多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究

摘要

采用热壁物理气相沉积法(hot wallPVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀。并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响。通过对其I V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω·cm)和较好的线性关系。