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2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会

召开年：2005
召开地：温州
出版时间：

主办单位：中国电子学会

会议文集：2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集

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1.声表面波器件芯片附着强度不合格因素分析与改进措施研究
- 徐爱斌;欧叶芳
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文针对DPA中出现的声表面波(SAW)器件芯片附着强度不合格问题,通过多次的试验检测、分析数据和研究标准,进行了芯片附着强度因素分析,提出了改进措施.
2.SDB/SOI双极型晶体管可靠性评价
- 张鹏;章晓文;李斌;陈平
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果,对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行可靠性评价实验,通过对反偏集电极电流IC,反偏基极电流IR,正偏输出特性下的基极电流IB和电流放大倍数β的测量,找出β和时间t之间的关系,从而推算出在各个偏压下,晶体管的使用寿命和β随时间变化的情况,并且建立了初步的模型.
3.提取集成电路热阻参数试验方法研究
- 钟征宇;焦慧芳;温平平
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文从老化筛选模型入手,阐述了老化模型参数热阻的重要性.基于热阻测量原理,给出了常见的热阻测量方法,同时分析了各测量方法的优缺点.在此基础上提出了一种新颖的封装热阻估计实验方法,虽然本方法不能精确地测量出国产VLSI的热阻值,但给出了一种国产VLSI封装热阻数据的获取方法.实验证明这种方法具有较强的实用性,不失为一种国产VLSI热阻参数快速确定的工程技术.
4.双极运算放大器在不同剂量率下的辐射损伤效应
- 任迪远;陆妩;余学锋;郭旗;艾尔肯
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显;双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大.有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应.文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨.
5.微处理器(CPU)的稳态电离辐射(总剂量)试验
- 吴琦;魏建中
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了集成电路稳态电离辐射(总剂量)试验的原理、标准、条件和程序,并以3款不同的微处理器(CPU)为例,按GJB548A方法1019A进行了稳态电高辐射(总剂量)试验,试验结果反映了不同CPU的不同抗辐照能力,试验示例说明,GJB548A方法1019A是检验微电子器件抗辐照能力的有效试验手段.
6.夹具在HALT试验中的重要性
- 汪卫华
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：高加速寿命试验(HALT)在国外使用已经有30年左右的历史,由于HALT试验是一个非常复杂的试验过程,若没有一定的经验,即使做了HALT试验也不会有很明显的效果.本文叙述了HALT试验中夹具的重要性.
7.电子元器件破坏性物理分析(DPA)综述
- 刘眉存;胡圣;吴生虎
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了国内外电子元器件破坏性物理分析(DPA)的现状,从中总结了DPA工作的效果,并对几类特殊电子元器件在DPA中存在的问题作了介绍,对更好地全面开展电子元器件DPA工作有一定参考意义.
8.徽电子器件失效激活能的快速评价方法
- 郭春生;李志国;吴月花;程尧海;廖京宁
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价微电子器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅PNP三极管3CG120进行额定功率下,170℃-345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系,根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算,从而确定其对应的失效激活能.
9.钝化层对铝膜应力影响的研究
- 吴月花;付厚奎;李志国;吉元;刘志明
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,同时采用光偏振相移干涉原理对硅基片上不同钝化层下的铝膜应力变化进行了研究.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.钝化层为SiO2的应力最小,且分布较为均匀,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大,且分布最不均匀,应力差最大为3.63×103Pa.测量结果验证了模拟结果.
10.固体发动机可靠性试验综述
- 陈晓明
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文针对在型号研制过程中出现的失效现象,采用FTA分析技术进行了全面的失效原因分析,通过分析给出导致故障模式发生的60余种底事件,为进一步确定故障原因提供依据,同时把分析过程的逻辑关系给予清晰的展示.
11.AlGaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性仿真
- 张小玲;谢雪松;鲁小妹;吕长志;李志国
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文采用ISE仿真软件对AlGaN/GaNHEMT的不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369mS/mm,261mS/mm和495mS/mm,最大漏源电流分别为:681.21mA/mm、467.56mA/mm和1004.6mA/mm.其特性随温度的升高而下降.
