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Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996
Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996
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1.
Luminescence of high density excitnos in GaN
机译:
GaN中高密度激子的发光
作者:
D.K.Nelson
;
M.A.Jacobson
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
2.
Linear and nonlinear optical investigations of GaN and AlGaN/GaN heterostructures
机译:
GaN和AlGaN / GaN异质结构的线性和非线性光学研究
作者:
J.J.Song
;
a.J.Fischer
;
W.Shan
;
B.Goldenberg
;
G.E.Bulman
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
3.
Light-emitting diodes based on GaN
机译:
基于GaN的发光二极管
作者:
A.G.Drizhuk
;
M.V.Zaitsev
;
V.G.Sidorov
;
D.V.Sidorov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
4.
Magnetoluminesence of Ge/Ge_(1-x)Si_x multiple quantum well structures
机译:
Ge / Ge_(1-x)Si_x多量子阱结构的磁致发光
作者:
N.G.Kalugin
;
a.V.Chernenko
;
Z.F.Krasilnik
;
OA.Kuznetsov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
5.
Magnetic anisotropy in Cd_(1-x)Mn_xTe alloys revealed by polarized luminescence
机译:
极化发光显示Cd_(1-x)Mn_xTe合金的磁各向异性
作者:
A.V.Koundinov
;
Yu.G.Kusrayev
;
K.V.Kavokin
;
I.a.Merkulov
;
B.P.Zakharchenya
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
6.
Micromechanics of coherent multilayer structures
机译:
相干多层结构的微力学
作者:
A.N.Efimov
;
A.O.Lebedev
;
A.M.Tsaregorodtesev
会议名称:
《》
|
1996年
7.
Mid-infrared diode lasers based on III-V alloys for the spectral range 3-4 mu m
机译:
基于III-V合金的中红外二极管激光器,光谱范围为3-4微米
作者:
Yu P.Yakovev
;
T.N.Danilova
;
O.G.Ershov
;
A.N.Imenkov
;
K.D.Mosieev
;
M.P.Mikhailova
;
V.V.Sherstnev
;
G.G.Zegrya
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
8.
Method for observation of facet degradation and stabilization in InGaAs/AlGaAs laser diodes
机译:
InGaAs / AlGaAs激光二极管中刻面退化和稳定性的观察方法
作者:
G.Beister
;
J.Mage
;
G.Ebrt
;
I.Rechenberg
;
J.Sebastian M.Wyeyers
;
J.Wurfl
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
9.
Nature of disolcation-related luminesence in diammond, zinc-blende and wurtzite-type semiconductors
机译:
金刚石,闪锌矿和纤锌矿型半导体中与位错有关的发光的性质
作者:
Y.T.Rebane
;
Y.G.Shrete
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
10.
Nekw effects due to local illumination of semiconductor heterostructures with two-dimensional electron gas
机译:
由于用二维电子气对半导体异质结构进行局部照明而产生的Nekw效应
作者:
O.a.Ryabushik
;
V.A.Sablikov
;
A.O.Volkov
;
V.G.Mokerov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
11.
Monte carlo simulation of impact ionization effects in MSM photodetectors and MESFET's
机译:
MSM光电探测器和MESFET中碰撞电离效应的蒙特卡洛模拟
作者:
G.M.Dunn
;
J.P.R.David
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
12.
Monolithic optical receiver fabricated by AlGaAs/InGaAs doped-channel heterostructures
机译:
AlGaAs / InGaAs掺杂沟道异质结构制成的单片式光接收机
作者:
Feng-Tso Chien
;
Yi-Jen Chan
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
13.
200 GHz distributed InGaAs metal-semiconductor-metal photodetectors for the long-wavelength regime
机译:
用于长波长范围的200 GHz分布式InGaAs金属-半导体-金属光电探测器
作者:
E.H.Bottcher
;
E.Droge
;
D.Bimberg
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
14.
A new technique comprising oxygen-implantation and crystal regrowth for vertical integration of optical devices on vertical-cavity surface emitting lasers
机译:
包括氧注入和晶体再生的新技术,用于将光学器件垂直集成在垂直腔表面发射激光器上
作者:
Hiroyuki Uenohara
;
Kouta Tateno
;
Yoshitaka Kohama
;
Yutaka matsuoka
;
Hidetoshi Iwamura
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
15.
