法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-19
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/06 申请公布日:20120627 申请日:20111229
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20111229
实质审查的生效
2012-06-27
公开
公开
机译: 用于气相沉积多晶硅层的方法和方法以及用于气相沉积多晶硅电极层的方法
机译: 使用气相生长装置气体导入装置的气相沉积方法以及包括该气相沉积装置的气相沉积装置
机译: AlGaN气相沉积方法和通过AlGaN气相沉积方法制造的AlGaN晶体厚膜基板