12.多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术--反应离子腐蚀(RIE)及其在失效分析中的应用
- 林晓玲;费庆宇;章晓文;施明哲
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术--反应离子腐蚀去钝化层法,包括其原理、与其他芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响,并列举了几个实用例子.反应离子腐蚀法实现了芯片表面和内部结构的可观察性和可探测性,降低了失效分析时样品制备的风险,是VLSI失效分析过程的重要步骤.
13.关于元器件'失效现象不复现'的原因初探
- 范士海
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了电子设备几种常用元器件(包括电容器,电磁继电器,机械开关及半导体器件等)易发生"失效现象不复现"的一些常见的"失效模式";针对每种"失效模式",对发生这种现象的机理进行了探讨.在此基础上,对元器件发生"失效现象不复现"的常见原因进行了归纳与总结.
14.印制电路板镀通孔应力-应变分布的简化模型
- 孙博;谢劲松;康锐
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：印制电路板中的镀通孔在热循环的环境条件下会发生疲劳断裂,从而丧失电连接的功能.本文对热循环条件下镀通孔的应力-应变分布进行了研究.文章建立了简化的镀通孔空间轴对称物理模型,结合FEM分析结果对热应力条件下镀通孔的几何方程、平衡方程以及物理方程进行求解,建立了解析形式的应力-应变分布简化模型,通过FEM分析结果验证了模型的正确性和有效性,该模型可进一步用于评估镀通孔的疲劳寿命.
15.行波管阴极组件热特性模拟分析
- 宋芳芳;何小琦
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文建立了电子枪阴极组件热状态有限元分析方程,采用ANSYS软件对电子枪阴极组件进行稳态阴极工作温度均匀性和阴极预热时间的模拟分析,为阴极组件的优化设计提供了参考,有助于阴极研制单位提高阴极的寿命和解决电子枪的快速启动等问题.
16.阴极的共性缺陷模式及影响研究
- 杨丹;宋芳芳;李少平;张晓明
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了扩散阴极的共性缺陷研究,并给出相关缺陷分析实例及其应用.结合阴极关键生产工艺流程,借鉴FMEA可靠性分析思想,建立起阴极的缺陷、缺陷危害及控制措施分析体系,成为建立缺陷半定量、定量分析准则的重要基础.体系和缺陷图集的完成,可上升至阴极制造行业相关可靠性准则的制定,填补国内此研究领域的空白.对真空器件领域阴极可靠性的提高,有着非常深远的意义.
17.浅谈电磁继电器微粒碰撞噪声检测(PIND)
- 陆劲;张树琨
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文描述了电磁继电器微粒碰撞噪声检测(PIND)的检测方法,阐述了进行微粒碰撞噪声检测时应注意的事项.
18.航天发射场可靠性技术工程应用研究
- 赵岳生;张志芬;首俊明
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对航天发射场可靠性技术工程应用进行了研究。文章阐述了构造高可靠性系统,实现系统可靠性增长的原则与方法.为航天发射场的信息化建设与跨越式发展准备良好的硬件条件,为技术决策提供依据.
19.电子设备可靠性预计新方法PRISM综述
- 彭道勇;刘春和;朱三可;赵韶平
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文利用对比的方法,对电子设备可靠性预计新方法PRISM从特点、软件、总体方案、方法思路、系统和部件可靠性评估模型方面进行了概述,最后介绍了其可更新性和优缺点.
20.舰船通信装备天线组件存在的问题及可靠性改进的对策
- 王仕勇;宿勇;宋显娜
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文针对舰船通信装备天线组件存在的问题和常见故障,结合多年积累的实践经验,阐述了提高天线组件可靠性改进的对策和建议,对提高天线组件可靠性,减少天线故障,具有重要参考价值.
21.国外固体火箭发动机可靠性研究现状及发展趋势
- 彭道勇;刘春和;朱三可;李新俊
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文可靠性的角度出发,对国外固体火箭发动机在典型故障模式、贮存寿命和可靠性试验等方面的研究现状和发展趋势进行了较为深入的分析研究,针对我国固体火箭发动机可靠性研究上存在的不足,借鉴国外成功的经验做法,由此获得一些有益的启示.
22.可靠性增长设计方法
- 莫世禹
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对可靠性增长设计技术进行了研究.文章对可靠性增长进行了概述;阐述了可靠性增长方法;介绍了可靠性增长试验过程;论述了可靠性增长试验计划与评估.
