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2010 IEEE International Electron Devices Meeting
2010 IEEE International Electron Devices Meeting
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1.
Versatile silicon photodiode detector technology for scanning electron microscopy with high-efficiency sub-5 keV electron detection
机译:
多功能硅光电二极管检测器技术,用于扫描电子显微镜,具有低于5keV的高效电子检测能力
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
2.
Integration of organic photovoltaic and thermoelectric hybrid module for energy harvesting applications
机译:
集成有机光伏和热电混合模块,用于能量收集应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
3.
New observations of suppressed randomization in LER/LWR of Si nanowire transistors: Experiments and mechanism analysis
机译:
Si纳米线晶体管的LER / LWR受抑制随机化的新观察:实验和机理分析
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
4.
Ultra-thin chip technology for system-in-foil applications
机译:
超薄芯片技术,用于系统级应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
5.
Engineered substrates for future More Moore and More than Moore integrated devices
机译:
面向未来的摩尔基和摩尔基集成器件以外的工程衬底
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
6.
Abnormal slow recovery characteristic of La-doped HfSiO
x
n-MOSFET bias-temperature instability
机译:
掺La的HfSiO
x inf> n-MOSFET偏置温度不稳定性的异常缓慢恢复特性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
7.
Large signal substrate modeling in RF SOI technologies
机译:
RF SOI技术中的大信号基板建模
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
8.
FinFET compact modelling for analogue and RF applications
机译:
用于模拟和RF应用的FinFET紧凑模型
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
9.
Physical origin of pFET threshold voltage modulation by Ge channel ion implantation (GC-I/I)
机译:
通过Ge通道离子注入(GC-I / I)进行pFET阈值电压调制的物理起源
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
10.
Preparation of epitaxial HfO
2
film (EOT=0.5 nm) on Si substrate using atomic-layer deposition of amorphous film and rapid thermal crystallization (RTC) in an abrupt temperature gradient
机译:
使用非晶层的原子层沉积和突然温度梯度下的快速热结晶(RTC)在Si衬底上制备外延HfO
2 inf>膜(EOT = 0.5 nm)
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
11.
High performance ultra-low energy RRAM with good retention and endurance
机译:
高性能,超低能耗的RRAM,具有良好的保持性和耐用性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
12.
Spatially-discriminating trap characterization methods for HEMTs and their application to RF-stressed AlGaN/GaN HEMTs
机译:
HEMT的空间区分阱表征方法及其在RF应力AlGaN / GaN HEMT中的应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
13.
RF power degradation of GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
GaN高电子迁移率晶体管的RF功率衰减
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
14.
180nm gate length amorphous InGaZnO thin film transistor for high density image sensor applications
机译:
适用于高密度图像传感器应用的180nm栅极长度非晶InGaZnO薄膜晶体管
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
15.
Gigahertz ambipolar frequency multiplier based on CVD graphene
机译:
基于CVD石墨烯的千兆赫兹双极倍频器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
16.
N-doped GeTe as performance booster for embedded Phase-Change Memories
机译:
N掺杂GeTe作为嵌入式相变存储器的性能提升器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
17.
Phase change memory line concept for embedded memory applications
机译:
嵌入式存储器应用的相变存储线概念
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
18.
Device, circuit and system-level analysis of noise in multi-bit phase-change memory
机译:
设备,电路和系统级多位相变存储器中的噪声分析
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
19.
High on-off ratio Bilayer Graphene complementary field effect transistors
机译:
高开关比双层石墨烯互补场效应晶体管
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
20.
CMOS biosensor platform
机译:
CMOS生物传感器平台
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
21.
Wafer thinning, bonding, and interconnects induced local strain/stress in 3D-LSIs with fine-pitch high-density microbumps and through-Si vias
机译:
晶圆变薄,键合和互连在具有细间距高密度微凸块和直通硅通孔的3D-LSI中引起的局部应变/应力
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
22.
Product drift from NBTI: Guardbanding, circuit and statistical effects
机译:
NBTI的产品漂移:保护带,电路和统计效应
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
23.
Recent advances in understanding the bias temperature instability
机译:
了解偏置温度不稳定性的最新进展
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
24.
