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International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
召开年:
2013
召开地:
Glasgow(GB)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Optimal Contact Placement in Partially Depleted SOI with Application to Raised Source-Drain Structures
机译:
用施加到源 - 漏极结构的部分耗尽SOI中的最佳接触放置
作者:
N. Subba
;
S. Luning
;
C. Riccobene
;
T. Feudel
;
A. Wei
;
M. Horstmann
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
2.
Simulation of GaN-based Light-Emitting Devices
机译:
基于GaN的发光装置的仿真
作者:
Joachim Piprek
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
3.
Very High Performance, Sub-20nm, Strained Si and Si_x Ge_(1-x), Hetero-structure, Center Channel (CC) NMOS and PMOS DGFETs
机译:
非常高的性能,子20nm,应变Si和Si_x Ge_(1-x),异质结构,中心通道(CC)NMOS和PMOS DGFET
作者:
Tejas Krishnamohan
;
Christoph Jungemann
;
Krishna C. Saraswat
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
4.
Implications of Gate Misalignment for Ultra-narrow Multi-gate Devices
机译:
超窄多栅极设备的栅极未对准的影响
作者:
Z. Krivokapic
;
V. Moroz
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
5.
Parameter Extraction and Validation of an Electronic and Optical Model for Organic Light-emitting Devices
机译:
有机发光器件的电子和光学模型参数提取与验证
作者:
Beat Ruhstaller
;
Tilman A. Beierlein
;
Roman Gmuer
;
Siegfried Karg
;
Heike Riel
;
Guido Sartoris
;
Hansueli Schwarzenbach
;
Walter Riess
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
6.
Anisotropic Laplace Refinement for Three-Dimensional Oxidation Simulation
机译:
三维氧化模拟的各向异性拉普拉斯改进
作者:
W. Wessner
;
C. Hollauer
;
A. Hoessinger
;
S. Selberherr
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
7.
Experiments on Minority Carrier Diffusion in Silicon: Contributions of Excitons
机译:
硅中少数民族载体扩散的实验:激子官的贡献
作者:
J. Mohrhof
;
D. Silber
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
8.
3-D Physically-Based Electromigration Simulation in Copper - Low-K Interconnect
机译:
3-D铜 - 低k互连的基于物理的电迁移模拟
作者:
Valeriy Sukharev
;
Ratan Choudhury
;
Chong W. Park
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
9.
A Method for Determining the Screening Length of the Coulombic Scattering in Non-Degenerate and Degenerate Semiconductors
机译:
一种确定非退化和脱析半导体中库仑散射的筛选长度的方法
作者:
M. Rudan
;
G. Perroni
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
10.
The Evolution of the Resistance and Current Density During Electromigration
机译:
电迁移期间电阻和电流密度的演变
作者:
H. Ceric
;
R. Sabelka
;
S. Holzer
;
W. Wessner
;
S. Wagner
;
T. Grasser
;
S. Selberherr
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
11.
Modeling and Simulation of Combined Thermionic Emission-Tunneling Current through Interfacial Isolation Layer
机译:
通过界面隔离层的组合热离子发射隧道电流的建模与仿真
作者:
J. Racko
;
P. Kudela
;
D. Donoval
;
G. Wachutka
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
12.
Effective Bohm Quantum Potential for device simulators based on drift-diffusion and energy transport
机译:
基于漂移扩散和能量运输的设备模拟器的有效BOHM量子电位
作者:
G. Iannaccone
;
G. Curatola
;
G. Fiori
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
13.
Three-Dimensional Characterization and Modeling of Stress Distribution in High-Density DRAM Memory Cells
机译:
高密度DRAM存储器单元中应力分布的三维表征及建模
作者:
Jian Li
;
Robert Hull
;
Rongsheng Yang
;
Vincent Hou
;
Chandra Mouli
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
14.
Understanding the role of strain in Si-Ge devices
机译:
了解应变在SI-GE设备中的作用
作者:
D. Choudhary
;
J. Catherwood
;
P. Clancy
;
C.S. Murthy
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
15.
Full Three-Dimensional Analysis of a Non-Volatile Memory Cell
机译:
非易失性存储器单元的全三维分析
作者:
A. Hoessinger
;
R. Minixhofer
;
S. Selberherr
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
16.
Investigation of a novel tunneling transistor by MEDICI simulation
机译:
用Medici仿真研究新型隧道晶体管
作者:
P.-F. Wang
;
Th. Nirschl
;
D. Schmitt-Landsiedel
;
W. Hansch
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
17.