Optical pertubation spectroscopy of modulation-doped InP/InGaAs heterostructures
机译:
调制掺杂的InP / InGaAs异质结构的光学灌注光谱
作者:
I.A.Buyanova
;
W.M.Chen a.V.Buyanov
;
B.Monemar
;
W.G.Bi
;
C.W.Tu
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
16.
AFM study on MBE kink-flow growth of ordered INAs quantum dots on GaAs (001) vicinal surface misoriented towards the 010 direction
机译:
AFM研究GaAs(001)邻近表面上有序INAs量子点朝向010方向取向的MBE扭结流增长
作者:
V.P.Evtickhiev
;
A.K.Kryganovskii
;
A.B.Komissaarov
;
A.N.TSitkov
;
M.Ichida
;
A.Nakamura
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
17.
Optotelectronic 2-D MESFET
机译:
光电二维MESFET
作者:
F.Schuermeyer
;
N.Bunger
;
W.C.BPeatman
;
M.S.Shur
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
18.
Optimization of initial layer for highly-mismatched heteroepitaxial growth: InSb on Si
机译:
高度不匹配的异质外延生长的初始层的优化:Si上的InSb
作者:
T.Hariu
;
K.Sawamura
;
F.Ito
;
H.Ohba 3
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
19.
Optical spectra and phase separation effects in relaxed InGaAs grown by MOVPE method
机译:
MOVPE法生长的弛豫InGaAs中的光谱和相分离效应
作者:
A.S.Vlasov
;
V.G.Melehin
;
A.M.Mintairov
;
V.M.Lantratov
;
I.V.Kochnev
;
M.A.Synitsin
;
B.S.Yavich
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
20.
Ordered structures in MOCVD epitaxial AlGaInP alloys
机译:
MOCVD外延AlGaInP合金中的有序结构
作者:
V.I.Vdovin
;
M.G.Milvidskii
;
A.A.Chelnyi
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
21.
Optical and electrical properties of the CdS/PbS thue-morse and fibonacci superlattices at visible and UV regions
机译:
CdS / PbS摩尔-莫尔斯和斐波那契超晶格在可见光和紫外光区域的光学和电学性质
作者:
S.F.Musikhin
;
V.I.Ilin
;
O.V.Rabizo
;
L.G.Bakueva
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
22.
Phase diagram of pseudomorphic binary semiconductor compound cry stal
机译:
准晶态二元半导体化合物晶体的相图
作者:
Sergei I.Chikichev
;
Ivan S.Chikichev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
23.
Porous GaN
机译:
多孔癌
作者:
M.G.Mynbaeva
;
D.V.Tsvetkov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
24.
Blue light emission from intra-cavity dobuled (In, GA)As/GaAs quantum well lasers on (112) GaAs substrates
机译:
(112)GaAs衬底上腔内掺杂(In,GA)As / GaAs量子阱激光器发出的蓝光
作者:
E.Towe
;
P.A.Ramos
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
25.
Current-carrying magnetic states engineering by nonmonotonic potential profile
机译:
非单调势分布的载流磁态工程
作者:
D.A.Romanov
;
S.A.Studentikin
;
V.A.Tkachenko
;
O.A.Tkachenko
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
26.
Crystalline structure of II-VI compounds in the region of wurtzite-zinc blende transition
机译:
纤锌矿-锌共混物过渡区II-VI化合物的晶体结构
作者:
S.A.Permogorov
;
L.N.Tenishev
;
M.B.Chernyshov
;
N.N.Faleev
;
E.P.Denisov
;
D.L.Fedorov
;
P.I.Kuznetsov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
27.
Deep level trap characterization of InGaP/GaAs heterointerface grown by LP-MOVPE
机译:
LP-MOVPE生长的InGaP / GaAs异质界面的深能级陷阱表征
作者:
T.Kikkawa
;
K.Imanishi
;
K.Fukuzawa
;
T.Nishioka
;
M.Yokoyama
;
H.Tanaka
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
28.
