cells;
charge loss;
stacked etch;
44.
Investigation of random telegraph noise amplitudes in hafnium oxide resistive memory devices
机译:
氧化ha电阻存储设备中随机电报噪声幅度的研究
作者:
Chung Y.T.
;
Liu Y.H.
;
Su P.C.
;
Cheng Y.H.
;
Tahui Wang
;
Chen M.C.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
RRAM;
RTN amplitudes;
statistical characterization;
trap position;
45.
I/O design optimization flow for reliability in advanced CMOS nodes
机译:
I / O设计优化流程,确保高级CMOS节点的可靠性
作者:
Cacho F.
;
Gupta A.
;
Aggarwal A.
;
Madan G.
;
Bansal N.
;
Rizvi M.
;
Huard V.
;
Garg P.
;
Arnaud C.
;
Delater R.
;
Roma C.
;
Ripp A.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Automated sizing for reliability;
Design-in-Reliability Simulation;
Hot Carrier Injection Degradation;
I/O Reliability;
46.
Re-investigating the adequacy of projecting ring oscillator frequency shift from device level degradation
机译:
重新研究从设备级劣化中投射环形振荡器频率偏移的适当性
作者:
Huang Y.-C.
;
Yew T.-Y.
;
Hsieh M.-H.
;
Misra A.
;
Wang W.
;
Lee Y.-H.
;
Shih J.R.
;
Wu K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Aging model;
Ring Oscillator;
frequency;
47.
Origin of the endurance degradation in the novel HfO
2
-based 1T ferroelectric non-volatile memories
机译:
新型基于HfO
2 inf>的1T铁电非易失性存储器中耐久力下降的根源
作者:
Yurchuk Ekaterina
;
Mueller Stefan
;
Martin Dominik
;
Slesazeck Stefan
;
Schroeder Uwe
;
Mikolajick Thomas
;
Muller Johannes
;
Paul Jan
;
Hoffmann Raik
;
Sundqvist Jonas
;
Schlosser Till
;
Boschke Roman
;
van Bentum Ralf
;
Trentzsch Martin
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
FeFET;
HfOinf2/inf;
MFIS-FET;
degradation mechanisms;
endurance;
ferroelectric;
non-volatile memory;
48.
28nm advanced CMOS resistive RAM solution as embedded non-volatile memory
机译:
28nm先进CMOS电阻RAM解决方案作为嵌入式非易失性存储器
作者:
Benoist A.
;
Blonkowski S.
;
Jeannot S.
;
Denorme S.
;
Damiens J.
;
Berger J.
;
Candelier P.
;
Vianello E.
;
Grampeix H.
;
Nodin J.F.
;
Jalaguier E.
;
Perniola L.
;
Allard B.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
HRS dispersion;
HfOinf2/inf;
ReRAM;
SET/RESET;
demonstrator;
tunnel current;
49.
Measuring propagation delays of critical paths using time-resolved LADA
机译:
使用时间分辨LADA测量关键路径的传播延迟
作者:
Erington K.
;
Bodoh D.
;
Serrels K.A.
;
Nemirow C.
;
Leslie N.
;
Lundquist T.R.
;
Vedagarbha P.
;
Farrell C.
;
Reid D.T.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Design Debug;
Failure Analysis;
Laser-Assisted Device Alteration (LADA);
Logic Transition Waveforms;
50.
Analysis of reliability/performance trade-off in Solid State Drives
机译:
固态硬盘的可靠性/性能折衷分析
作者:
Zuolo Lorenzo
;
Zambelli Cristian
;
Micheloni Rino
;
Bertozzi Davide
;
Olivo Piero
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
51.
Improvement on CDM ESD robustness of high-voltage tolerant nLDMOS SCR devices by using differential doped gate
机译:
通过使用差分掺杂栅极改善耐高压nLDMOS SCR器件的CDM ESD鲁棒性
作者:
Chen S.-H.
;
Linten D.
;
Scholz M.
;
Hellings G.
;
Boschke R.
;
Groeseneken G.
;
Huang Y.-C.
;
Ker M.-D.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Electrostatic Discharge (ESD);
gate oxide reliability;
high-voltage tolerant (HVT) devices;
laterally diffused nMOS (nLDMOS);
transmission line pulsing (TLP) system;
very fast TLP system (VFTLP);
52.