Switching distributions and write reliability of perpendicular spin torque MRAM
机译:
垂直自旋转矩MRAM的开关分布和写入可靠性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
25.
Fully integrated 54nm STT-RAM with the smallest bit cell dimension for high density memory application
机译:
完全集成的54nm STT-RAM,具有最小的位单元尺寸,适用于高密度存储应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
26.
High mobility high on/off ratio C-V dispersion-free Ge n-MOSFETs and their strain response
机译:
高迁移率高导通/截止比C-V无色散Ge n-MOSFET及其应变响应
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
27.
Diode-less nano-scale ZrO
x
/HfO
x
RRAM device with excellent switching uniformity and reliability for high-density cross-point memory applications
机译:
无二极管纳米级ZrO
x inf> / HfO
x inf> RRAM器件,具有出色的开关均匀性和可靠性,适用于高密度交叉点存储应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
28.
The first principle computer simulation and real device characteristics of superlattice phase-change memory
机译:
超晶格相变存储器的第一原理计算机仿真与实际设备特性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
29.
Investigation of the role of H-related defects in Al
2
O
3
blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling
机译:
通过原子模拟和器件物理模型研究Al
2 inf> O
3 inf>阻挡层中H相关缺陷对电荷陷阱存储器保留的作用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
30.
Advanced SiC and GaN power electronics for automotive systems
机译:
适用于汽车系统的先进SiC和GaN电力电子设备
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
31.
10 µm pixel-to-pixel pitch hybrid backside illuminated AlGaN-on-Si imagers for solar blind EUV radiation detection
机译:
10 µm像素至像素间距的混合背照式SiGaN AlGaN背面成像器,用于太阳盲EUV辐射检测
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
32.
Transfer of physically-based models from process to device simulations: Application to advanced Strained Si/SiGe MOSFETs
机译:
基于物理的模型从过程到器件仿真的转移:应用于高级应变Si / SiGe MOSFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
33.
Simulation study of the on-current improvements in Ge and sGe versus Si and sSi nano-MOSFETs
机译:
Ge和sGe相对于Si和sSi纳米MOSFET导通电流改善的仿真研究
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
34.
Metal-Ferroelectric-Meta-Oxide-semiconductor field effect transistor with sub-60mV/decade subthreshold swing and internal voltage amplification
机译:
具有亚60mV /十年亚阈值摆幅和内部电压放大功能的金属铁电金属氧化物半导体场效应晶体管
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
35.
Polymer solid-electrolyte (PSE) switch embedded in 90nm CMOS with forming-free and 10nsec programming for low power, nonvolatile programmable logic (NPL)
机译:
嵌入90nm CMOS的聚合物固体电解质(PSE)开关具有免成型和10nsec编程功能,可实现低功耗,非易失性可编程逻辑(NPL)
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
36.
Record low contact resistivity to n-type Ge for CMOS and memory applications
机译:
在CMOS和存储器应用中记录到n型Ge的低接触电阻率
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
37.
Cost effective 28nm LP SoC technology optimized with circuit/device/process co-design for smart mobile devices
机译:
具有成本效益的28nm LP SoC技术,针对智能移动设备进行了电路/设备/工艺协同设计优化
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
38.
Generic learning of TDDB applied to RRAM for improved understanding of conduction and switching mechanism through multiple filaments
机译:
TDDB的通用学习应用于RRAM,用于通过多根细丝更好地理解传导和开关机制
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
39.
The impact of hole-induced electromigration on the cycling endurance of phase change memory
机译:
空穴诱导的电迁移对相变记忆循环耐力的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
40.
Temperature- and time-dependent conduction controlled by activation energy in PCM
机译:
由PCM中的活化能控制温度和时间相关的传导
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
41.
Novel 3-dimensional Dual Control-gate with Surrounding Floating-gate (DC-SF) NAND flash cell for 1Tb file storage application
机译:
具有1Tb文件存储应用的新型3D具有环绕浮动门(DC-SF)NAND闪存的双控制门
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
42.