Performance Evaluation of Linear Solvers Employed for Semiconductor Device Simulation
机译:
半导体器件仿真采用线性溶剂的性能评价
作者:
S. Wagner
;
T. Grasser
;
S. Selberherr
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
18.
Analysis of Random Doping and Oxide Thickness Induced Fluctuations in Nanoscale Semiconductor Devices through Poisson-Schroedinger Computations
机译:
通过泊松 - 施罗德格计算分析纳米级半导体器件中的随机掺杂和氧化物厚度诱导的波动
作者:
P. Andrei
;
I. Mayergoyz
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
19.
Modeling CVD effects in Atomic Layer Deposition on the Feature Scale
机译:
模拟特征尺度原子层沉积中的CVD效应
作者:
W. Jacobs
;
A. Kersch
;
G. Prechtl
;
G. Schulze Icking-Konert
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
20.
The Density-Gradient Correction as a Disguised Pilot Wave of de Broglie
机译:
密度梯度校正作为de broglie的伪装飞行员
作者:
M. Rudan
;
E. Gnani
;
S. Reggiani
;
G. Baccarani
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
21.
Modeling of Carrier Transport Dynamics at GHz-Frequencies for RF Circuit-Simulation
机译:
RF电路模拟GHz频率的载波运输动力学建模
作者:
D. Navarro
;
N. Nakayama
;
K. Machida
;
Y. Takeda
;
S. Chiba
;
H. Ueno
;
H. J. Mattausch
;
M. Miura-Mattausch
;
T. Ohguro
;
T. Iizuka
;
M. Taguchi
;
S. Miyamoto
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
22.
Electro-thermal Simulations of Strained-Si MOSFETs under ESD conditions
机译:
ESD条件下应变-SI MOSFET的电热模拟
作者:
Jung-Hoon Chun
;
Chang-Hoon Choi
;
Robert W. Dutton
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
23.
A New Methodology for Efficient and Reliable Large-Signal Analysis of RF Power Devices
机译:
用于RF功率器件的高效可靠大信号分析的新方法
作者:
Choshu Ito
;
Olof Tornblad
;
Gordon Ma
;
Robert W. Dutton
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
24.
SPICE-Compatible Macro Model for Split-Gate Compact NVM Cell with Various Gap Sizes
机译:
具有各种间隙尺寸的分层压缩NVM单元的香料兼容宏模型
作者:
Nader Akil
;
Ronald van Langevelde
;
Pierre Goarin
;
Michiel van Duuren
;
Michiel Slotboom
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
25.
Numerical analysis for the structure dependence on the subthreshold slope of Floating Channel type SGT(FC-SGT) Flash memory
机译:
浮通通道型SGT亚阈值斜率的结构依赖性的数值分析(FC-SGT)闪存
作者:
Hiroaki Yamazaki
;
Hiroshi Sakuraba
;
Fujio Masuoka
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
26.
An Analysis of the Effect of Surrounding Gate Structure on Soft Error Immuniy
机译:
周围栅极结构对软误差免疫的影响分析
作者:
Fumiyoshi Matsuoka
;
Hiroshi Sakuraba
;
Fujio Masuoka
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
27.
Stable simulation of impurity fluctuation for contact resistance and Schottky diodes
机译:
接触电阻和肖特基二极管的杂质波动稳定模拟
作者:
K. Matsuzawa
;
N. Sano
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
28.
Full Band and Approximated Solutions of the Schroedinger Equation in Silicon Inversion layers
机译:
硅反转层中施罗德格方程的全带和近似解
作者:
David Esseni
;
Pierpaolo Palestri
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
29.
Examination of Spatial Frequency Dependence of Line Edge Roughness on MOS Device Characteristics
机译:
线边缘粗糙度对MOS器件特性的空间频率依赖性的检查
作者:
Phil Oldiges
;
Cheruvu Murthy
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
30.
Source-Side Injection Modeling by Means of the Spherical-Harmonics Expansion of the BTE
机译:
通过BTE的球面谐波扩展来源侧注射建模
作者:
M. Lorenzini
;
D. Wellekens
;
L. Haspeslagh
;
J. Van Houdt
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
31.
Genetic Algorithm for Optimization and Calibration in Process Simulation
机译:
用于处理仿真中的优化和校准的遗传算法
作者:
T. Fuehner
;
A. Erdmann
;
C.J. Ortiz
;
J. Lorenz
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
32.