Scaling effects on microstructure and electromigration reliability for Cu and Cu(Mn) interconnects
机译:
结垢对Cu和Cu(Mn)互连微结构和电迁移可靠性的影响
作者:
Cao Linjun
;
Zhang Lijuan
;
Ho Paul S.
;
Justison Patrick
;
Hauschildt Meike
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
CuMn;
diffusivity;
electromigration;
microstructure;
resistance traces;
scaling;
53.
The physical mechanism investigation of AC TDDB behavior in advanced gate stack
机译:
高级门堆栈中AC TDDB行为的物理机制研究
作者:
Chen C.L.
;
Chang S.W.
;
Chen S.C.
;
Lee Y.-H.
;
Lee Y.W.
;
Huang D.S.
;
Shih J.R.
;
Wu K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
AC TDDB;
bipolar;
de-trap;
lifetime;
unipolar;
54.
HCI/BTI coupled model: The path for accurate and predictive reliability simulations
机译:
HCI / BTI耦合模型:准确而可预测的可靠性仿真的途径
作者:
Cacho F.
;
Mora P.
;
Arfaoui W.
;
Federspiel X.
;
Huard V.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Bias Temperature Instability;
Design-in-Reliability Simulation;
Hot Carrier Injection Degradation;
Interaction between Mechanisms;
Reliability;
55.
Impact of electrode nature on the filament formation and variability in HfO
2
RRAM
机译:
电极性质对HfO
2 inf> RRAM中细丝形成和变异性的影响
作者:
Traore B.
;
Blaise P.
;
Vianello E.
;
Jalaguier E.
;
Molas G.
;
Nodin J.F.
;
Perniola L.
;
De Salvo B.
;
Nishi Y.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Forming voltage;
Frenkel pair (FP);
HfOinf2/inf;
ab initio calculations;
56.
In situ biasing TEM investigation of resistive switching events in TiO
2
-based RRAM
机译:
TiO
2 inf>基RRAM中电阻开关事件的原位偏置TEM研究
作者:
Jonghan Kwon
;
Picard Yoosuf N.
;
Skowronski Marek
;
Sharma Abhishek A.
;
Bain James A.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
57.
High-speed pulsed-hysteresis-latch design for improved SER performance in 20 nm bulk CMOS process
机译:
高速脉冲磁滞锁存设计可在20 nm批量CMOS工艺中提高SER性能
作者:
Narasimham Balaji
;
Chandrasekharan Karthik
;
Wang Jung K.
;
Djaja Gregory
;
Gaspard Nelson J.
;
Mahatme Nihaar N.
;
Assis Thiago R.
;
Bhuva Bharat L.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
SER;
Single-event;
alpha;
flip-flop;
hardening-by-design;
hysteresis;
latch;
neutron;
pulsed-latch;
soft error;
58.
Threshold voltage instabilities in D-mode GaN HEMTs for power switching applications
机译:
用于电源开关应用的D型GaN HEMT中的阈值电压不稳定性
作者:
Meneghesso G.
;
Silvestri R.
;
Meneghini M.
;
Cester A.
;
Zanoni E.
;
Verzellesi G.
;
Pozzovivo G.
;
Lavanga S.
;
Detzel T.
;
Haberlen O.
;
Curatola G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
59.
Electrical characterization and reliability analysis of Al
2
O
3
/AlGaN/GaN MISH structure
机译:
Al
2 inf> O
3 inf> / AlGaN / GaN MISH结构的电学表征和可靠性分析
作者:
Jiechen Wu
;
Xiaoxing Lu
;
Shenglin Ye
;
Park Jinhee
;
Streit Dwight
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
GaN MISH capacitors;
dielectric breakdown;
interface states and tunneling mechanisms;
reliability;
60.
On the prediction of optimal baking schedules in plastic SMD microelectronic devices
机译:
关于塑料SMD微电子器件中最佳烘烤时间表的预测
作者:
Lee Kheng Chooi
;
Alpern Peter
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
moisture concentration;
moisture diffusion;
moisture sensitivity;
61.
Component and system effective lifetime amp; FIT model in advanced technology
机译:
先进技术中的组件和系统有效寿命和FIT模型
作者:
Lee J.K.Jerry
;
Haggag Amr
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
62.