100GHz depletion-mode Ga
2
O
3
/GaN single nanowire MOSFET by photo-enhanced chemical oxidation method
机译:
光增强化学氧化法制备100GHz耗尽型Ga
2 inf> O
3 inf> / GaN单纳米线MOSFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
43.
SiGe HBT technology with f
T
/f
max
of 300GHz/500GHz and 2.0 ps CML gate delay
机译:
具有300GHz / 500GHz的f
T inf> / f
max inf>和2.0ps CML栅极延迟的SiGe HBT技术
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
44.
Novel 140°C hybrid thin film solar cell/transistor technology with 9.6 conversion efficiency and 1.1 cm2/V-s electron mobility for low-temperature substrates
机译:
140°C新型混合薄膜太阳能电池/晶体管技术,具有9.6%的转换效率和1.1 cm 2 sup> / V-s的电子迁移率,适用于低温基板
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
45.
Boosting short circuit current with rationally designed periodic Si nanopillar surface texturing for thin film solar cell
机译:
通过合理设计的周期性Si纳米柱表面纹理化来提高薄膜太阳能电池的短路电流
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
46.
Low-field mobility and high-field drift velocity in graphene nanoribbons and graphene bilayers
机译:
石墨烯纳米带和石墨烯双层中的低场迁移率和高场漂移速度
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
47.
Full band assessment of phonon-limited mobility in Graphene NanoRibbons
机译:
石墨烯纳米带中声子受限迁移率的全谱评估
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
48.
Computational study of graphene nanoribbon FETs for RF applications
机译:
用于射频应用的石墨烯纳米带FET的计算研究
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
49.
Multi-scale simulation of partially unzipped CNT hetero-junction Tunneling Field Effect Transistor
机译:
部分解压缩的CNT异质结隧穿场效应晶体管的多尺度仿真
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
50.
Test chip fabrication with extreme ultraviolet lithography for high-volume manufacturing
机译:
利用极端紫外光刻技术进行测试芯片制造,以实现大批量生产
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
51.
High reliability 32 nm Cu/ULK BEOL based on PVD CuMn seed, and its extendibility
机译:
基于PVD CuMn晶种的高可靠性32 nm Cu / ULK BEOL及其可扩展性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
52.
Strained SiGe and Si FinFETs for high performance logic with SiGe/Si stack on SOI
机译:
应变SiGe和Si FinFET,用于在SOI上具有SiGe / Si堆叠的高性能逻辑
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
53.
Experimental study on carrier transport limiting phenomena in 10 nm width nanowire CMOS transistors
机译:
10 nm宽纳米线CMOS晶体管中载流子输运限制现象的实验研究
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
54.
Investigation of hole mobility in gate-all-around Si nanowire p-MOSFETs with high-к/metal-gate: Effects of hydrogen thermal annealing and nanowire shape
机译:
高k /金属栅的全栅Si纳米线p-MOSFET中空穴迁移率的研究:氢热退火和纳米线形状的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
55.
Investigation on TSV impact on 65nm CMOS devices and circuits
机译:
TSV对65nm CMOS器件和电路的影响研究
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
56.
Direct visualization of anomalous-phosphorus diffusion in failure-bit gates of SRAM-load pMOSFETs with high-resolution scanning spreading resistance microscopy
机译:
使用高分辨率扫描扩展电阻显微镜直接可视化SRAM负载pMOSFET的故障位门中的异常磷扩散
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
57.
Charged device model (CDM) ESD challenges for laterally diffused nMOS (nLDMOS) silicon controlled rectifier (SCR) devices for high-voltage applications in standard low-voltage CMOS technology
机译:
用于标准低压CMOS技术中高压应用的横向扩散nMOS(nLDMOS)硅可控整流器(SCR)器件的带电器件模型(CDM)ESD挑战
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
58.
BiCMOS embedded RF-MEMS switch for above 90 GHz applications using backside integration technique
机译:
使用背面集成技术的90 GHz以上应用的BiCMOS嵌入式RF-MEMS开关
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
59.
Comprehensive analysis of the impact of single and arrays of through silicon vias induced stress on high-k / metal gate CMOS performance
机译:
全面分析硅通孔中的单个和阵列引起的应力对高k /金属栅CMOS性能的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
60.
