机译:偏置应力和超高速数字IC相关性能下降下0.1μm自对准栅GaAs MESFET的阈值电压漂移
机译:在p沟道FET中,由于高压导通状态和截止状态应力导致的阈值电压漂移及其变化行为
机译:Al / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs和Al / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub y / Ga /中的DX中心引起的短脉冲阈值电压偏移建模低于1-y /作为MODFET
机译:钝化膜应力对GaAs FET阈值电压偏移的影响
机译:研究氧化镧(III)对锡/二氧化ha /氧化镧/二氧化硅/硅叠层的阈值电压偏移效应。
机译:全V阈值电压偏移分析
机译:通过钝化薄膜内在应力引起的GaAs基板中局部偏振的局部极化分析,钝化薄膜内在应力引起的晶体管阈值电压。
机译:Gaas mEsFET中压电感应阈值电压漂移的二维数值模型的开发与实验验证