Imaging and nanoprobing of graphene layers on Ni damascene interconnects by conductive atomic force microscopy
机译:
通过导电原子力显微镜对镍镶嵌互连上的石墨烯层进行成像和纳米探测
作者:
Zhang Li
;
Ishikura Taishi
;
Wada Makoto
;
Katagiri Masayuki
;
Nishide Daisuke
;
Matsumoto Takashi
;
Sakuma Naoshi
;
Kajita Akihiro
;
Sakai Tadashi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
2D-imaging;
BSE;
C-AFM;
CVD;
MLG;
Ni;
Raman;
Resistance;
SEM;
damascene;
graphene;
interconnect;
63.
Voltage pulse stress effect on gate stack TDDB distributions at nanometric scale: Consequence on aging by ESD
机译:
电压脉冲应力对纳米级栅堆叠TDDB分布的影响:ESD老化的后果
作者:
Foissac R.
;
Blonkowski S.
;
Gros-Jean M.
;
Kogelschatz M.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
64.
Soft error rate comparison of various hardened and non-hardened flip-flops at 28-nm node
机译:
28 nm节点处各种硬化和非硬化触发器的软错误率比较
作者:
Gaspard N.
;
Jagannathan S.
;
Diggins Z.J.
;
Mahatme N.N.
;
Loveless T.D.
;
Bhuva B.L.
;
Massengill L.W.
;
Holman W.T.
;
Narasimham B.
;
Oates A.
;
Marcoux P.
;
Tam N.
;
Vilchis M.
;
Wen S.-J.
;
Wong R.
;
Xu Y.Z.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
flip-flop;
single-event upset;
soft error;
65.
SER/SEL performances of SRAMs in UTBB FDSOI28 and comparisons with PDSOI and BULK counterparts
机译:
UTBB FDSOI28中SRAM的SER / SEL性能以及与PDSOI和BULK同类产品的比较
作者:
Gasiot Gilles
;
Soussan Dimitri
;
Glorieux Maximilien
;
Bottoni Cyril
;
Roche Philippe
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Fully Depleted SOI;
SER;
Soft Error Rate;
UTBB;
66.
Frequency dependence of NBTI in high-k/metal-gate technology
机译:
高k /金属栅技术中NBTI的频率依赖性
作者:
Hsieh M.-H.
;
Maji D.
;
Huang Y.-C.
;
Yew T.-Y.
;
Wang W.
;
Lee Y.-H.
;
Shih J.R.
;
Wu K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
High-K;
Negative Bias Temperature Instability;
Random Telegraph Noise;
Reliability;
67.
Process dependence of AC/DC PBTI in HKMG n-MOSFETs
机译:
HKMG n-MOSFET中AC / DC PBTI的工艺依赖性
作者:
Liu W.
;
La Rosa G.
;
Tian C.
;
Boffoli S.
;
Guarin F.
;
Lai W.L.
;
Narayanan V.
;
Kothari H.
;
Jin M.
;
Uppal S.
;
McMahon W.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
68.
Diagnosing bias runaway in analog/mixed signal circuits
机译:
诊断模拟/混合信号电路中的偏置失控
作者:
Sutaria Ketul B.
;
Ren Pengpeng
;
Ramkumar Athul
;
Rongjun Zhu
;
Xixiang Feng
;
Wang Runsheng
;
Huang Ru
;
Cao Yu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Analog and Mixed Signal aging;
Bias Runaway;
CHC;
Simulation Methodology;
69.
New insights about oxide breakdown occurrence at circuit level
机译:
关于在电路级发生氧化物击穿的新见解
作者:
Saliva M.
;
Cacho F.
;
Huard V.
;
Angot D.
;
Federspiel X.
;
Durand M.
;
Parra M.
;
Bravaix A.
;
Anghel L.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
BTI;
compact model;
digital circuit;
oxide breakdown;
reliability;
70.
CMOS image sensor: Process impact on dark current
机译:
CMOS图像传感器:工艺对暗电流的影响
作者:
Carrere J-P
;
Place S.
;
Oddou J-P
;
Benoit D.
;
Roy F.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Blemish pixel;
CMOS Image sensor;
Dark current;
Deep UV;
Holes collection pixel;
Interface states engineering;
P-type pixel;
Plasma Induced Damage;
SRH generation;
71.