Criteria for the growth of III-nitrides for blue-green emitting devices
机译:
用于蓝绿色发射器件的III型氮化物生长的标准
作者:
B.Wachtendorf
;
O.Schon
;
E.Woelk
;
D.Schmitz
;
G.Strauch
;
H.Jurgensen
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
29.
Diagnostics of time instability of insulator-III-V semiconductor compound interface characteristics
机译:
绝缘子-III-V半导体化合物界面特性的时间不稳定性诊断
作者:
L.S.Berman
;
N.M.Shmidt
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
30.
Diagnostics of semiconductor structures based on InP and its related compounds by vibtration spectroscopy
机译:
基于InP及其相关化合物的共振光谱法诊断半导体结构。
作者:
A.T.Gorelenok
;
A.V.Kamanin
;
I.A.Mokian
;
M.M.Shmidt
;
O.V.Titkova
;
I.Yu.Yakimenko
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
31.
Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A_3B_5 quantum wells
机译:
直接观察I型A_3B_5量子阱中俄歇复合的非阈值过程
作者:
V.P.Evtikhiev
;
I.V.Kudryashov
;
V.E.Tokranov
;
D.V.Prilutsky
;
G.G.Zegrya
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
32.
Dynamics of base widening in GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
GaAs异质结双极晶体管基极加宽的动力学
作者:
V.A.Posse
;
B.Jalali
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
33.
Electrical and photoluminescent properties of Pr_2O_3 associate InP and InGaAs liquid phase epitaxy
机译:
Pr_2O_3缔合InP和InGaAs液相外延的电和光致发光特性
作者:
L.B.Chang
;
C.C.Liup
;
Y.C.Cheng
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
34.
Electron state symmetries and optical transitions in the (GaAs)_n(AlAs)_n short-period superlattices grown along the 001,110, and 111 directions
机译:
沿001,110和111方向生长的(GaAs)_n(AlAs)_n短周期超晶格中的电子态对称性和光学跃迁
作者:
Yu.E.Kitaev
;
a.G.Panfilov
;
P.T.ronc
;
R.A.Evarestov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
35.
Emerging heterodimensional electronics for ultra low power applications
机译:
新兴的异尺寸电子产品,用于超低功耗应用
作者:
T.Ytterdal
;
M.Shur
;
WC.B.Peatman
;
M.Hurt
;
R.Tsai
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
36.
Diffusion noise of GaAs MESFETs and p-HEMWTs
机译:
GaAs MESFET和p-HEMWT的扩散噪声
作者:
D.R.Scherrer
;
D.Caruth
;
M.Feng
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
37.
Experimental evidence of confined optical phonons in GaAs/AlGaAs quantum wires observed from raman scattering
机译:
从拉曼散射观察GaAs / AlGaAs量子线中受限光子的实验证据
作者:
B.H.Bairamov
;
A.Aydinli
;
B.Tanatar
;
S.Gurevich
;
B.Ya.Melteser
;
S.V.Ivanov
;
P.S.Kopev
;
V.B.Smirnitskii
;
F.N.Timofeev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
38.
Far IR impurity photoconductivity in strained MQW Ge/GeSi heterostructures
机译:
MQW Ge / GeSi异质结构中的远红外杂质光电导性
作者:
V.Gavrilenko
;
I.Erofeeva
;
A.Korotkov
;
Z.Krasilnik
;
O.Kuznetsov
;
M.Moldavskaya
;
V.Nikonorov
;
L.Paramonov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
39.
Excition localization: from monolayer islands to quantum drops
机译:
激发定位:从单层岛到量子滴
作者:
L.E.Golub
;
A.A.Kiselev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
40.
Gallium nitride thick layers: epitaxial growth and separation from substrates
机译:
氮化镓厚层:外延生长和与衬底的分离
作者:
V.V.Bselkov
;
V.M.Botnaryuk
;
L.M.Fedorov
;
I.I.Diakonu
;
V.V.Krivolapchyuk
;
M.P.Scheglov
;
Yu.V.Zhilyaev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
41.
