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Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996
Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996
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1.
Effecient Yb luminescent complesxes in GaAs
机译:
GaAs中高效的Yb发光配合物
作者:
N.N.Loyko
;
V.M.Konnov
;
T.V.Larikova
;
V.a.Dravin
;
V.V.Ushakov
;
A.A.Gippius
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
2.
Simulation of double avalanche injection filaments in GaAs structures
机译:
GaAs结构中双雪崩注入丝的模拟
作者:
V.A.Vashchenko
;
Y.B.Martynvo
;
V.F.Sinkevitch
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
3.
Weak localization and negative magnetoresistance in wurtzite-type crystals
机译:
纤锌矿型晶体中的弱局部化和负磁阻
作者:
F.G.Pikus
;
G.E.Pikus
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
4.
Optical study of cubic GaN layers grown on (001) GaAs
机译:
在(001)GaAs上生长的立方GaN层的光学研究
作者:
V.Yu.Davydov
;
A.M.Gurevich
;
I.N.Goncharuk
;
B.Y.Averhobukh
;
N.N.Zinovev
;
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
;
J.W.Orton
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
5.
Defect study on the strain-relaxed In_xAl_(1-x)As epilayers (x<0.4) grown on GaAs
机译:
在GaAs上生长应变松弛的In_xAl_(1-x)As外延层(x <0.4)的缺陷研究
作者:
Jia-Lin SHieh
;
Mao-Nan Chang
;
Yung-Shih Cheng
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
6.
The effect of material quality and temperature on avalanche breakdown in GaAs mesfets
机译:
材料质量和温度对砷化镓金属雪崩击穿的影响
作者:
Robert E.Miles
;
GChi-Lung Li
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
7.
Epitaxial fluoride layers on semiconductors: growth, properties and potential applications
机译:
半导体上的外延氟化物层:生长,特性和潜在应用
作者:
Nikolai S.Sokolv
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
8.
Space charge effects in carrier escape from single quantum well structures
机译:
载流子从单量子阱结构逸出时的空间电荷效应
作者:
S.C.MFarlane
;
J.Barnes
;
K.w.J.Barnham
;
E.S.M.Tsui
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
9.
Lateral transfer of light-induced charge carriers and electric field in locally illuminated modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures
机译:
局部照明调制掺杂的AlGaAs / GaAs异质结构中光诱导的载流子和电场的横向转移
作者:
V.A.Sablikov
;
O.A.Ryabushkin
;
S.V.Polyakov
;
V.G.Mokerov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
10.
Layer selective anisotropic wet etching with a cooled citric acid/H_2O_2 solution for high performance GaAs HJFETs
机译:
冷却的柠檬酸/ H_2O_2溶液的层选择性各向异性湿法刻蚀,用于高性能GaAs HJFET
作者:
Kensuke Kasahara
;
Satoru Ohkubo
;
Yasuo Ohno
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
11.
Kinetic phase transitions in the epitaxial growth of compound semiconductors
机译:
化合物半导体外延生长中的动力学相变
作者:
I.P.Ipatova
;
V.G.Malyshkin
;
a.a.Maradudin
;
V.a.Shchukin
;
R.F.Wallis
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
12.
Low temperature grown InP-based heterostructures and their device application
机译:
低温生长的基于InP的异质结构及其器件应用
作者:
B.Henle
;
G.Reitemann
;
E.Kohn
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
13.
Long-range stress field of misfit dislocations and possibility o f perfect epitaxy for semiconductor films
机译:
错配位错的远距离应力场和半导体膜完美外延的可能性
作者:
E.M.Trukhanov
;
A.V.Kolesnikov
;
G.A.Lyubas
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
14.
MBE regrowth on planar and patterned In(SGaAs)P layers for monolithic intergration
机译:
MBE在平面和图案化In(SaAs)播放器上再生长以实现单片集成
作者:
W.passenberg
;
W.Schlaak
;
A.Umbah
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
15.
LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation
机译:
LT GaAs HFET:克服击穿限制的新颖概念
作者:
D.Theron
;
M.Zaknoune
;
B.Boundart
;
J.C.De Jaeger
;
G.Salmer
;
K.M.Lipka
;
M.Birk
;
H.Heinecke
;
J.Scheider
;
B.Splingar
;
K.Eohn
;
H.Thomas
;
D.V.Morgan
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
16.
Migration enhanced epitaxial growth and magnetoluminescence spectroscopy of quantum wire
机译:
迁移增强量子线的外延生长和磁致发光光谱
作者:
Y.M.Kim
;
W.S.Kim
;
Y.S.Kim
;
H.S.Ko
;
D.H.Kim
;
J.H.ae
;
T.Schmiedel
;
J.Kim
;
J.Y.Cha
;
J.W.lee
;
H.S.park
;
Seong Ju Park
;
J.C.Woo
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
17.