Reset-induced variability of retention characteristics in phase change memory (PCM)
机译:
复位引起的相变存储器(PCM)保持特性的可变性
作者:
Rizzi M.
;
Ciocchini N.
;
Montefiori A.
;
Ferro M.
;
Lacaita A.L.
;
Fantini P.
;
Ielmini D.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Monte-Carlo modelling;
PCM;
Phase change memory;
array statistics;
crystallization;
non-volatile memory;
reliability;
retention;
72.
Mechanical stability of Cu/low-k BEOL interconnects
机译:
Cu / low-k BEOL互连的机械稳定性
作者:
Gonzalez Mario
;
Vanstreels Kris
;
Cherman Vladimir
;
Croes Kristof
;
Kljucar Luka
;
De Wolf Ingrid
;
Tokei Zsolt
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
BABSI;
Back-end-of-line;
Finite Element Modeling;
VCCT;
stress sensor;
73.
Effects of various assembly and reliability stresses on chip to package interaction
机译:
各种组装和可靠性应力对芯片与封装相互作用的影响
作者:
Rao Shiguo
;
Lin Li
;
Xu Xiaopeng
;
Deng Bei
;
Borges Ricardo
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Chip Package Interaction (CPI);
Reliaility;
Stress;
74.
Mass transport-induced failure in direct copper (Cu) bonding interconnects for 3-D integration
机译:
用于3-D集成的直接铜(Cu)键互连中传质引起的故障
作者:
Moreau S.
;
Beilliard Y.
;
Coudrain P.
;
Bouchu D.
;
Taibi R.
;
Di Cioccio L.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Black#039;
s law;
Direct copper bonding;
copper;
electromigration;
failure analyses;
75.
(CD-5) TDDB breakdown of th-SiO
2
on 4H-SiC: 3D SEM failure analysis
机译:
(CD-5)在4H-SiC上th-SiO
2 inf>的TDDB击穿:3D SEM失效分析
作者:
Hayashi M.
;
Tanaka K.
;
Hata H.
;
Sorada H.
;
Kanzawa Y.
;
Sawada K.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
76.
New circuit model for investigating plasma damage in FDSOI devices
机译:
用于研究FDSOI装置中等离子体损坏的新电路模型
作者:
Akbal M.
;
Ribes G.
;
Poiroux T.
;
Carrere J-P.
;
Vallier L.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
FDSOI devices;
High-k;
charging;
plasma induced damage;
threshold voltage shift;
77.
Voltage-dependent random telegraph noise (RTN) in HfO
x
resistive RAM
机译:
HfO
x inf>电阻RAM中与电压有关的随机电报噪声(RTN)
作者:
Balatti Simone
;
Ambrogio Stefano
;
Cubeta Antonio
;
Calderoni Alessandro
;
Ramaswamy Nirmal
;
Ielmini Daniele
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Resistive switching memory (RRAM);
current fluctuation;
random telegraph noise;
78.
Heavy-ion induced single event upsets in phase-change memories
机译:
重离子诱导的相变存储器中的单事件翻转
作者:
Gerardin S.
;
Bagatin M.
;
Paccagnella A.
;
Visconti A.
;
Bonanomi M.
;
Beltrami S.
;
Frost C.
;
Ferlet-Cavrois V.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
79.
Defects characterization of Hybrid Floating Gate/Inter-Gate Dielectric interface in Flash memory
机译:
闪存中混合浮栅/门间介电接口的缺陷表征
作者:
Zahid M.B.
;
Degraeve R.
;
Breuil L.
;
Blomme P.
;
Lisoni J.G.
;
Van den bosch G.
;
Van Houdt J.
;
Tang B.J.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Alinf2/infOinf3/inf;
Defects characterization;
Flash Memory;
Gate- Side Trap Spectroscopy by Charge Injection and Sensing (TSCIS);
HfAlO;
Hybrid Floating Gate;
Instability;
Inter-Gate Dielectric;
Interface Characterization by Programming and Sensing (ICPS);
80.
Study on vertical TDDB degradation mechanism and its relation to lateral TDDB in Cu/low-k damascene structures
机译:
Cu /低k大马士革结构中垂直TDDB降解机理及其与横向TDDB关系的研究
作者:
Suzumura N.