CMOS Scaling Analysis based on ITRS Roadmap by Three-dimensional Mixed-mode Device Simulation
机译:
三维混合模式设备仿真基于ITRS路线图的CMOS缩放分析
作者:
R. Tanabe
;
Y. Ashizawa
;
H. Oka
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
33.
Effect of Stress on Pattern-Dependent Oxidation of Silicon Nanostructures
机译:
应力对硅纳米结构图案依赖性氧化的影响
作者:
M. Uematsu
;
H. Kageshima
;
K. Shiraishi
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
34.
On the Calculation of Quasi-Bound States and Their Impact on Direct Tunneling in CMOS Devices
机译:
关于准界态的计算及其对CMOS设备直接隧道的影响
作者:
A. Gehring
;
S. Selberherr
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
35.
Comprehensive Understanding of Carrier Mobility in MOSFETs with Oxynitrides and Ultrathin Gate Oxides
机译:
用氮氧化物和超薄栅极氧化物综合了解MOSFET中的载体流动性
作者:
T. Ishihara
;
J. Koga
;
S. Takagi
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
36.
An Accurate and Comprehensive Soft Error Simulator NISES II
机译:
准确和综合的软错误模拟器纳尼II
作者:
Y. Tosaka
;
S. Satoh
;
H. Oka
;
Munich University of Technology
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2004年
37.
A realistic methodology for the worst case analysis of VLSI circuit performances
机译:
VLSI电路性能最坏情况分析的现实方法
作者:
Sang-Hoon Lee
;
Kyung-Ho Kim
;
Jin-Kyu Park
;
Chang-Hoon Choi
;
Jeong-Taek Kong
;
Won-Woo Lee
;
Wong-Seong Lee
;
Jei-Hwan Yoo
;
Soo-In Cho
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
VLSI;
statistical analysis;
integrated circuit design;
integrated circuit modelling;
worst case analysis;
VLSI circuit performances;
circuit layout feature size;
manufacturing yield;
process fluctuations;
statistical worst case;
principal component analy;
38.
A practical sputter equipment simulation system for aluminum including-surface diffusion model
机译:
用于铝的实用溅射设备仿真系统,包括表面扩散模型
作者:
Yamada H.
;
Ohta T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
39.
Full-band Monte Carlo simulation of high-energy transport and impact ionization of electrons and holes in Ge, Si, and GaAs
机译:
GE,Si和GaAs中的高能量输送和电磁冲击电离的全带蒙特卡罗模拟
作者:
Fischetti M.V.
;
Sano N.
;
Laux S.E.
;
Natori K.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
impact ionisation;
impact ionisation;
impact ionisation;
Monte Carlo methods;
Monte Carlo methods;
Monte Carlo methods;
pseudopotential methods;
pseudopotential methods;
pseudopotential methods;
spin-orbit interactions;
spin-orbit interactions;
spin-orbi;
40.
A new approach to mesh generation for complex 3D semiconductor device structures
机译:
复杂3D半导体器件结构网格生成的一种新方法
作者:
Tanaka K.
;
Notsu A.
;
Matsumoto H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
mesh generation;
semiconductor device models;
numerical stability;
digital simulation;
electronic engineering computing;
mesh generation;
complex 3D device structures;
semiconductor device structures;
octree;
tetrahedral mesh;
boundary triangular mesh;
a;
41.
BARAS: Novel and highly efficient simulation system for process control sweeping and statistical variation
机译:
巴拉斯:用于过程控制扫描和统计变异的新型和高效仿真系统
作者:
Tatsumi T.
;
Ansai K.
;
Hayakawa K.
;
Mukai M.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
digital simulation;
process control;
statistical analysis;
ULSI;
semiconductor process modelling;
masks;
method of moments;
Monte Carlo methods;
BARAS;
process control sweeping;
statistical variation;
ULSI;
process variations;
process parameter distribut;
42.
High performance semiconductor device simulation on shared memory parallel computers
机译:
共享内存并行计算机上的高性能半导体器件仿真
作者:
Hahad M.
;
Hopper P.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor device models;
digital simulation;
shared memory systems;
electronic engineering computing;
finite difference methods;
semiconductor device simulation;
shared memory parallel computers;
numerical device simulation;
execution times;
Parallel;
43.
Modeling and characterization of three-dimensional effects in physical etching and deposition simulation
机译:
物理蚀刻和沉积仿真中三维效应的建模与表征
作者:
Ze-Kai Hsiau
;
Kan E.C.
;
Bang D.S.