Heteroepitaxy of Si_(1-x)Ge_xlayers and Ge-Si_(1-x)Ge_x superlattices on Si(100) substrates by HeH_4-Si MBE: growth kinetics and structural studies
机译:
HeH_4-Si MBE在Si(100)衬底上Si_(1-x)Ge_xlayers和Ge-Si_(1-x)Ge_x超晶格的异质外延:生长动力学和结构研究
作者:
L.K.Orlov
;
V.A.Tolomasov
;
A.V.Potapov
;
V.I.Vdovin
;
M.G.Milvidskii
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
42.
Growth of GaN, InGaN, and AlGaN films and quantum well structures by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长GaN,InGaN和AlGaN膜以及量子阱结构
作者:
M.A.L.Johnson
;
Zhonghai Yu
;
C.Boney
;
W.H.Rowland
;
W.C.Hughes
;
J.Cook
;
J.F.Schetzina
;
N.A.El-Masry
;
M.T.Leonard
;
H.S.Kong
;
J.A.Edmond
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
43.
Identification of multivalent molybdenum impurities in SiC crystals
机译:
SiC晶体中多价钼杂质的鉴定
作者:
J.Baur
;
M.Kunzer
;
K.F.Dombrowski
;
U.kaufmann
;
J.Schneider
;
P.G.Baranov
;
E.N.Mokhov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
44.
Influence of the parameters of the donor layer on the characteristics of N-AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMTs
机译:
施主层参数对N-AlGaAs / InGaAs / GaAs P-HEMTs特性的影响
作者:
V.G.Mokerov
;
D.V.Amelin
;
A.V.Hook
;
V.E.Kaminsky
;
Yu.V.Fedorov
;
A.S.Shubin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
45.
High efficiency, multijunction GaInP/GaAs solar cells
机译:
高效,多结GaInP / GaAs太阳能电池
作者:
J.M.Olson
;
Sarah R.Kurtz
;
D.J.Friedman
;
Kris bertness
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
46.
Influence of refractive index contrast on photonic band gap in 3D periodic SiO_2 matrices filled with a semiconductor
机译:
折射率对比度对填充半导体的3D周期性SiO_2矩阵中的光子带隙的影响
作者:
V.N.Astratov
;
Yu.A.Vlasov
;
V.N.Bogomolov
;
A.A.Kaplyanskii
;
O.Z.Karimov
;
D.a.Kurdjukov
;
A.V.Prokofiev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
47.
In-situ characterization of lateral and vertical band structure profiles and hole storage effects in PHEMTs by the photoconduction technique
机译:
利用光电导技术原位表征PHEMT中的横向和垂直带结构轮廓以及空穴存储效应
作者:
Fritz Schuermeyer
;
Charles Cerny
;
Michael Shur
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
48.
InGaAsP.GaAs elastically straned films grown by liquid phase epitaxy
机译:
液相外延生长的InGaAsP.GaAs弹性层膜
作者:
Yu.B.Bolkhovityanov
;
V.L.Alperovich
;
A.S.Jaroshevich
;
M.A.Revenko
;
H.E.Scheibler
;
A.S.Terekhov
;
E.M.Trukhano
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
49.
InGaAs/GaAs quantum DOT lasers with ultrahigh characteristic temperature (T_0 chemical bounds 385K) grown by metal orgaic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长的具有超高特征温度(T_0化学范围385K)的InGaAs / GaAs量子DOT激光器
作者:
M.V.Maximov
;
I.V.Kochnev
;
Yu.M.Shernyakov
;
S.V.Zaitsev
;
N.Yu.Gordeev
;
A.F.Ysatsulnikov
;
A.V.Sakharov
;
I.L.Krestnikov
;
P.S.Kopev
;
Zh.I.Alferov
;
N.N.Ledentsov
;
D.Bimberg
;
A.O.Kosogov
;
P.Werner
;
U.Gosele
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
50.
Integration of highly focusing AlGaAs microlensed LED and double heterojunction bipolar transistors
机译:
高度聚焦的AlGaAs微透镜LED和双异质结双极晶体管的集成
作者:
O-Seung Yang
;
Song-Cheol Hong
;
Young-Se Kwon
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
51.