;
Ogasawara M.
;
Furuhashi T.
;
Koyama T.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Cu barrier dielectric;
Cu/low-k;
Time-Dependent Dielectric Breakdown;
inter-level TDDB(vertical TDDB, VTDDB);
inter-metal low-k dielectric;
intra-level TDDB(lateral TDDB, LTDDB);
porous-SiOC;
81.
Guidelines for reducing NBTI based on its correlation with effective work function studied by CV-BTI on high-k first MOS capacitors with slant-etched SiO
2
机译:
基于CV-BTI在倾斜蚀刻的SiO
2 inf>的高k第一MOS电容器上研究基于NBTI与有效功函数的相关性的降低NBTI的指南
作者:
Arimura H.
;
Ragnarsson L.-A.
;
Schram T.
;
Albert J.
;
Kaczer B.
;
Degraeve R.
;
Bury E.
;
Aoulaiche M.
;
Kauerauf T.
;
Thean A.
;
Horiguchi N.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Effective Work Function (EWF) roll-off;
Negative Bias Temperature Instability (BTI);
channel doping density;
scavenging;
slant-etched SiOinf2/inf;
82.
Error-resilient design techniques for reliable and dependable computing
机译:
防错设计技术,可实现可靠可靠的计算
作者:
Das Shidhartha
;
Bull David
;
Whatmough Paul
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Reliable and Robust operation;
Temporal Redundancy;
Variability-tolerant design;
83.
Effects of sidewall scallops on open tungsten TSVs
机译:
侧壁扇贝对开放钨TSV的影响
作者:
Filipovic L.
;
de Orio R.L.
;
Selberherr S.
;
Singulani A.
;
Roger F.
;
Minixhofer R.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
84.
Impacts of Cu contamination in 3D integration process on memory retention characteristics in thinned DRAM chip
机译:
3D集成过程中的铜污染对减薄的DRAM芯片的存储器保留特性的影响
作者:
Lee Kangwook
;
Tanikawa Seiya
;
Naganuma Hideki
;
Bea Jichel
;
Murugesan Mariappine
;
Fukushima Takafumi
;
Tanaka Tetsu
;
Koyanagi Mitsumasa
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
3D DRAM;
Capacitance-time (C-t);
Cu TSV;
Cu diffusion;
charge carrier lifetime;
retention time;
85.
Origin and implications of hot carrier degradation of Gate-all-around nanowire III#x2013;V MOSFETs
机译:
全方位栅纳米线III–V MOSFET热载流子降解的起源及其影响
作者:
Shin SangHoon
;
Wahab Muhammad A.
;
Masuduzzaman Muhammad
;
Si Mengwei
;
Gu Jiangjiang
;
Ye P.D.
;
Alam Muhammad A.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Gate-all around nanowire MOSFET;
charge trapping;
hot carrier;
interface charge;
multi-gate FET;
reliability;
86.
Dynamic off-state TDDB of ultra short channel HKMG nFETS and its implications on CMOS logic reliability
机译:
超短通道HKMG nFET的动态断态TDDB及其对CMOS逻辑可靠性的影响
作者:
Kupke S.
;
Knebel S.
;
Rahman S.
;
Slesazeck S.
;
Mikolajick T.
;
Mikolajick T.
;
Agaiby R.
;
Trentzsch M.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
BTI;
CMOS;
TDDB;
logic circuits;
off-state;
reliability;
87.
Non-Monte-Carlo methodology for high-sigma simulations of circuits under workload-dependent BTI degradation#x2014;Application to 6T SRAM
机译:
用于非工作量依赖的BTI退化的电路的高σ仿真的非蒙特卡洛方法—在6T SRAM中的应用
作者:
Weckx P.
;
Kaczer B.
;
Kukner H.
;
Roussel J.
;
Raghavan P.
;
Catthoor F.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Bias temperature instability;
Monte Carlo;
SRAM;
response surface;
simulation methodology;
statistical propagation;
time dependent variability;
88.
An LDMOS hot carrier model for circuit reliability simulation
机译:
用于电路可靠性仿真的LDMOS热载流子模型
作者:
Sasse Guido T.
;
Claes Jan A.M.
;
De Vries Bart
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
LDMOS;
Reliability simulation;
hot carrier degradation;
89.