;
McVittie J.P.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
etching;
vapour deposition;
three-dimensional effects;
etching;
deposition;
IC fabrication technology;
physical model;
simulation;
44.
Atomistic analysis of the vacancy diffusion mechanism
机译:
空位扩散机制原子分析
作者:
List S.
;
Ryssel H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
45.
Three-dimensional photoresist exposure and development simulation
机译:
三维光致抗蚀剂曝光和开发模拟
作者:
Kirchauer H.
;
Selberherr S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
photoresists;
semiconductor process modelling;
digital simulation;
masks;
three-dimensional photoresist;
photoresist exposure;
development simulation;
pattern transfer;
semiconductor industry;
feature sizes;
nonplanarity;
mask illumination;
resist exposu;
46.
Automatic adaptive meshing for efficient electrostatic boundary element simulations
机译:
高效静电边界元模拟自动自适应啮合
作者:
Bachtold M.
;
Korvink J.G.
;
Baltes H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
boundary-elements methods;
mesh generation;
electrostatics;
automatic adaptive meshing;
boundary element method;
electrostatic analysis;
discretization;
error indicator;
BEM simulation;
47.
Monte Carlo simulation of silicon amorphization during ion implantation
机译:
离子植入过程中硅非晶晶的蒙特卡罗模拟
作者:
Bohmayr W.
;
Burenkov A.
;
Lorenz J.
;
Ryssel H.
;
Selberberr S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
Monte Carlo methods;
ion implantation;
semiconductor device models;
amorphisation;
point defects;
diffusion;
MOSFET;
Monte Carlo simulation;
ion implantation;
amorphization;
irradiated crystal zones;
spatial location;
extended defects;
point defects;
lat;
48.
On the determination of boron diffusivities and boron interstitial pair binding energies in silicon
机译:
硅中硼漫射率和硼间质对结合能的确定
作者:
Bork I.
;
Matsumoto H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
49.
A numerical model for simulating MOSFET gate current degradation by considering the interface state generation
机译:
考虑接口状态生成来模拟MOSFET栅极电流劣化的数值模型
作者:
Yih C.M.
;
Chung S.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
50.
Elasto-viscoplastic modeling for three-dimensional oxidation process simulation
机译:
三维氧化过程模拟的弹性粘液模拟
作者:
Lee J.H.
;
Son M.S.
;
Yun C.S.
;
Kim K.H.
;
Hwang H.J.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
oxidation;
isolation technology;
ULSI;
masks;
boundary-elements methods;
integrated circuit modelling;
elasto-viscoplastic modeling;
three-dimensional oxidation process;
process simulation;
isolation characteristics;
subm;
51.
Hot carrier energy distributions in short channel MOSFETs and the persistence of substrate currents at low drain voltages
机译:
在短通道MOSFET中的热载波能量分布和低排水电压下基板电流的持久性
作者:
Dyke D.W.
;
Chang M.Y.
;
Leung C.C.C.
;
Childs P.A.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
hot carriers;
MOSFET;
semiconductor device models;
Monte Carlo methods;
iterative methods;
Boltzmann equation;
hot carrier energy distributions;
short channel MOSFETs;
substrate currents;
drain voltages;
hybrid Monte Carlo/iterative technique;
Boltzmann;
52.
Simulation of isothermal current filament states in GaAs structures
机译:
GaAs结构中等温电流灯丝状态的仿真
作者:
Vashchenko A.
;
Martynov Y.B.
;
Sinkevitch V.F.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
electric breakdown;
semiconductor junctions;
Schottky barriers;
isothermal current filament states;
2D numerical simulation;
spatial instability;
dissipate states;
breakdown;
n-i-n structure;
Schottky M-i-n structu;
53.
Accurate prediction of hot-carrier effects for a deep sub-/spl mu/m CMOS technology based on inverse modeling and full band Monte Carlo device simulation
机译:
基于逆建模和全带蒙特卡罗设备仿真,精确预测深层/ SPL MU / M CMOS技术的深层/ SPL MU / M CMOS技术
作者:
Jungemann C.
;
Yamaguchi S.
;
Goto H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
hot carriers;
CMOS integrated circuits;
integrated circuit modelling;
semiconductor process modelling;
ULSI;
Monte Carlo methods;
doping profiles;
semiconductor doping;
hot-carrier effects;
deep sub-microm CMOS technology;
inverse modeling;
full band Mon;
54.
Electrothermal simulation methodology for power devices and integrated circuits
机译:
电力设备和集成电路电热模拟方法
作者:
Vales P.
