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机译:肖特基势垒源极/漏极纳米线场效应晶体管的载流子传输特性对纳米线宽度和掺杂物种类的依赖性
机译:多子带蒙特卡洛研究在10纳米以下Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
机译:10nm宽度纳米线CMOS晶体管中载流子运输限制现象的实验研究
机译:10纳米CMOS:一项具有功耗/性能评估的技术要求设计研究。
机译:多子带蒙特卡洛研究在亚10纳米Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
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机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性