化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶

摘要

采用化学气相沉积 (CVD)法 ,在ZnSeH2 -Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体。测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱 ,用光学显微镜观察了样品的显微形貌 ;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响。研究结果表明 :通过优化的生长工艺 ,生长温度在 5 0 0～ 75 0℃ ,压力在 10 0～ 15 0 0Pa的范围内 ,可以制备出高质量ZnSe多晶体 ;在 8～ 12 μm波段范围内 ,其红外透过率达70 %以上。