Modeling and simulation of spatial dependent transient diffusion after BF/sub 2/ implantation

机译：BF / SUB 2 /植入后空间依赖性瞬态扩散的建模与仿真

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In this paper, we study the effect of high-dose BF/sub 2/ implantation/annealing sequences on the redistribution of dopant atoms already present in silicon crystal. Transient diffusion and activation effects are investigated using numerical simulation and experimental data obtained from silicon samples containing a buried layer of boron.

机译：在本文中，我们研究了高剂量BF / sub 2 /植入/退火序列对已经存在于硅晶体中的掺杂剂原子的再分配的影响。使用从包含掩埋硼层的硅样品获得的数值模拟和实验数据来研究瞬态扩散和激活效果。

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来源
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》|1996年||共2页
会议地点
作者
Hofler A.; Feudel T.; Strecker N.; Fichtner W.; Suzuki K.; Sasaki N.; Kataoka Y.; Gratsch F.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
关键词
diffusion; ion implantation; doping profiles; annealing; semiconductor device models; spatial dependent transient diffusion; ion implantation; annealing sequence; dopant redistribution; transient diffusion; activation effects; numerical simulation; Si:BF;

机译：扩散;离子植入;掺杂型材;退火;半导体器件模型;空间依赖性瞬态扩散;离子植入;退火序列;掺杂剂再分配;瞬态扩散;激活效果;数值模拟;SI：BF;
入库时间 2022-08-21 10:52:21

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