Extremely-thin-body InGaAs-on-insulator MOSFETs on Si fabricated by direct wafer bonding
机译:
通过直接晶圆键合在硅上制造的极薄绝缘体上InGaAs绝缘体MOSFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
61.
Work-function engineering in gate first technology for multi-V
T
dual-gate FDSOI CMOS on UTBOX
机译:
UTBOX上的多V
T inf>双栅极FDSOI CMOS的栅极优先技术中的功函数工程
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
62.
Impact of DIBL variability on SRAM static noise margin analyzed by DMA SRAM TEG
机译:
通过DMA SRAM TEG分析DIBL可变性对SRAM静态噪声容限的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
63.
An anomalous correlation between gate leakage current and threshold voltage fluctuation in advanced MOSFETs
机译:
先进MOSFET的栅极泄漏电流与阈值电压波动之间的反常关系
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
64.
6Å EOT Si
0.45
Ge
0.55
pMOSFET with optimized reliability (V
DD
=1V): Meeting the NBTI lifetime target at ultra-thin EOT
机译:
具有优化可靠性(V
DD inf> = 1V)的6ÅEOT Si
0.45 inf> Ge
0.55 inf> pMOSFET:满足超薄EOT的NBTI寿命目标
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
65.
An on-chip monitor for statistically significant circuit aging characterization
机译:
片上监控器,用于统计上重要的电路老化特性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
66.
Modeling the breakdown statistics of gate dielectric stacks including percolation and progressive breakdown
机译:
建模栅介质堆叠的击穿统计数据,包括渗流和渐进式击穿
作者:
Sune J.
;
Wu E.Y.
;
Tous S.
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
67.
25nm 64Gb MLC NAND technology and scaling challenges invited paper
机译:
25nm 64Gb MLC NAND技术和扩展挑战邀请论文
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
68.
Highly-scaled 3.6-nm ENT trapping layer MONOS device with good retention and endurance
机译:
具有良好保留和持久性的大规模3.6纳米ENT捕获层MONOS器件
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
69.
Study of fast initial charge loss and it's impact on the programmed states Vt distribution of charge-trapping NAND Flash
机译:
快速初始电荷损失及其对电荷捕捉NAND闪存的编程状态Vt分布的影响的研究
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
70.
Universal guiding principle for the fabrication of highly scalable MONOS-type memory -atomistic recipes based on designing interface oxygen chemical potential-
机译:
制造高度可扩展的MONOS型存储器的通用指导原则-基于设计界面氧化学势的原子配方-
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
71.
Advanced composite high-κ gate stack for mixed anion arsenide-antimonide quantum well transistors
机译:
先进的复合高k栅极叠层,用于混合型砷化砷-锑化物量子阱晶体管
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
72.
Correlation between channel mobility improvements and negative V
th
shifts in III–V MISFETs: Dipole fluctuation as new scattering mechanism
机译:
III–V MISFET中沟道迁移率改善与负V
th inf>移位之间的相关性:偶极子涨落作为新的散射机制
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
73.
High mobility strained germanium quantum well field effect transistor as the p-channel device option for low power (Vcc = 0.5 V) III–V CMOS architecture
机译:
高迁移率应变锗量子阱场效应晶体管作为低功耗(Vcc = 0.5 V)III–V CMOS架构的p通道设备选项
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
74.
High-Q torsional mode Si triangular beam resonators encapsulated using SiGe thin film
机译:
使用SiGe薄膜封装的高Q扭转模式Si三角束谐振器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
75.
Fully micromechanical piezo-thermal oscillators
机译:
全微机械压电热振荡器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
76.
Q-boosted AlN array-composite resonator with Q>10,000
机译:
Q> 10,000的Q增强AlN阵列复合谐振器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
77.
Self-polarized capacitive silicon micromechanical resonators via charge trapping
机译:
通过电荷俘获的自极化电容硅微机械谐振器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
78.
Sub-100ppb/°C temperature stability in thermally actuated high frequency silicon resonators via degenerate phosphorous doping and bias current optimization
机译:
通过简并的磷掺杂和偏置电流优化,热激励高频硅谐振器的温度稳定性低于100ppb /°C
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
79.