23.实际使用中的可靠性增长试验方法
- 叶长发
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：Duane、AMSAA以及AMSAA-BISE增长模型在工程中应用比较困难.本文阐述了实际工程中所使用的具体的可靠性增长试验方法及如何确定施加环境应力量级、时间及剖面.
24.电子产品中的环境应力筛选研究
- 刘军;林震;汤龙舟;朱亮
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：环境应力筛选(ESS)是保证产品使用可靠性的一种有效方法.本文论述了环境应力筛选的目的和意义,分析了ESS的典型实践方法,给出了ESS认识上的两个误区,给出了ESS在使用过程中的建议
25.环境应力筛选技术
- 吴建忠
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文简述了ESS(EnvironmentalStressScreening)环境应力筛选技术和ESS程序开发的关键点.
26.某电子设备的振动试验失效及原因分析
- 戴柏林;王志刚;周峻林
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一例电子设备在振动试验中出现元器件失效的基本情况,分析了失效的原因,并提出了解决失效的方法及机籍和印制板抗振设计时应注意的问题.
27.信息处理系统软件可靠性设计的研究
- 李华
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：随着科学技术的不断进步和发展,数字化军队把信息技术、作战理论和军队编制三者融为一体,计算机软件起着重要作用.本文在简要阐述软件可靠性的重要性的基础上,对舰船通信信息处理系统所采用的可靠性技术作了详细介绍.
28.舰船电子装备软件常见故障分析及可靠性改进建议
- 王仕勇;宿勇;宋显娜
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文在阐述了海军舰船电子装备软件现状和发展前景的基础上,论述了提高装备软件可靠性的重要意义.通过对装备软件常见故障原因和排除方法的分析,提出了可靠性、可维护性改进的对策与建议,对提高电子装备软件可靠性具有重要参考价值.
29.装备软件质量管理存在的问题及对策
- 祝军生;夏和生;李华
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文分析了目前装备软件研制质量管理存在的问题,并从建立软件质管体系(SQA)、软件配置管理、项目研制全过程质量管理、软件"三库"管理等方面提出了相应的对策.
30.加强计算机网络安全问题的探讨
- 王仕勇;宿勇;宋显娜
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对加强计算机网络安全问题进行了探讨.文章指出了非法黑客和计算机病毒对网络安全构成的威胁;提出了非法黑客和计算机病毒入侵的防范措施;阐述了如何运用"防火墙"技术防范非法黑客和计算机病毒的入侵.
31.频谱分析仪测量准确性的探讨
- 李云生;陈广聪
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：频谱分析仪是一台高准确度、高价值、多功能的测量仪器,在使用过程中容易造成不必要的仪器损坏及带来一些影响测试结果的误差,本文对使用频谱分析仪提高测量准确性进行了介绍和分析.
32.隔离大功率电磁辐射可行性分析
- 王彦碧
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：为了解决大功率发射源造成的电磁辐射问题,本文提出了一个屏蔽的实现方案,文章从无线电波传播的机理、屏蔽原理、屏蔽效能等几个方面分析了这种方案的可行性.
33.接触元件多余物控制技术
- 蔡懿
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文通过简述产品质量问题的重要性及多余物的危害性,引出了目前我国对接触元件内部多余物检测鉴别和破环性物理分析等检测方法,总结了接触元件设计和制造过程多余物的预防和控制技术.
34.某片式塑封电感器的结构分析
- 张延伟;孙吉兴
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文从一例电感器的失效分析入手,对该电感器进行了结构分析,发现了电感器在结构设计上的几个缺陷,对缺陷进行了分析,并给出了改进建议.
35.塑封微电路(PEM)应用于高可靠领域的风险及对策
- 来萍;恩云飞;牛付林
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文从塑封徽电路的物理性能和主要可靠性问题出发,介绍了将PEM应用于高可靠领域(如航空、航天、军用)中可能产生的风险,探讨了为将低使用风险而采用的升级筛选、质量鉴定以及可靠性评价等方法和技术手段.
36.双极型微波功率晶体管热失效原因分析
- 李萍;来萍;郑廷圭
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文阐述了双极型微波功率晶体管的主要失效模式及失效机理,重点分析了热应力导致的失效,介绍了两个典型的失效分析案例,并提出对功率管进行优选的措施.
