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Symposium on infrared applications of semiconductors
Symposium on infrared applications of semiconductors
召开年:
1999
召开地:
Boston, MA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Novel diffraction pattern for optical coupling in QWIP
机译:
QWIP中光学耦合的新型衍射图案
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
2.
Electronic structure engineering of the linewidth enhancement factor in MID-infrared semiconductor laser active regions
机译:
中红外半导体激光有源区中线宽增强因子的电子结构工程
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
3.
Performance and spectral response of far-infrared Pb_(1-x)Sn_xTe(In) photodetectors
机译:
远红外PB_(1-X)SN_XTE(IN)光电探测器的性能和光谱响应
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
4.
Electrical characterization of InAs/(GaIn)Sb infrared superlattice photodiodes for the 8 to 12 mu m range
机译:
INAS /(增益)SB红外超晶格光电二极管的电气表征为8至12μm
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
5.
Band gap variation and miscibility gaps of thallium-based pseudo-binary alloys
机译:
基于铊的伪二元合金的带隙变化和混溶性差距
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
6.
TUned infrared emission from lithographically-defined silicon surface structures
机译:
从光刻定义的硅表面结构调谐红外发射
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
7.
Auger supperession in and nosie performance of 'HOT' HgCdTe ir detectors
机译:
螺旋静音和噪声性能“热”HGCDTE IR探测器
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
8.
Positive and negative photoconductivity in lead telluride doped with gallium epitaxial films
机译:
铅碲化肽中的正极和负光电导性掺杂镓外延薄膜
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
9.
GSrowth of InSb on GaAs substrates using InAlSb bufers for magnetic field sensor applications
机译:
使用Inalsb Bufers用于磁场传感器应用的GaAs基板上的Gsrowth
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
10.
PbEuTe/PbTe multi-quantum wells: structural and optical properties
机译:
PBEUTE / PBTE多量子阱:结构和光学性质
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
11.
Germanijm photodetectors for silicon microphotonics by direct epitaxy on silicon
机译:
通过直接外延在硅片上的锗jamm光电探测器
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
12.
High resolution x-ray diffraction analysis of p-type strained InGaAs/AlGaAs multiple quantum well structues
机译:
p型应变indaas / Algaas多量子阱结构的高分辨率X射线衍射分析
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
13.
TIme-resolved photoluminescence studies of IN_xGa_(1-x)As_(1-x)N_y
机译:
in_xga_(1-x)AS_(1-x)N_Y的时间分辨光致发光研究
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
14.
Photoinduced changes in the charge states of native donors and acceptors in ZnGeP_2
机译:
光脉冲在Zngep_2中当地捐赠者和受护者的充电状态的变化
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
15.
Electronic bandgap and refractive index dispersion of single crystalline epitaxial ZnGeN_2
机译:
单晶外延ZNGEN_2的电子带隙和折射率分散
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
16.
Emissivity compensated pyrometry of the substrate surface during movpe growth of In_xGa_(1-x)As(1-y)P_y/InP materials in rotating disc reactors
机译:
在旋转盘反应器中的MovPe(1-Y)P_Y / INP材料的MovPe生长期间,衬底表面的发射率补偿了基板表面的热测量。
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
17.
Effect of fast electron irradiation on electrical and optical properties of CdGeAs_2 and ZnGeP_2
机译:
快速电子照射对CDGEAS_2和ZnGEP_2电和光学性能的影响
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
18.
Room temperature CW operation of GaInAsSb/AlGaAsSb quantum well lasers emitting inthe 2.2 to 2.3 mu mn wavelength range
机译:
室温CW操作的GaInassB / Algaassb量子孔激光器发射2.2至2.3μmn的波长范围
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
19.
Native defect characterization in ZnGeP_2
机译:
zngep_2中的本机缺陷表征
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
20.
Electronic structures of shallow acceptors confined in SI/SiGe quantum well structures
机译:
Si / SiGe量子井结构局限于浅层受体的电子结构
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
21.
Photoresponse of tellurium rich Te_xSe_((1-x)) nonlinear optical semiconductors
机译:
酿酒型富含TE_XSE _((1-x))非线性光学半导体
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
22.
Recent progress of Mid-IR type-II intergand cascade lasers
机译:
中红外II型Intergand Cascade激光器的最新进展
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
23.
Temperature dependent hall measurements made on CdGeAs_2
机译:
CDGEAS_2上的温度依赖大厅测量
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
24.