Improvement of output pulse waveform by dual modulation of three-terminal fabry-perot diode laser
机译:
通过三端法布里-珀罗二极管激光器的双重调制改善输出脉冲波形
作者:
M.S.Shatalov
;
S.A.Gurevich
;
G.S.Simin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
52.
High temperature SiC based rectified diodes: new results and prospects
机译:
高温SiC基整流二极管:新成果和新前景
作者:
A.A.Lebedev
;
M.G.Rastegaeva
;
N.S.Savkina
;
A.S.Tregubova
;
V.E.Chelnokov
;
M.P.Scheglov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
53.
Population inversion and IR emission under real space transfer: prospect for a new source
机译:
真实空间转移下的人口反转和红外辐射:新来源的前景
作者:
V.Aleshikin
;
A.Andronov
;
A.Antonov
;
N.Bekin
;
V.Gavrilenko
;
A.Muravjev
;
S.Pavlov
;
D.Revin
;
V.Shastin
;
E.Linkova
;
I.Malkina
;
EUskova
;
B.Zvonkov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
54.
Upper-barrier localized excitons in (In, Ga)As/GaAs bragg confining superstructures
机译:
(In,Ga)As / GaAs Bragg约束上层结构中的上势垒局部激子
作者:
M.R.Vladimirova
;
A.V.Kavokin
;
M.a.Kaliteevski
;
S.I.Kokhanovskii
;
M.E.Sasin
;
R.P.Seisyan
;
V.M.Ustinov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
55.
Turn-on process in 4H-SiC thyristors
机译:
4H-SiC晶闸管的导通过程
作者:
M.E.Levinshtein
;
J.W.Palmour
;
S.L.Rumyantsev
;
R.Singh
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
56.
Two-dimensional electron systems in oriented curved surfaces
机译:
定向曲面中的二维电子系统
作者:
Lev I.Magarill
;
Dmitry A.Romanov
;
Alexander V.Chaplik
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
57.
ZnSe crystals grown by LEC method
机译:
LEC法生长的ZnSe晶体
作者:
A.Hruban
;
W.Dalecki
;
K.Nowysz
;
S.Strzelecka
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
58.
Transport properties of AlAs/GaAs multilayer structures grown on (311)A GaAs substrates
机译:
在(311)A GaAs衬底上生长的AlAs / GaAs多层结构的传输性能
作者:
I.A.Panaev
;
V.Ya.Prinz
;
A.B.Vorobev
;
V.V.Preobrazhensky
;
B.R.Semyagin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
59.
SIMS, photoluminescence, and hall measurements analysis of growth parameters influence on dopant concentration in PHEMT structures grown by movpe
机译:
SIMS,光致发光和生长参数的霍尔测量分析对move生长的PHEMT结构中掺杂物浓度的影响
作者:
M.G.Simeone
;
N.G.ambacorti
;
a.Brinciotti
;
S.Bianchi
;
F.Abate
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
60.
Self-organization of GaN nano-structures on c-Al_2O_3 by RF-radical gas source jolecular beam epitaxy
机译:
射频自由基气源百叶束外延在c-Al_2O_3上的GaN纳米结构的自组织
作者:
M.Yoshizawa
;
A.Kikuchi
;
M.Mori
;
N.Fujita
;
K.Kishino
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
61.
Self-assembled InAs quantum dots and their applications to nanostructure devices grown on GaAs
机译:
自组装InAs量子点及其在GaAs上生长的纳米结构器件中的应用
作者:
Kanji Yoh
;
Toshiya Saitoh
;
Takaya Nakano
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
62.
Self-assembled InAs islands on GaAs (111) substrates
机译:
GaAs(111)基板上的自组装InAs岛
作者:
S.B.Schujman
;
S.R.Soss
;
K.Stokes
;
L.J.Schowalter
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
63.
Recombination processes in In_(1-x)Ga_xP allys with the 'transition' range of compositions
机译:
In_(1-x)GaP盟友具有“过渡”范围组成的重组过程
作者:
Yu.K.Rutogolov
;
Yu.I.Kunakin
;
V.V.Lebedev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
64.
