integrated circuit modelling; integrated circuit reliability; silicon-on-insulator; thin film transistors; SRAM chips; doping profiles; soft error rate modeling; SOI/TFT SRAM; maximum allowable gain; lifetime reduction; SOI film thickness; channel doping;
机译:基于电阻的BOX下辐射诱导的电势扰动引起的SOI SRAM软错误的建模
机译:使用散装核探针和技术节点为90 nm的SOI SRAM评估软错误率
机译:低于130nm技术节点的商用SOI和批量SRAM的软错误率比较
机译:SOI / TFT SRAM的软错误率建模和分析
机译:建模和缓解纳米级SRAM中的软错误。
机译:Microsoft Kinect™深度传感器的基于统计分析的错误模型
机译:高级SRAM存储器的软错误率:造型和蒙特卡罗模拟
机译:软件开发预测器,错误分析,可靠性模型和软件度量分析