Monte Carlo methods; ion implantation; semiconductor device models; amorphisation; point defects; diffusion; MOSFET; Monte Carlo simulation; ion implantation; amorphization; irradiated crystal zones; spatial location; extended defects; point defects; lat;
机译:离子注入引起的硅原子位移和非晶化的蒙特卡洛模拟
机译:离子注入过程中硅非晶化的蒙特卡洛模拟
机译:预非晶化过程中碳共注入的动力学蒙特卡洛(kMC)模拟
机译:离子注入过程中硅非晶化的蒙特卡洛模拟
机译:量子校正的全频带半经典蒙特卡洛模拟研究,用于硅,应力硅和硅锗MOSFET中的电荷传输。
机译:可植入皮肤的发光传感器的三维多波长蒙特卡洛模拟
机译:坡度和退火温度对植入硅硼瞬态扩散的影响:动力学蒙特卡罗模拟