Red and deep red vertical cavity surface emitting laser with top and bottom AlGaAs/Al-oxide distributed bragg reflectors and AlGa-oxide current apertures
机译:
红色和深红色垂直腔表面发射激光器,带有顶部和底部的AlGaAs / Al氧化物分布的布拉格反射器和AlGa氧化物电流孔
作者:
J.A.Lott
;
H.-K.Shin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
65.
Spectrum independent highly efficient graded-band-gap solar cell based on wire-doping design
机译:
基于线掺杂设计的与频谱无关的高效渐变带隙太阳能电池
作者:
Y.T.Rebane
;
A.P.Dmitriev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
66.
Spectroscopic study on the effect of post-growth annealing of CdTe/C.dS thin fim photovoltaic devices
机译:
CdTe / C.dS薄膜光伏器件生长后退火效应的光谱研究
作者:
J.M.Eggleston
;
D.P.Halliday
;
K.Durose
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
67.
Spectroscopic study of surface distribution of monolayer island fluctuations of heteroboundaries in the type-II GaAs/AlAs superlattices
机译:
II型GaAs / AlAs超晶格中异界单层岛涨落的表面分布的光谱学研究
作者:
M.V.Belousov
;
I.Ya Gerlovin
;
H.M.Gibbs
;
I.V.Ignatev
;
A.V.Kavokin
;
G.Khitrova
;
I.E.Kozin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
68.
Submilliampere vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and buried lateral current confinement
机译:
具有腔内接触和埋入横向电流限制的亚毫安级垂直腔表面发射激光器
作者:
M.Hauser
;
H.Kratzer
;
G.Bohm
;
G.Trankle
;
G.Weimann
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
69.
Temperature dependence of the short-wave quantum efficiency of GaAs and GaP surface-barrier photosensors
机译:
GaAs和GaP表面势垒光电传感器的短波量子效率与温度的关系
作者:
Yu.A.Goldberg
;
O.V.Konstantinov
;
E.A.Posse
;
B.V.Tsarenkov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
70.
Split-gate device simulation
机译:
分离门设备仿真
作者:
V.Vyurkov
;
A.Likholyot
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
71.
S-shaped current-voltage characteristics and bistability in the laser generation spectrum of multiple-barrier p-i-n resonant tunneling devices
机译:
多势垒p-i-n共振隧穿器件的S形电流-电压特性和双稳性
作者:
A.T.Toropov
;
T.V.Shubina
;
A.V.Lebedev
;
B.Ya.Meltser
;
P.V.Nekludov
;
N.D.Ilinskaia
;
M.G.Tkatchman
;
P.S.Koev S.M.Cao
;
M.Willander
;
P.O.Holtz
;
J.P.Bergman
;
B.Monemar
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
72.
Si/Pd low resistance shallow ohmic contact to n type Ga_(0.5)In_(0.5)P
机译:
Si / Pd低电阻浅欧姆接触n型Ga_(0.5)In_(0.5)P
作者:
P.H.Hao
;
L.C.Wang
;
F.R.Chien
;
J.M.Kuo
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
73.
Spin quantum beats in quantum wells
机译:
在量子阱中旋转量子拍子
作者:
P.Le Jeune
;
D.Robart
;
X.Marie
;
T.Amand
;
M.Brousseau
;
J.Barrau
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
74.
Rutherford backscattering and nuclear reaction study of air annealed CuInSe_2 single crystals
机译:
空气退火CuInSe_2单晶的卢瑟福反向散射和核反应研究
作者:
M.V.Yakushev
;
G.A.Medvedkin
;
R.Dtomlinson
;
AE.Hill
;
R.D.Pilkington
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
75.
Temperature dependence of pseudomorphic complementary HIGFET devices electrical characteristics
机译:
拟晶互补HIGFET器件的温度依赖性电特性
作者:
Jean-Francois Thiery
;
Hussein fawaz
;
Nour Eddien Bourzgui
;
Linh T.Nuyen
;
Georges Salmer
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
76.