The development of infrared photosensitive material based on polycrstalline PbS films
机译:
基于多晶PBS薄膜的红外光敏材料的开发
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
25.
Si_(1-x)Ge_x bulk crystals growth and PN junction formation by diffusing phosphorus
机译:
Si_(1-X)Ge_x散装晶体生长和PN结形成通过扩散磷
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
26.
Advanced GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb 2-2.4 mu m photovoltalic detectors
机译:
高级Gasb / Ingaassb / Algaassb 2-2.4 mu m光电站探测器
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
27.
Optical diagnostics of microstructures fabicated using quantum well intermixing
机译:
使用量子阱混合使用的微结构的光学诊断
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
28.
High temperature W diode lasers emiting at 3.3 mu m
机译:
使用二极管激光器发射3.3亩的高温
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
29.
Refractive index measurements and new sellmeir coefficients of zinc germanium phosphide from 2-9 microns with implications for phase matching in optical parametric oscillators
机译:
磷化锌锌锗锌锌的折射率测量和新的罕有盐系数,在光学参数振荡器中具有相位匹配的影响
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
30.
Type-II InAs/InGaSb superlattices on compliant GaAs substrates
机译:
符合GaAs基板的II型INAS / INGASB超晶格
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
31.
Deffects in CdTe-based photodetectors
机译:
基于CDTE的光电探测器缺陷
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
32.
Reduction of the optical absorption of zinc germanium phosphide via post-growth thermal anneal
机译:
通过生长后热退火减少磷化锌光学吸收的光学吸收
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
33.
High-power id-IR interband cascade lasers based on type-II heterostructures
机译:
基于II型异质结构的高功率ID-IR间隙级联激光器
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
34.
SThe growth of InAsSb/InAs/InPSb/INAs mid-infrared emitters by metal-organic chemical vapor deposition
机译:
金属 - 有机化学气相沉积中的INASSB / INAS / INAS / INAS中红外发射器的生长
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
35.
Low frequency noise and random telegraph signal in a multiple quantum well infrared photodetector
机译:
多量子孔红外光电探测器中的低频噪声和随机电报信号
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
36.
Evidence of high electron mobility in CdGeAs_2 single crystals
机译:
CDGEAS_2单晶中高电子迁移率的证据
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
37.
Thermal annealing recovery of intersubband transition in proton-irradiated GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As multiple quantum wells
机译:
在质子照射的GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)中的间隙过渡的热退回作为多量子阱
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
38.
Anisotropy of optical and electron transprot properties of atomic ordering in CdGeAs_2
机译:
Andreas_2中原子序排序的光学和电子传输性能的各向异性
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
39.
Infrared-photovoltaic responses of ion-beam synthesized beta -FeSi_2/n-Si heterojunctions
机译:
离子束合成β-Fesi_2 / N-Si异质结的红外光致响应
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
40.
AlGaAs/GaAs distributed feedback quantum cascade lasers
机译:
ALGAAS / GAAS分布式反馈量子级联激光器
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
41.
Second-harmonic generation in oriented CdSe-nanocrystal-doped indium tin oxide film and its application to an infrared detector
机译:
以取向Cdse-纳米晶体掺杂铟锡氧化铟锡及其在红外探测器的应用中的二谐波产生
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
42.
Mid-infrared photodetector using self-assembled InAs quantum dots embedded in modulation-doped GaAs quantum wells
机译:
中红外光电探测器使用自组装的INAS量子点嵌入调制掺杂的GaAs量子孔中
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
43.
PHotoluminescence and epr of phosphorus vacancies in ZnGeP_2
机译:
Zngep_2中的光致发光和磷空位的EPR
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
44.
Mechanisms of intersubband transition in n-type III-V quantum well superlattice and improvement on absorption for TE polarized field
机译:
n型III-V量子井超晶格和改进TE偏振场的机制
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
45.
Correlation between GaInAsSb surface step structure and phase spearation
机译:
GAINASSB表面步长结构与相分离之间的相关性
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
46.
Modeling of the properties of dopants in the nlo semiconductor CdGeAs_2
机译:
NLO半导体CDGEAS_2中掺杂剂性能的建模
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
47.
Theoretical and experimental investigation of disordering effects on photoluminexcence spectra of InGaAs/InGaAsP quantum wells
机译:
InGaAs / IngaAsp量子阱光素荧光光谱的理论与实验研究
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
2000年
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