Impact of technology scaling on the combinational logic soft error rate
机译:
技术扩展对组合逻辑软错误率的影响
作者:
Mahatme N.N.
;
Gaspard N.J.
;
Assis T.
;
Jagannathan S.
;
Chatterjee I.
;
Loveless T.D.
;
Bhuva B.L.
;
Massengill L.W.
;
Wen S.J.
;
Wong R.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Combinational logic;
Technology scaling Soft errors;
frequency;
technology scaling;
90.
Sensitivity of NOR Flash memories to wide-energy spectrum neutrons during accelerated tests
机译:
NOR Flash存储器在加速测试中对宽能谱中子的敏感性
作者:
Bagatin M.
;
Gerardin S.
;
Paccagnella A.
;
Visconti A.
;
Chiavarone L.
;
Calabrese M.
;
Frost C.D.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Error Correction Codes;
Floating-gate Cells;
Neutrons;
Soft Errors;
91.
Correlation of BTI induced device parameter degradation and variation in scaled Metal Gate / High-k CMOS technologies
机译:
BTI诱发的器件参数退化与比例金属栅/高k CMOS技术中变化的相关性
作者:
Kerber A.
;
Nigam T.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
BTI variability;
CMOS;
SRAM;
high-k dielectrics;
metal gate;
92.
Enhancement of V
th
drift for repetitive gate stress pulses due to charge feedback effect in GaN MIS-HEMTs
机译:
由于GaN MIS-HEMT中的电荷反馈效应,重复栅极应力脉冲的V
inf>漂移增强
作者:
Lagger P.
;
Ostermaier C.
;
Pogany D.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
AlGaN;
Coulomb charging;
GaN;
MIS-HEMT;
bilayer gate stack;
capture emission time map;
charge feedback mechanism;
forward gate bias stress;
repetitive stress pulses;
threshold voltage drift;
93.
Threshold voltage drift (PBTI) in GaN D-MODE MISHEMTs: Characterization of fast trapping components
机译:
GaN D-MODE MISHEMT中的阈值电压漂移(PBTI):快速捕获组件的表征
作者:
Lansbergen G.P.
;
Wong K.Y.
;
Lin Y.S.
;
Yu J.L.
;
Yang F.J.
;
Tsai C.L.
;
Oates A.S.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
GaN;
MISHEMT;
VinfTH/inf shift;
fast traps;
94.
Universal NBTI model and its application for high frequency circuit simulation
机译:
通用NBTI模型及其在高频电路仿真中的应用
作者:
Ma C.
;
Mattausch H.J.
;
Miura-Mattausch M.
;
Matsuzawa K.
;
Hoshida T.
;
Imade M.
;
Koh R.
;
Arakawa T.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
HiSIM model;
NBTI;
circuit simulation;
hole trapping;
interface-state generation;
95.
N-contacts degradation analysis of white flip chip LEDs during reliability tests
机译:
可靠性测试期间白色倒装芯片LED的N触点退化分析
作者:
Hamon B.
;
Bataillou B.
;
Hamon B.
;
Mendizabal L.
;
Gasse A.
;
Feuillet G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
LED;
contacts;
intermetallic;
reliability;
96.
Adaptive grinding and polishing of packaged integrated circuits
机译:
封装集成电路的自适应研磨和抛光
作者:
Chivas Robert
;
Silverman Scott
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
circuit edit;
failure analysis;
grinding;
optical probing;
polishing;
preparation;
silicon;
97.
Experimental validation of self-heating simulations and projections for transistors in deeply scaled nodes
机译:
深度缩放节点中晶体管的自热模拟和投影的实验验证
作者:
Bury E.
;
Kaczer B.
;
Roussel P.
;
Ritzenthaler R.
;
Raleva K.
;
Vasileska D.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
EKV;
FinFET;
SHE;
reliability;
self-heating;
98.
On electron-trap transformation and its unexpected frequency dependence under dynamic positive-bias temperature stressing
机译:
动态正偏压温度应力下电子陷阱的转换及其与频率的非预期关系
作者:
Tung Z.Y.
;
Ang D.S.
;
Gao Y.
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2014年
关键词:
Bias temperature instability (BTI);
high-k/metal gate stack;
oxide defects;
oxide trapped charge;
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