;
Dorkel J.-M.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
digital simulation;
integrated circuit modelling;
power integrated circuits;
choppers (circuits);
losses;
fast Fourier transforms;
transient analysis;
transients;
electrothermal simulation methodology;
power ICs;
constant duty cycle operation;
chopper ci;
55.
Boron diffusion model refinement and its effect on the calculation of reverse short channel effect
机译:
硼扩散模型改进及其对反向短信效应计算的影响
作者:
Hane M.
;
Rafferty C.S.
;
Ikezawa T.
;
Matsumoto H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor doping;
diffusion;
semiconductor device models;
MOSFET;
doping profiles;
silicon;
boron;
diffusion model refinement;
reverse short channel effect;
RSCE;
flat channel profile;
nMOSFET;
dopant diffusion process;
parameter dependence;
binding;
56.
A new high-speed non-equilibrium point defect model for annealing simulation
机译:
一种新的退火仿真的高速非平衡点缺陷模型
作者:
Kawakami M.
;
Sugaya M.
;
Kamohara S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
point defects;
semiconductor process modelling;
rapid thermal annealing;
digital simulation;
nonequilibrium point defect model;
annealing simulation;
RTA;
simulation time;
multiple impurity types;
CPU time;
physically-based 2D method;
Si;
57.
Efficient 3D mesh adaptation in diffusion simulation
机译:
漫射仿真中的高效3D网格适应
作者:
Tao Chen
;
Yergeau D.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
58.
Application of LE-FDTD method to HF circuit analysis
机译:
Le-FDTD方法在HF电路分析中的应用
作者:
Ciampolini R.
;
Roselli L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
59.
A robust finite element vector formulation of the semiconductor drift-diffusion equations incorporating anisotropic transport properties
机译:
包含各向异性传输特性的半导体漂移扩散方程的鲁棒有限元载体制剂
作者:
Johnson C.M.
;
Trattles J.T.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
finite element analysis;
diffusion;
carrier mobility;
semiconductor device models;
robust finite element vector formulation;
semiconductor drift-diffusion equations;
anisotropic transport properties;
stability criteria;
spatial discretisations;
element s;
60.
Modeling and simulation of spatial dependent transient diffusion after BF/sub 2/ implantation
机译:
BF / SUB 2 /植入后空间依赖性瞬态扩散的建模与仿真
作者:
Hofler A.
;
Feudel T.
;
Strecker N.
;
Fichtner W.
;
Suzuki K.
;
Sasaki N.
;
Kataoka Y.
;
Gratsch F.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
diffusion;
ion implantation;
doping profiles;
annealing;
semiconductor device models;
spatial dependent transient diffusion;
ion implantation;
annealing sequence;
dopant redistribution;
transient diffusion;
activation effects;
numerical simulation;
Si:BF;
61.
Energy transport modeling of graded AlGaAs/GaAs HBTs: importance of giving adequate transport parameters
机译:
评分ALGAAS / GAAs HBT的能量传输建模:提供足够运输参数的重要性
作者:
Okada K.
;
Nakatani A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
62.
Temperature-dependent study of 6H-SiC PIN-diode reverse characteristics
机译:
温度依赖性研究6H-SiC引脚二极管反向特性
作者:
Lades M.
;
Schenk A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
63.
Improved separators by multigrid methods
机译:
通过多重焊接方法改进分离器
作者:
Gartner K.
;
Fichtner W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
64.
Soft error rate modeling and analysis of SOI/TFT SRAM's
机译:
SOI / TFT SRAM的软错误率建模与分析
作者:
Oldiges P.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
integrated circuit modelling;
integrated circuit reliability;
silicon-on-insulator;
thin film transistors;
SRAM chips;
doping profiles;
soft error rate modeling;
SOI/TFT SRAM;
maximum allowable gain;
lifetime reduction;
SOI film thickness;
channel doping;
65.
Effect of passivation film stress on shift in threshold voltage of GaAs FETs
机译:
钝化膜应力对GaAs FET阈值电压变化的影响
作者:
Miura H.
;
Ohshika K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
66.
Majority and minority mobilities in heavily doped gallium aluminum arsenide for device simulations
机译:
大多数和少数群体在掺杂掺杂的铝砷化铝中的次数,用于器件模拟
作者:
Bennett H.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
67.
An implicit coupling scheme for the use of long time steps in stable self-consistent particle simulation of semiconductor devices with high doping levels
机译:
具有高掺杂水平的半导体器件稳定自洽粒子模拟中的长时间步骤的隐式耦合方案
作者:
Liebig D.
