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机译:衬底在低压化学气相沉积法制备多晶硅薄膜生长过程中的作用
L. Pereira; H. Águas; L. Raniero; R. M. S. Martins; E. Fortunato; R. Martins;
机译:退火对低压金属有机化学气相沉积在(001)硅衬底上生长的ZnO薄膜的影响
机译:SI2H6-B2H6-N-2气系统用新型低压化学气相沉积法制得的掺硼现场多晶硅硅膜
机译:使用低压化学气相沉积法沉积低应力多晶硅薄膜
机译:通过450℃的反应热化学气相沉积沉积和表征多晶硅薄膜
机译:大气压化学气相沉积法将非晶碳化硅薄膜沉积在熔融石英上。
机译:二硒化钛薄膜的区域选择性生长低压化学气相沉积成微图案化基材的薄膜沉积
机译:通过快速热化学气相沉积制备的B掺杂多晶硅薄膜的电性能
机译:用电子束结晶化等离子体增强化学气相沉积形成的氢态非晶硅薄膜的方法,制造多晶硅硅酸盐薄膜的方法和用该方法制造的多晶硅硅酸盐薄膜的方法
机译:在黑色金属衬底上化学气相沉积金刚石膜-沉积碳化硅阻隔膜或连续变化的复合膜。协助种子形成并增加附着力
机译:低压化学气相沉积多晶硅薄膜沉积的真空系统
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