37.CMOS集成电路的闩锁及预防
- 马璇
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对CMOS集成电路中寄生可控硅的触发机理、闩锁特性的测量和分析、闩锁效应的预防等方面进行讨论,并以两个具体事例说明CMOS电路闩锁特性的测试分析及闩锁的预防.
38.MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
- 林丽;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;李斌;罗宏伟;师谦;何玉娟;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂量下Ⅰ-Ⅴ转移特性曲线和阈值电压的变化以及器件结构尺寸对总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明一定总剂量辐射条件下,NMOSFET较敏感的两个结构尺寸中,栅氧化层对器件的总剂量辐射效应的影响最大,沟道浓度对其没有影响.
39.EMP对GaAs器件毁伤作用机理研究
- 李用兵;王长河;李继国;何大伟
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文研究了EMP对GaAs器件毁伤作用的机理,介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性.
40.非接触式智能卡可靠性预计模型及预计软件
- 王勇;魏建中;王群勇
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对智能卡中各个模块的可靠性进行了分析,建立了非接触式智能卡的可靠性预计模型,对整个智能卡的最终稳定状态进行预估计算,在此基础上,开发了非接触式智能卡的可靠性预计软件,并简单介绍了软件的性能.
41.晶体管热的产生与散失
- 刘红兵;程春红;许洋
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：晶体管工作时会产生热量,热量会导致结温的升高,结温的升高超过一定限度会引起晶体管的参数不稳定,工作寿命的缩短,甚至热奔脱而烧毁.研究晶体管的热量的产生与散失,最大限度的降低其结温,对晶体管的使用有着十分重要的意义,本文对这一问题进行了论述和分析.
42.如何采购优质电子元器件
- 牛付林
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文主要介绍了电子元器件采购中的三种质量控制技术(电性能测试、物理分析和可靠性试验),以及他们相互之间的关系.并列举了一些有代表性的元器件门类及其常见的失效模式,根据元器件工作条件及特点指出了元器件采购进货中质量控制方案一般应包括的试验项目,以此说明这三种质量控制技术在电子元器件采购中发挥的作用.
43.元器件失效分析信息管理
- 冯洁
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文阐述了失效分析信息管理的目的及内容,介绍了LOTUS失效分析管理系统的结构特点及使用规定,明确了加强信息化建设的重要意义.
44.加速试验中判别失效机理一致性新方法的研究
- 李志国;郭春生;谢雪松;程尧海
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文通过对电子器件加速试验失效模型-Arrhenius模型的研究,发现当加速试验过程中,失效机理不发生改变时,电子器件失效敏感参数的退化速率与施加应力的负倒数遵从指数关系,从而提出了一种加速试验失效机理一致性的判定方法.并对样品3DG130进行了150℃-310℃的序进应力加速试验,快速得到了失效机理一致的应力范围,验证了方法的可行性.
45.一种基于LFSR与MARCH C+算法的 SRAM内建自测电路设计
- 焦慧芳;信息产业部电子第五研究所;张小波;贾新章
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种基于LFSR与MARCHC+算法的SRAM内建自测试新结构,基于此结构设计了2K×8嵌入式静态存储器(SRAM)的内建自测电路,给出了电路的仿真与综合结果.文章对比分析了这种新结构与传统结构的特性,指出这种新结构具有可复用性、面积较小、速度较快、故障覆盖率高等优点,是一种实用的、可推广应用的内建自测试结构.
46.半导体器件的通用电迁移失效物理模型
- 赵宇;谢劲松
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文详细地讨论了电迁移的影响因素,对不同条件下电迁移失效模型之间的联系进行了分析,给出了电迁移失效模型的通用模型并进行了半导体器件可靠性评估的案例研究.
47.X2金属化聚丙烯膜电容器直流/交流试验方法的研究
- 余英娥;周国凤
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文通过对X2金属化聚丙烯膜电容器击穿与自愈现象的分析,探讨了该类电容器的直流/交流试验机理及试验方法.
48.浅谈交流固态继电器及其使用可靠性
- 张继辉;李瑛;穆晓曦;崔亦斌
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：交流固态继电器是一种具有工作可靠、寿命长,对外界干扰小,能与逻辑电路兼容、抗干扰能力强、开关速度快和使用方便等优点的新型无触点开关器件,具有很宽的应用领域.本文从五个方面,简要阐述了交流固态继电器的原理、结构、特点及交流固态继电器的适用范围,并针对使用交流固态继电器,在可靠性设计上需要注意的一些问题进行了探讨.
