大面积碘化汞多晶薄膜的气相沉积生长和成像探测器

摘要

西安工业大学通过近10年的技术探索和积累,已经掌握了成熟的原料提纯工艺。通过稳定的精细提纯技术,可获得纯度约5N的多晶HgI 2粉体;通过在小面积(1cm^2)ITO玻璃上的沉积,生长了厚度100~1000μm、电阻率1010~1011Ω·cm的薄膜,获得了成熟可靠的薄膜沉积工艺。通过自行设计和精密加工的大面积沉积设备,采用优化工艺,严格控制薄膜沉积温度变化范围(0.5~1℃),成功的生长了36 cm^2的大面积碘化汞多晶薄膜。