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机译:金属有机化学气相沉积法和基质再利用对大面积III-V薄膜生长的无损表皮剥离
公开/公告号US2017076986A1
专利类型
公开/公告日2017-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN;
申请/专利号US201615212104
发明设计人 STEPHEN R. FORREST;KYUSANG LEE;DEJIU FAN;BYUNGJUN LEE;
申请日2016-07-15
分类号H01L21/78;C30B33/02;C30B33/10;C30B33/12;C23F1/16;C23F4;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:49:58
机译: 金属有机化学气相沉积在硅衬底上生长的GaAs外延层中δ掺杂的方法
机译: 金属化学气相沉积法在硅基体上生长砷化镓外延层中的δ掺杂方法
机译: 通过在硅衬底上生长的GaAs外延层的金属有机化学气相沉积来形成δ掺杂层的方法