49.光纤连接器可靠性预计模型研究
- 张增照;聂国健;庞富丽
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文在分析光纤连接器的主要失效模式及其影响程度和国内外有关资料、数据的基础上,提出了光纤连接器的失效率预计模型.以大量光纤连接器的现场数据为基础,获得光纤连接器的基本失效率和GR、GF2环境下的环境系数;利用光纤连接器配接耐久性试验,获得光纤连接器失效率模型中的连接系数、传输模式系数、端面形式系数;获得了我国第一个光纤连接器的失效率预计模型,该模型已经被GJB/Z299C采用.
50.浅谈电连接器液体浸渍试验
- 张树琨
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了电连接器液体浸渍试验的方法、程序和注意事项,以及试验所使用液体的性状、用途,从而探求电连接器液体浸渍试验液体选择的依据.
51.器件结构参数及工艺对ESD的影响
- 刘远;信息产业部电子第五研究所;恩云飞;李斌;罗宏伟;师谦
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：随着深亚微米时代的到来,工艺的不断进步,器件尺寸成比例缩小,IC的抗静电能力显得更加重要,本文综述了部分器件结构,参数及工艺流程对器件抗ESD性能的影响.
52.IC失效分析中电测技术及其应用研究
- 林晓玲;费庆宇;师谦;肖庆中
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对IC失效分析中电测技术进行了介绍,包括敏感参数测试中的待机电流测试、瞬态电流测试、端口Ⅳ特性测试、扫描端口测试,并对各种电测技术进行了举例说明.
53.混合电路贮存失效模式及机理和贮存可靠性评价方法
- 黄云;恩云飞;杨丹
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文系统地分析和总结了混合电路在贮存中的失效模式及机理,温度、湿度以及化学等因素是导致贮存失效的主要原因,混合电路贮存失效表现出大量的因工艺和设计等缺陷导致芯片/元件粘接、键合、封装等非贮存磨损失效的缺陷导致失效.论述了缺陷消除或控制法、贮存寿命加速试验法、标准单元结构评估预计法、自然贮存试验法等评价贮存可靠性的方法,为如何评估/评价混合电路贮存可靠性提供了思路和参考.
54.MEMS及微机械加速度计可靠性研究
- 许建军;信息产业部电子第五研究所;孔学东;李斌;师谦
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：由于MEMS器件的应用日益频繁,MEMS可靠性研究就显得十分重要.本文介绍了引起可靠性问题的方面,以微机械加速度计为例,指出了徽加速度计的可靠性问题,以及对其可靠性测试研究的内容.
55.检测实验室测量管理体系的建立和实施
- 许少辉;阳辉;王文双
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文从测量管理体系的测量设备和测量过程两个重要的方面,通过在检测实验室的应用,为实验室技术能力奠定基础,保障测量结果的量值溯源,更好的确保测量结果的准确性和一致性和提供公证数据.
56.失效模型的形式与实时故障诊断预测的基本方法和技术
- 谢劲松
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文从对失效模型的形式与对实时故障诊断预测基本方法和技术的总结出发,讨论了不同的方法和技术之间的相互关系和适用范围,为在实际的故障诊断和预测中确定正确的方法和技术并建立有效的技术框架和实施途径奠定理论基础.
57.固体发动机失效模式与药柱老化分析研究
- 齐俊臣;刘春和;刘雪峰
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文首先分析了影响固体发动机长期贮存的典型失效模式,进而全面分析固体发动机药柱在全寿命周期承受的主要载荷以及各种载荷对发动机药柱的影响,对影响复合固体推进剂老化的的因素进行了研究,强调要加强对固体发动机推进剂性能的研究,同时努力为导弹贮存创造良好的环境条件.
58.成败型产品可靠性鉴定试验探讨
- 林震;程永生;姜同敏;胡斌
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：可靠性鉴定试验是为了验证产品设计是否达到了规定的最低可接收的可靠性要求,是批量生产前的试验,为生产决策提供管理信息.本文从应用的角度出发,从试验参数n的确定、故障处理原则、预防性维修和整修、增大通过鉴定试验的方法等几个方面对成败刑产品可靠性鉴定试验中的一些典型问题展开了探讨.
