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陈永真; 陈之勃;
辽宁工业大学电子与信息工程学院;
辽宁沈阳121001;
IGBT; 阈值电压; 离散性; 集电极电流;
机译:阈值电压适用性作为平面栅极非穿通IGBT应用可靠性指标的研究
机译:在硬开关和软开关下外延平面和沟槽栅极IGBT以及非外延平面栅极IGBT的关断行为
机译:具有高k栅极电介质的对称双栅极MOSFET的新分析阈值电压模型
机译:具有低阈值电压的实用栅极优先金属栅极/双高k CMOS集成
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:如果招募临床医生的临床医生不了解该试验的真正意义那有关系吗?定性研究外科医生参与实用多中心RCT的经验
机译:栅极 - 发射器预阈值电压作为EGBT芯片故障监控的Health敏感参数,在高压MultiChip IGBT电源模块中监控
机译:使用准分子激光器对金属栅极mOsFET进行阈值电压调谐
机译:半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:带栅极的双极晶体管(带沟槽栅极的绝缘栅极双极晶体管(igbts))
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