Semiconductor quantum wires: nonlinear optial properties
机译:
半导体量子线:非线性光学性质
作者:
V.Dneprovskii
;
V.Karavanskii
;
V.Poborchii
;
I.Salamatina
;
E.Zhukov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
18.
Reduced impact ionization by using IN_(0.53)(al_xGa_(1-x)_(0.47)As (x chemical bounds 0.1 0.2) channel in InP HEMTs
机译:
通过在InP HEMT中使用IN_(0.53)(al_xGa_(1-x)_(0.47)As(x化学界0.1 0.2 0.2)通道来减少碰撞电离
作者:
Li-Shyue Lai
;
Yi-Jen Chan
;
Jan-Wei Pan
;
Jia-Lin Sheith
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
19.
Spectroscopy studies of P-type GaAs/AlGaAs MQWs heavily doped with carbon
机译:
重掺杂碳的P型GaAs / AlGaAs MQW的光谱学研究
作者:
V.N.Astratov
;
O.Z.Karimov
;
Yu.a.Vlasov
;
E.Mao
;
S.Dickey
;
B.W.Kim
;
A.Majerfeld
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
20.
Strain-related excitionci in-lane optical anisotropy in (100) InGaAs/INAlAs/InP MQWs
机译:
(100)InGaAs / INAlAs / InP MQWs中与应变相关的励磁带内光学各向异性
作者:
A.Dimoulas
;
R.Tober
;
H.D.Young
;
R.leavitt
;
A.Christou
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
21.
Stressed INGaAsP films bonded to glass and their optical properties
机译:
与玻璃粘合的INGaAsP应力膜及其光学特性
作者:
Yu.B.Bolkhovityanov
;
A.S.Jaroshevich
;
A.V.Katkov
;
S.N.Kosolobv
;
A.G.Paulish
;
H.E.Scheibler
;
A.S.Terekhov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
22.
Structural characterization of InGaAs/INalAs quantum wells grown on (111)-InP substrates
机译:
(111)-InP衬底上生长的InGaAs / INalAs量子阱的结构表征
作者:
A.Vila
;
A.Cornet
;
F.Peiro
;
Jr.Morante
;
A.Georgakilas
;
N.Becourt
;
G.Halkias
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
23.
Sulphide passivation of GaSb/GaInAsSb/GaAlasSb photodiode heterostructures
机译:
GaSb / GaInAsSb / GaAlasSb光电二极管异质结构的硫化物钝化
作者:
I.A.Andreev
;
E.V.Kunitsyna
;
V.M.Lantratov
;
T.V.Lvova
;
M.P.Mikhailova
;
Yu.P.Yakovlev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
24.
STunable TE/TM polarization rotation in chemically ordered GaInP/AlGaInP waveguide structrues
机译:
化学有序的GaInP / AlGaInP波导结构中可调谐的TE / TM极化旋转
作者:
R.Wirth
;
A.Moritz
;
C.Geng
;
F.Schlolz
;
A.Hangleiter
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
25.
Studying the temperature dependence of incommensurate domains in mercury halides and gallium nitride thick films
机译:
研究卤化汞和氮化镓厚膜中不相称区域的温度依赖性
作者:
M.E.Boiko
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
26.
Subband electron mobility in selectively delta -doped gaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density
机译:
高载流子密度选择性掺杂gaAs / GaAlAs异质结构中的子带电子迁移率
作者:
V.A.Kulbachinskii
;
R.a.Lunin
;
V .G.Kytin
;
A.S.Bugaev
;
V.G.Mokerov
;
A.P.Senichkin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
27.
TEM study of nm-scale semiconductor islands in lattice-mismatched systems
机译:
晶格失配系统中纳米级半导体岛的TEM研究
作者:
A.O.Kosogov
;
P.Werner
;
N.A.Bert
;
S.G.Konnikov
;
A.A.Suvorova
;
V.M.ustinov
;
N.N.Ledentsov
;
D.Bimberg
;
P.Schittenhelm
;
G.Abstreiter
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
28.
Tandem solar cells based on alGaAs/GaAs and GaSb structres
机译:
基于alGaAs / GaAs和GaSb结构的串联太阳能电池
作者:
V.M.Andreev
;
V.P.Khvostikov
;
E.V.Paleeva
;
V.D.Rumyantsev
;
S.V.Sorokina
;
M.z.Shavarts
;
V.I.Vasilev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
29.