59.可靠性筛选试验技术
- 王玉莹;章永锡
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了可靠性筛选试验机理及筛选应力选取原则,介绍了有关应力的筛选机理,对各种应力的筛选效果进行了对比,并指出一些需要注意的事项.
60.地空导弹电子舱环境应力筛选试验探讨
- 张绍伟;陈万创
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文论述了对地空导弹电子舱实施舱段级环境应力筛选试验得方法,给出了选择舱段级进行环境应力筛选试验的思路,讨论了试验设备的选择、试验方案的确定和试验判据等等一系列问题.文中详细讨论了如何确定环境应力筛选试验的环境应力和电应力,分析了各相应力对发现故障所起的作用.
61.元器件可靠性增长评估
- 杨家铿
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文在总结元器什可靠性增长工作经验的基础上,通过比较、分析可靠性增长前后的寿命试验结果和现场可靠性数据,提供了评估元器什可靠性增长效果的实用方法.其中,应用GJB/Z299<电子设备可靠性预计手册>中各类元器件基本失效率随工作应力变化的关系,可方便地评估增长后在使用状态下的可靠性水平,为评估可靠性增长的实际效果开拓了便捷途径.文中以实例说明评估方法,以具体数据体现增长效果.
62.应加强实验室间密封检验的比对工作
- 陆劲
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对加强实验室间密封检验的比对工作进行了探讨,文章细述了密封检验需要注意的一些问题,以及通过实例分析说明了实验室间密封检验比对试验的重要性.
63.针对塑封微电路失效机理的使用对策
- 金毓铨;戴爱节
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍美国军方和航天系统根据塑封徽电路(PEM)的失效机理而采取的使用对策,包括可使用的场合,控制思路,质量保证措施等,可供我国制定在高可靠系统中采用PEM的政策时参考.
64.MOS器件总剂量辐射效应研究中的测试技术
- 刘洁;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;孔学东;罗宏伟;周继承
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对总剂量电离辐射效应研究中正在广泛使用的测试技术--电测试技术和微结构测试技术,以及正处于研究发展阶段的光学测试技术进行了简单的原理介绍和应用分析.
65.JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性
- 陆妩;任迪远;郭旗;余学峰;艾尔肯
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(100、10、1及0.01、0.0064rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的"后损伤"现象.文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨.
66.MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
- 何玉娟;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;李斌;师谦;罗宏伟;林丽;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要分析了它们实现分离电荷的原理,以及各种方法的优点和局限性.
67.粒子碰撞噪声检测、分析讨论
- 蒋利田;王文双
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：粒子碰撞噪声检测是破坏性物理分析方法中的一个重要检测项目.本文介绍了粒子碰撞噪声检测的目的、方法、探测及分析技术.
68.MCM热阻矩阵技术
- 邱宝军;何小琦
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种基于线性叠加原理的多芯片组件结到壳热阻表示方法-热阻矩阵,描述了利用有限元热模拟方法建立多芯片组件的热阻矩阵基本方法.文章采用有限元热模拟技术对热阻矩阵方法进行了验证,结果表明,和有限元模拟结果相比热阻矩阵技术预测MCM芯片结温的误差在2％以内.
69.控制结温的功率晶体管稳态工作寿命试验的实现
- 贾颖;李逗;曾晨晖;梁伟;曹红
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文提出了稳态工作条件下功率晶体管结温测量与控制的实现方法,重点介绍了试验装置的原理、硬件结构和软件控制及实现思路.
70.SOI器件的特性与失效机理
- 章晓文;恩云飞
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文对SOI器件的优良特性进行了描述,对SOI与体硅CMOS电路的漏电流作了对比.介绍了SOI材料的制作方法,主要的两个技术途径是氧离子注入隔离技术和硅片直接键合与背面腐蚀技术.阐述了SOI器件特有的失效机理与应用领域,认为在二十一世纪SOI技术必将得到进一步的发展.
71.单片集成电路非工作状态可靠性研究
- 吴生虎;韩林;朱心永;赵喜庆
- 《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2005年
摘要：本文在多方面对长期存贮电路进行研究总结,得出经严格老化和静态温度试验的单片集成电路,在气密性良好的状态下长期存贮,其参数可以保持较高的稳定性.