;
Abou Elnour A.
;
Schunemann K.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor device models;
Monte Carlo methods;
cellular automata;
iterative methods;
numerical stability;
time step;
self-consistent stochastic particle simulation;
semiconductor device;
doping level;
iterative implicit coupling;
Poisson equation;
com;
68.
Analytical current conduction model for accumulation-mode SOI PMOS devices
机译:
累积模式SOI PMOS设备的分析电流传导模型
作者:
Su K.W.
;
Kuo J.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
69.
A new semiconductor research paradigm using internet collaboration
机译:
使用互联网协作新的半导体研究范式
作者:
Losleben P.
;
Boning D.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
70.
TED model including the dissolution of extended defects
机译:
TED模型包括延长缺陷的溶解
作者:
Kamohara S.
;
Shimizu A.
;
Yamamoto S.
;
Kubota K.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
diffusion;
ion implantation;
vacancies (crystal);
interstitials;
TED model;
extended defects;
shallow junction;
submicron regime;
low-energy ion implantation;
low thermal-budget processing;
dopant diffusion;
transient enhanced diffusion;
point defects;
v;
71.
A new practical method to include recombination-generation process in self-consistent Monte Carlo device simulation
机译:
一种新的实用方法,包括在自我一致的蒙特卡罗设备模拟中的重组生成过程
作者:
Gyoyoung Jin
;
Kan E.C.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor device models;
Monte Carlo methods;
simulation;
carrier density;
impact ionisation;
MOSFET;
silicon-on-insulator;
minority carriers;
semiconductor diodes;
electron-hole recombination;
recombination-generation process;
self-consistent device;
72.
A new approach to fully unstructured three-dimensional Delaunay mesh generation with improved element quality
机译:
一种完全非结构化的三维Delaunay网格产生的新方法,具有改进的元素
作者:
Fleischmann P.
;
Selberherr S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor device models;
mesh generation;
three-dimensional Delaunay mesh generation;
semiconductor device simulation;
unstructured gridding;
algorithm;
moving boundary;
73.
Implementation of nitride oxidation in the 2D process simulator IMPACT-4
机译:
2D过程模拟器冲击 - 4中氮化物氧化的实施 - 4
作者:
Tixier A.
;
Senez V.
;
Baccus B.
;
Marmiroli A.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
oxidation;
semiconductor process modelling;
isolation technology;
nitride oxidation;
2D process simulator;
IMPACT-4;
LOCOS/Recessed-LOCOS NCLAD structure;
encapsulation;
bird's beak;
Deal and Grove model;
oxide-nitride stack;
isolation technology;
74.
Multi-band Monte Carlo method using anisotropic-analytical multi-band model
机译:
使用各向异性分析多频段模型的多频段Monte Carlo方法
作者:
Yamaji M.
;
Taniguchi K.
;
Hamaguchi C.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
Monte Carlo methods;
hot carriers;
anisotropic-analytical multi-band model;
Monte Carlo method;
device simulation;
hot carrier transport;
MOSFET;
0.1 micron;
Si;
75.
A triangular mesh with the interface protection layer suitable for the diffusion simulation
机译:
具有适用于扩散仿真的界面保护层的三角网格
作者:
Syo T.
;
Akiyama Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
76.
Phase space multiple refresh: a versatile statistical enhancement method for Monte Carlo device simulation
机译:
相空间多刷新:Monte Carlo设备仿真的多功能统计增强方法
作者:
Jungemann C.
;
Decker S.
;
Thoma R.
;
Eng W.L.
;
Goto H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
Monte Carlo methods;
phase space multiple refresh;
statistical enhancement;
Monte Carlo device simulation;
impact ionisation;
oxide injection;
stochastic noise;
LDD-NMOSFET;
77.
Channel dopant profile and Leff extraction of deep submicron MOSFETs by inverse modeling
机译:
通过反向建模的通道掺杂剂型材和深亚微米MOSFET的leff提取
作者:
Kai K.
;
Hayashi H.
;
Kuroda S.
;
Fukuda K.
;
Nishi K.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
doping profiles;
semiconductor doping;
inverse problems;
channel dopant profile;
deep submicron MOSFET;
inverse modeling;
simulation;
effective channel length;
I-V characteristics;
78.
Theory and implementation of a new interpolation method based on random sampling
机译:
基于随机抽样的新插值方法的理论与实现
作者:
Schoemaker W.
;
Cartuyvels R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
79.
