首页> 外文会议>Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996 >Studying the temperature dependence of incommensurate domains in mercury halides and gallium nitride thick films
【24h】

Studying the temperature dependence of incommensurate domains in mercury halides and gallium nitride thick films

机译:研究卤化汞和氮化镓厚膜中不相称区域的温度依赖性

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摘要

Small-angle Scattering of X-rays (S-AS) will be conventent if objective is the study of crystalline diffraction patterns of 50-200 nm. We discuss the results of S-As at temperature range 100-300 K for Hg_2Cl_2 and GaN singlecrystal films of 100-300 mu m thickness.
机译:如果目的是研究50-200 nm的晶体衍射图样,那么X射线的小角度散射(S-AS)将很方便。我们讨论了在100-300 K的温度范围内对于厚度为100-300μm的Hg_2Cl_2和GaN单晶膜的S-As结果。

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