Temperature broadeniing of excition absorption lines and polaritonic processes in quantum wells of (In, GA)As/GaAS heterostructures
机译:
(In,GA)As / GaAS异质结构量子阱中激发吸收谱线的温度展宽和极化过程
作者:
G.N.Aliev
;
V.A.Kosobukin
;
N.V.Lukyanova
;
M.M.Moiseeva
;
R.P.Seisyan
;
H.Gibbs
;
G.Khitrova
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
77.
Sructural properties of GaAs layers grown gby molecular beam epitaxy at low temperatures
机译:
低温下分子束外延生长的GaAs层的结构特性
作者:
G.B.Galiev
;
V.G.Mokerov
;
V.B.Cheglakov
;
T.B.Demkina
;
A.M.Pashaev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
78.
Theory of gain spectra for quantum cascade lasers and temperature dependence of their characteristics at low and moderate carrier concentrations
机译:
量子级联激光器的增益谱理论及其在中低载流子浓度下的特性与温度的关系
作者:
Vera B.Gofinkel
;
Serge Luryi
;
Boris Gelmont
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
79.
Tilted pseudomorphic ZnTSe(310)/ZnSe(001) heterostructure grown by MBE
机译:
MBE生长的倾斜假晶ZnTSe(310)/ ZnSe(001)异质结构
作者:
S.V.Sorokin
;
S.V.Ivanov
;
G.N.Mosina L.M.Sorokin
;
Yu.G.musikhin
;
P.S.Kopev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
80.
The distinctive characteristic of growth and radiation response of InP/InGaAs solar cells
机译:
InP / InGaAs太阳能电池的生长和辐射响应的独特特征
作者:
L.B.Karlina
;
V.V.Kozlovskii
;
I.A.Mokina
;
V.A.Solovev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
关键词:
InP/InGaAs;
heterointerface;
solar cells;
radiation resistance.;
81.
The infleence of acceptor concentration on the channel charge density in GaAs/AlGaAs based double heterojunction HEMTs
机译:
GaAs / AlGaAs双异质结HEMT中受主浓度对沟道电荷密度的影响
作者:
M.Nawaz
;
Geir U.Jensen
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
82.
The growth of GaN on 3C SiC SOI compliant substrates
机译:
GaN在3C SiC SOI兼容衬底上的生长
作者:
I.Ferguson
;
C.Tran
;
R.karlicek
;
R.Stall
;
J.Deverajan
;
A.Steckl
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
83.
The liquid-phase epitaxy of strained multilayer III-V heterostructures
机译:
应变多层III-V异质结构的液相外延
作者:
R.Kh.Akchurin
;
V.A.Zhegalin
;
D.V.Komarov
;
T.V.Sakharova
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
84.
Optical characteristation of self organised IngaAs/InP heterodots
机译:
自组织IngaAs / InP异质点的光学表征
作者:
C.Guasch
;
J.ahopelto
;
H.Lipsanen
;
M.Sopanen. C.M.Sotomayor TSorres
;
I.Gontijo
;
G.S.Buller.
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
85.
On the prediction of properties of heterostructures based on quinary A~3B~5 solid solutions
机译:
基于五元A〜3B〜5固溶体的异质结构性质预测
作者:
V.V.Kuznetsov
;
E.R.Rubtsov
;
V.I.Ratushny
;
L.S.Lunin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
86.
Quantum hall effect in a quantum-well-wire superlattice GaAs/AlAs(311)A
机译:
量子阱线超晶格GaAs / AlAs(311)A中的量子霍尔效应
作者:
M.V.Yakunin
;
Yu.G.Arapov
;
N.A.Gorodilov
;
V.N.Neverov
;
S.A.Buldygin
;
A.B.Vorobev
;
I.A.Panaev
;
V.Ya.Prinz
;
V.V.Preobrazenskii
;
B.R.Semyagin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
87.
Raman spectroscopy in III-V compound device technology
机译:
III-V复合装置技术中的拉曼光谱
作者:
B.Ya.Ber
;
A.T.Gorelenok
;
a.V.Kamanin
;
A.V.merkulov
;
A.M.Mintairov
;
IA.Mokina
;
N.M.Shmidt
;
I.Yu.Yakimenko
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
88.