Resonant-body Fin-FETs with sub-nW power consumption
机译:
低于nW功耗的谐振体Fin-FET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
80.
Compact modeling and analysis of coupling noise induced by through-Si-vias in 3-D ICs
机译:
在3D IC中通过硅通孔引起的耦合噪声的紧凑建模和分析
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
81.
MuGFET carrier mobility and velocity: Impacts of fin aspect ratio, orientation and stress
机译:
MuGFET载流子迁移率和速度:鳍长宽比,方向和应力的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
82.
Phonon-limited mobility and injection velocity in n- and p-doped ultrascaled nanowire field-effect transistors with different crystal orientations
机译:
具有不同晶体取向的n和p掺杂超尺度纳米线场效应晶体管中的声子限制迁移率和注入速度
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
83.
Wafer scale fabrication of carbon nanotube FETs with embedded poly-gates
机译:
具有嵌入式多栅极的碳纳米管FET的晶圆级制造
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
84.
Graphitic interfacial layer to carbon nanotube for low electrical contact resistance
机译:
碳纳米管的石墨界面层可降低电接触电阻
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
85.
Resistive switching of carbon-based RRAM with CNT electrodes for ultra-dense memory
机译:
具有CNT电极的碳基RRAM的电阻切换,用于超密集存储
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
86.
Magnetic tunnel junction for nonvolatile CMOS logic
机译:
非易失性CMOS逻辑的磁性隧道结
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
87.
Cost-efficient fabrication of UV/Vis nanowire (NW) photodiodes enabled by ZnO/Si radial heterojunction
机译:
通过ZnO / Si径向异质结实现的高性价比UV / Vis纳米线(NW)光电二极管制造
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
88.
High-mobility 0.85nm-EOT Si
0.45
Ge
0.55
-pFETs: Delivering high performance at scaled VDD
机译:
高迁移率0.85nm-EOT Si
0.45 inf> Ge
0.55 inf> -pFET:在缩放VDD时提供高性能
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
89.
Dual Strained Channel co-integration into CMOS, RO and SRAM cells on FDSOI down to 17nm gate length
机译:
双应变通道共集成到FDSOI上的CMOS,RO和SRAM单元中,栅极长度低至17nm
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
90.
32nm high-density high-speed T-RAM embedded memory technology
机译:
32nm高密度高速T-RAM嵌入式存储器技术
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
91.
Ultimately scaled 20nm unified-RAM
机译:
最终可扩展的20nm统一RAM
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
92.
On-axis scheme and novel MTJ structure for sub-30nm Gb density STT-MRAM
机译:
30nm以下Gb密度STT-MRAM的同轴方案和新颖的MTJ结构
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
93.
Current status and future trends in silicon power devices
机译:
硅功率器件的现状和未来趋势
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
94.
Silicon carbide based power devices
机译:
基于碳化硅的功率器件
作者:
Ostling Mikael
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
95.
Ultra high voltage semiconductor power devices for grid applications
机译:
适用于电网的超高压半导体功率器件
作者:
Rahimo M. T.
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
96.
Low power operating bipolar TMO ReRAM for sub 10 nm era
机译:
低于10 nm时代的低功耗双极性TMO ReRAM
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
97.
Evidence and solution of over-RESET problem for HfO
X
based resistive memory with sub-ns switching speed and high endurance
机译:
亚ns开关速度和高耐久性的基于HfO
X inf>的电阻式存储器的过复位问题的证据和解决方案
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
98.
Reliability of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs under ON-state gate overdrive
机译:
增强型AlGaN / GaN HEMT在导通状态栅极过驱动下的可靠性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
99.
Blocking-voltage boosting technology for GaN transistors by widening depletion layer in Si substrates
机译:
通过加宽Si衬底中的耗尽层来实现GaN晶体管的阻挡升压技术
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
100.
Normally-off AlGaN/GaN-on-Si MOSHFETs with TaN floating gates and ALD SiO
2
tunnel dielectrics
机译:
具有TaN浮栅和ALD SiO
2 inf>隧道电介质的常关AlGaN / GaN-on-Si MOSHFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
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