机译:化学气相沉积法研究二硒化钨畴的各向异性生长机理
Sookmyung Womens Univ, Dept Chem, Seoul 140742, South Korea;
Sookmyung Womens Univ, Dept Chem, Seoul 140742, South Korea;
Sookmyung Womens Univ, Dept Chem, Seoul 140742, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Chem, Seoul 133791, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Chem, Seoul 133791, South Korea;
Sookmyung Womens Univ, Dept Chem, Seoul 140742, South Korea;
Transition metal dichalcogenide; WSe2; Chemical vapor deposition; Anisotropic morphology; Kinetic energy;
机译:通过化学气相沉积图案化二硒化钨薄片的生长
机译:使用环境压力化学气相沉积,可扩展合成少数层钨蛋白(2H-WSE2)纳米型直接在钨(W)箔上,用于可逆锂离子储存
机译:常压化学气相沉积法在铜箔上石墨烯畴的结构演化和生长机理
机译:单层钼二硫化钼和二烯烃的生长与化学气相沉积
机译:化学气相沉积法合成碳纳米管和氧化钨纳米线及其机理研究。
机译:可扩展合成少数层2D钨丁烯烯(2h-wse2)纳米胸底直接在钨(w)箔上生长使用环境压力化学气相沉积来反转锂离子贮存
机译:使用环境压力化学气相沉积,可扩展合成少数层钨蛋白(2H-WSE2)纳米型直接在钨(W)箔上,用于可逆锂离子储存