Optical-electronic simulation of a GaAs metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector
机译:
GaAs金属半导体 - 金属(MSM)光电探测器的光学电子仿真
作者:
Korner T.O.
;
Yoder P.D.
;
Bomholt L.H.
;
Fichtner W.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
metal-semiconductor-metal structures;
photodetectors;
semiconductor device models;
Monte Carlo methods;
optical-electronic simulation;
metal-semiconductor-metal photodetector;
electromagnetic method;
light propagat;
80.
Numerical simulation of drain lag in HJFETs with a p-buffer layer
机译:
具有p缓冲层的HJFET中排水滞后的数值模拟
作者:
Nogome M.
;
Kunihiro K.
;
Ohno Y.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
junction gate field effect transistors;
semiconductor device models;
capacitance;
hole traps;
electron traps;
deep levels;
buried layers;
numerical simulation;
drain lag;
HJFET;
p-buffer layer;
shielding effect;
partially depleted buffer layer;
deep trap;
81.
Fundamental relation between local and effective transverse field dependent mobility for electrons in inversion channels
机译:
局部和有效横场之间的基本关系在反转通道中的电子中的依赖性迁移率
作者:
Biesemans S.
;
De Meyer K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
82.
Analysis of boron pile-up at the Si-SiO/sub 2/ interface using 2-D process and device simulation
机译:
使用2-D工艺和装置仿真分析Si-SiO / Sub 2 /界面的硼堆积
作者:
Hyodo T.
;
Taji S.
;
Yoshida N.
;
Kameda M.
;
Watanabe H.
;
Shiota I.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
doping profiles;
semiconductor doping;
MOSFET;
semiconductor device models;
secondary ion mass spectroscopy;
silicon;
elemental semiconductors;
silicon compounds;
semiconductor-insulator boundaries;
pile-up;
2-D process s;
83.
TCAD diagnosis of I/O-pin latchup in scaled-DRAM
机译:
缩放DRAM中I / O引脚LAPTAPUP的TCAD诊断
作者:
Tsuneno K.
;
Sato H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
84.
Modeling and simulation of oxygen precipitation in Si: precipitate-point defect interactions and influence of hydrogen
机译:
Si中氧沉淀的建模与仿真:沉淀点缺陷相互作用及氢气的影响
作者:
Senkader S.
;
Hobler G.
;
Schmeiser C.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
silicon;
elemental semiconductors;
oxygen;
precipitation;
point defects;
stacking faults;
hydrogen;
Fokker-Planck equation;
oxygen precipitation;
model;
simulation;
precipitate-point defect interaction;
hydrogen;
stacking fault;
Czochralski silicon wafer;
85.
A novel transient enhanced diffusion model of phosphorus during shallow junction formation
机译:
浅通孔形成过程中磷的新型瞬态增强扩散模型
作者:
Sato H.
;
Aoyama K.
;
Tsuneno K.
;
Masuda H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
diffusion;
ion implantation;
rapid thermal annealing;
CMOS integrated circuits;
semiconductor process modelling;
VLSI;
silicon;
elemental semiconductors;
phosphorus;
transient enhanced diffusion model;
shallow junction formation;
high-dose ion implantati;
86.
Recursive m-tree method for 3-D adaptive tetrahedral mesh refinement and its application to brillouin zone discretization
机译:
递归M树法为3-D自适应四面体网格精制及其在布里渊区离散化的应用
作者:
Wang E.X.
;
Giles M.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
87.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
88.
Simulation of boron diffusion in Si based on the kick-out mechanism
机译:
基于踢出机制的SI硼扩散模拟
作者:
Uematsu M.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
boron;
diffusion;
semiconductor process modelling;
elemental semiconductors;
silicon;
semiconductor doping;
interstitials;
simulation;
boron diffusion;
silicon;
kick-out mechanism;
interstitial;
Si:B;
89.
Two-dimensional calibration of dopant transport models for submicron CMOS transistors
机译:
亚微米CMOS晶体管掺杂剂传输模型的二维校准
作者:
Lau F.
;
Kupper P.
;
Gebhardt K.H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
calibration;
semiconductor device models;
semiconductor doping;
MOSFET;
diffusion;
two-dimensional calibration;
dopant transport models;
submicron CMOS transistors;
complex process models;
damage enhanced diffusion;
submicron regime;
advanced DED model;
90.
Advanced geometric techniques in 3D process simulation
机译:
3D过程仿真中的高级几何技术
作者:
Golias N.A.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
ULSI;
integrated circuit modelling;
computational geometry;
mesh generation;
computational complexity;
masks;
geometric techniques;
3D process simulation;
deep submicron era;
continuous scaling;
IC structures;
computation;
91.
