Ultimately scaled 20nm unified-RAM

机译：最终可扩展的20nm统一RAM

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

A 20 nm all-around-gate (AAG) FET is demonstrated for unified-RAM by the use of an 8 nm Si-nanowire on a bulk-substrate. High performances of NVM and 1T-DRAM are presented.

机译：通过在散装 - 衬底上使用8nm Si-纳米线来对统一RAM进行20nm全栅极（AAG）FET。提出了NVM和1T-DRAM的高性能。

著录项

来源
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》|2010年|p.1-4|共4页
会议地点
作者

展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类自动化装置与设备;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Evolution of Unified-RAM: 1T-DRAM and BE-SONOS Built on a Highly Scaled Vertical Channel [J] . Moon D.-I., Kim J.-Y., Moon J.-B., IEEE Transactions on Electron Devices . 2014,第1期

机译：Unified-RAM的演进：1T-DRAM和BE-SONOS构建在高度扩展的垂直通道上
2. The prospects of transition metal dichalcogenides for ultimately scaled CMOS [J] . S. Thiele, W. Kinberger, R. Granzner, Solid-State Electronics . 2018,第MAY期

机译：最终规模化CMOS用过渡金属二卤化物的前景
3. Modeling source-drain tunneling in ultimately scaled Ⅲ-Ⅴ transistors [J] . Andrew Pan, Chi On Chui Applied Physics Letters . 2015,第24期

机译：最终定标的Ⅲ-Ⅴ型晶体管中的源漏隧道建模
4. Ultimately scaled 20nm unified-RAM [C] . (missing) IEEE International Electron Devices Meeting . 2010

机译：最终缩放了20nm统一的ram
5. For country or state: The lives of four Maryland soldiers and the decision they ultimately made before the Civil War. [D] . DiGiulian, Chris. 2009

机译：对于国家或州：内战之前，四名马里兰州士兵的生活及其最终做出的决定。
6. Synthesis Characterization and Anti-Cancer Therapeutic Potential of Withanolide-A with 20nm sAuNPs Conjugates Against SKBR3 Breast Cancer Cell Line [O] . Qudsia Tabassam, Tahir Mehmood, Abdul Rauf Raza, 2020

机译：用20nm桑普斯缀合物对Skbr3乳腺癌细胞的合成表征和抗癌治疗潜能
7. Design Technologies for Nanoelectronic Systems Beyond Ultimately Scaled CMOS [O] . Haykel Ben Jamaa, Bahman Kheradmand Boroujeni, Giovanni De Micheli, 2009

机译：纳米电子系统的设计技术最终缩放CMOS
8. In-Situ Single DNA Manipulation with phi 20nm Electron-Beam-Deposited Probe. [R] . Fujioka, S., Ooi, T., Nakao, M. 2001

机译：用phi 20nm电子束沉积探针进行原位单DNa操作。

Ultimately scaled 20nm unified-RAM

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