Quantitative analysis of slip defect generation during thermal processes in GaAs wafers
机译:
GaAs晶片热处理过程中滑移缺陷产生的定量分析
作者:
M.Kiyama
;
T.Takebe
;
K.Fujita
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
89.
Photoelectric characterisation of electron-irradiated semi-insulating GaAs crystals
机译:
电子辐照半绝缘GaAs晶体的光电特性
作者:
K.Jarasiunas
;
M.Suddzius
;
L.Bastiene
;
V.Gudelis
;
R.Jasinskaite
;
P.Delaye
;
G.Roosen
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
90.
Photoelastic characterization and nonarski microscope observation of slop lines generated during thermal processing of LEC-GaAs wafers
机译:
LEC-GaAs晶片热处理过程中产生的倾斜线的光弹性表征和无圆镜显微镜观察
作者:
M.Yamada
;
M.Fukuawa
;
K.Ito
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
91.
Photoluminescence studies of undoped and doped wurtzite GaN films deposited on sapphire substrates
机译:
沉积在蓝宝石衬底上的未掺杂和掺杂纤锌矿GaN膜的光致发光研究
作者:
J.A.Freitas
;
A.E.Wickenden
;
D.D.Koleske
;
M.A.Khan
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
92.
6H-SiC natural diffusion nanostructures
机译:
6H-SiC自然扩散纳米结构
作者:
N.T.Bagraev
;
L.E.Klyachikin
;
A.M.Malyarenkov
;
V.L.Sukhanov
;
A.V.Suvorov
;
N.V.Zabroadskaya
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
93.
Optical control of internal electrical field in GaAs
机译:
GaAs内部电场的光学控制
作者:
J.Vaitkus
;
M.Sudzius
;
L.Bastiene
;
J.Storasta
;
K.Jarasiumas
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
94.
Al/Si/Pd ohmic contact to n-GaP based on the solid phase regrowth principle
机译:
基于固相再生原理的Al / Si / Pd欧姆接触n-GaP
作者:
Moon-Ho Park
;
L.C.Wang
;
D.C.Dufner
;
I.H.Tan
;
F.Kish
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
95.
AlGaN films grown by chloride-hydride chemical vapour deposition (CH CVD)
机译:
通过氯化氢化学气相沉积(CH CVD)生长的AlGaN膜
作者:
A.M.Tsaregorodtesev
;
A.N.Efimov
;
A.N.Pikhtin
;
I.G.Pichugin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
96.
Base transport in InGaP/GSaAs drift HBTs with a strained In_xGa_(1-x)As base
机译:
InGaP / GSaAs漂移HBT中以应变In_xGa_(1-x)As为基础的碱基传输
作者:
Q.J.Hartmann
;
D.a.Ahmari
;
M.T.Fresina
;
J.E.Baker
;
G.E.Stillman
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
97.
Aximuth dependence of the crystal quality of GaN grown on (001) GaAs by MOMBE and its improvement by annealing
机译:
MOMBE在(001)GaAs上生长的GaN晶体质量的轴向依赖性及其退火改善
作者:
A.Takeuchi
;
H.Tuschiya
;
M.Kurihara
;
F.Hasegawa
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
98.
Anisotropic mobility model for GaInAs covering full composition and strain range in the GaAs-InAs system
机译:
GaInAs各向异性迁移率模型,涵盖了GaAs-InAs系统中的全部成分和应变范围
作者:
Ch.Kopf
;
H.Kosina
;
S.Selberherr
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
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1996年
99.
Application of controllable crack formation for nanoelectronic device elements fabrication
机译:
可控裂纹形成在纳米电子器件元件制造中的应用
作者:
V.Ya.Prinz
;
V.A.Seleznev
;
A.K.Gutakovsky
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
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1996年
100.
Carrier transport processes in RTS with type II heterojunctions
机译:
具有II型异质结的RTS中的载流子传输过程
作者:
V.Gergel
;
I.Lapushkin
;
A.Zakharova
;
H.Goronkin
;
S.Tehrani
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
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1996年
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