A new comprehensive and experimentally verified electron transport model for strained SiGe
机译:
紧张SiGe新型综合实验验证的电子传输模型
作者:
Bufler F.M.
;
Graf P.
;
Meinerzhagen B.
;
Kibbel H.
;
Fischer G.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
heterojunction bipolar transistors;
semiconductor device models;
Ge-Si alloys;
semiconductor materials;
electron mobility;
Monte Carlo methods;
microwave bipolar transistors;
electron transport model;
heterojunction bipolar transistors;
high frequency ap;
92.
Fast step coverage simulation for 3D contact hole with analytical integral
机译:
具有分析整体的3D接触孔的快速步骤覆盖仿真
作者:
Shinzawa T.
;
Kato H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
93.
Importance of inter-valley phonon scattering on mobility enhancement in strained Si MOSFETs
机译:
谷谷间位散射对紧张SI MOSFET流动性增强的重要性
作者:
Takagi S.
;
Hoyt J.L.
;
Welser J.J.
;
Gibbons J.F.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
carrier mobility;
MOSFET;
inversion layers;
silicon;
elemental semiconductors;
Ge-Si alloys;
semiconductor materials;
semiconductor device models;
interface phonons;
intervalley phonon scattering;
mobility enhancement;
strained MOSFETs;
LSI technology;
c;
94.
Two-dimensional simulation of surface-state effects on slow current transients in GaAs MESFETs
机译:
GaAs MESFET中慢电流瞬态表面状态影响的二维模拟
作者:
Yamada T.
;
Horio K.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
Schottky gate field effect transistors;
semiconductor device models;
surface states;
deep levels;
transient analysis;
two-dimensional simulation;
surface states;
slow current transients;
GaAs MESFET;
deep acceptors;
95.
A consistent dynamic MOSFET model for low-voltage applications
机译:
低压应用的一致动态MOSFET模型
作者:
Schrom G.
;
Stach A.
;
Selberherr S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
interpolation;
circuit analysis computing;
mixed analogue-digital integrated circuits;
MOS integrated circuits;
dynamic MOSFET model;
low-voltage applications;
ultra-low-power technologies;
device model accuracy;
mixe;
96.
A single electron device and circuit simulator with a new algorithm to incorporate co-tunneling
机译:
一种具有新算法的单一电子设备和电路模拟器,包括共隧道
作者:
Wasshuber C.
;
Kosina H.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
single electron transistors;
tunnelling;
semiconductor device models;
piecewise-linear techniques;
Monte Carlo methods;
single electron device;
circuit simulator;
co-tunneling;
constant voltage sources;
piecewise linear voltage sources;
voltage controlle;
97.
Simulation of thermal oxidation and diffusion processes by parallel PDE solver L/sub i/SS
机译:
通过并联PDE求解器L / SUS I / SS模拟热氧化和扩散过程
作者:
Joppich W.
;
Mijalkovic S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
oxidation;
diffusion;
partial differential equations;
semiconductor process modelling;
digital simulation;
thermal oxidation;
diffusion processes;
parallel PDE solver;
L/sub i/SS;
three-dimensional process simulation;
optimal order solution method;
98.
Simulation environment for semiconductor technology analysis
机译:
半导体技术分析仿真环境
作者:
Pichler Ch.
;
Plasun R.
;
Strasser R.
;
Selberherr S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
programmable simulation environment;
semiconductor technology analysis;
SIESTA;
visual user interface;
high-level programming language;
object-oriented method;
LISP;
design of experiments;
response surface modeling;
optim;
99.
Control of crystalline defects on wafers by using simulation in heat treating
机译:
用热处理模拟控制晶片上的结晶缺陷
作者:
Nakao K.
;
Segawa S.
;
Shimazu T.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
heat treatment;
crystal defects;
thermal stresses;
crystalline defects;
simulation;
heat treatment;
thermal stress;
semiconductor wafer;
100.
Grid generation for three-dimensional process and device simulation
机译:
三维过程和设备仿真的网格生成
作者:
Fleischmann P.
;
Sabelka R.
;
Stach A.
;
Strasser R.
;
Selberherr S.
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
1996年
关键词:
semiconductor process modelling;
digital simulation;
mesh generation;
circuit CAD;
three-dimensional process simulation;
mesh generation;
three-dimensional grid;
technology computer-aided design;
TCAD;
IC technology;
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