Study of gaAs/AlAs heterointerface formation during MBE on a GaAs (311)A surface by RHEED
机译:
通过RHEED研究在GaAs(311)A表面MBE期间gaAs / AlAs异质界面形成
作者:
V.V.Preobrazhensikii
;
B.R.Semyagin
;
MA.Putyato
;
R.I.Nizamov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
30.
Study of initial stages of the GaN growth on sapphire substrates
机译:
研究蓝宝石衬底上GaN生长的初始阶段
作者:
W.V.Lundin
;
B.V
;
Pushnyi
;
A.s.Usikov
;
M.E.Gaevski
;
M.Baidakova
;
A.V.Sakharov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
31.
Temperature stable Pd-In-Ge/WSiN/Ti/Pt/Au ohmic contacts to GaAs
机译:
GaAs的温度稳定的Pd-In-Ge / WSiN / Ti / Pt / Au欧姆接触
作者:
V.abrosimova
;
E.Nebauer
;
P.Ressel
;
I.Urban
;
J.Wurfl
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
32.
Si-doped Ga_(1-x)In_xSb grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长硅掺杂Ga_(1-x)In_xSb
作者:
J.H.Roslund
;
G.Swenson
;
T.G.Andersson
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
33.
Recent developments in heterostructure transistors
机译:
异质结构晶体管的最新发展
作者:
H.Morkoc
;
S.N.Mohammad
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
34.
Spectral behaviour of AlGaAs/GaAs heterophotocells with extremely thin (2-8 nm) window layers
机译:
具有极薄(2-8 nm)窗口层的AlGaAs / GaAs杂光电池的光谱行为
作者:
V.P.Khvostikov
;
A.M.Mintairov
;
P.G.Peevski
;
V.D.Rumyantsev
;
S.V.Sorokina
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
35.
Dynamics of 2D-3D transition during InAs on GaAs heteroepitaxial growth: rheed study
机译:
GaAs异质外延生长过程中InAs中2D-3D跃迁的动力学:Rheed研究
作者:
G.E.Cirlin
;
N.P.Korneeva
;
V.N.Demidov
;
V.N.Petrov
;
N.K.Polyakov
;
V.G.Dubrovskii
;
G.M.Guryanov
;
N.N.Ledentsov
会议名称:
《》
|
1996年
36.
The control of leading edge effects in the OMVPE growth of INGaAsP
机译:
INGaAsP OMVPE生长中前沿效应的控制
作者:
A.G.Thomposon
;
R.A.Stall
;
A.I.Gurary
;
I.Ferguson
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
37.
Trions in GaAs quantum wells
机译:
GaAs量子阱中的Trions
作者:
I.Bar-Joseph
;
G.Finkelstein
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
38.
TSOpological interaction of impurities with dislocations in cubic semiconductors
机译:
立方半导体中杂质与位错的TSSO生物学相互作用
作者:
Y.T.Rebane
;
V.Y.Kachorovskii
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
39.
The influence of thermal annealing of the As-precipitates behavior in SI GaAs
机译:
热退火对SI GaAs中As沉淀行为的影响
作者:
S.Strzelecka
;
M.Pawlowska
;
A.Hruban
;
M.Gladysz
;
E.Wegner
;
A.Gladki
;
W.Orlowski
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
40.
The introduction of dislocations in epilayers of III-V quaternary alloys
机译:
III-V四元合金外延层中位错的引入
作者:
T.G.Yugova
;
V.I.Vdovin
;
M.G.Milvidskii
;
M.G.Mezhennyi
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
41.
The semiconductor heterostructures: history and future trends
机译:
半导体异质结构:历史和未来趋势
作者:
Zh I.alferov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
42.
The resonance behaviour of Ac impedance of one-barrier and two-barrier semiconductor tunnel structures
机译:
一势垒和二势垒半导体隧道结构交流阻抗的共振行为
作者:
Michael Feiginov
;
Vlandimir Volkov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
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1996年
43.
The optical behaviour of the absorption edge of thin GaAs crystals with the 'super-quantum' thickness
机译:
厚度为“超量子”的薄砷化镓晶体吸收边缘的光学行为
作者:
G.N.Aliev
;
N.V.Lukyanova
;
R.P.Seisyan
;
M.R.Vladimirova
;
V.N.Bessolov
;
H.Gibbs
;
G.Khitrova
会议名称:
《》
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1996年
44.
The DX-cenetre assisted quenching of persistent photoconductivity by high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures
机译:
DX Cenetre通过在相邻衬底结构上掺Sn的GaAsδ掺杂的GaAs中的高电场来辅助淬灭持久的光电导
作者:
V.A.Kulbachinskii
;
R.A.Lunin
;
V.G.Kytin
;
E.V.Bogdanov
;
A.S.Bugaev
;
A.P.Senickin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
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