机译:使用先进的$ hbox {Si} ^ {+} $ Ion-,硅化镍的生长受到侵蚀并限制了硅化区域,从而导致nMOSFET的栅极边缘漏电流异常
机译:带有超薄栅极氧化物的100nm以下MOSFET中的随机掺杂引起的阈值电压波动的多晶硅栅极增强
机译:纳米MOSFET中栅极长度波动引起的阈值电压和漏极沟槽降低变化的分析建模
机译:高级MOSFET栅极漏电流与阈值电压波动之间的异常相关性
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:采用准互补mOsFET电流镜功率电压电流转换器
机译:纳米MOSFET阈值电压的栅极漏电流不一致行为的建模与表征
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响