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超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法

摘要

本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法,本装置包括油浴加热槽,厚膜原料蒸发管,基板温度控制仪,真空室,磨砂石英顶盖和超声波发生器;多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部,多晶碘化汞粉末蒸发后即沉积于基片的下表面上。本方法为超声波辅助下油浴真空物理气相沉积法的改进。本发明装置结构简单、可重复使用、易于操作、生长腔体成本低廉,基板温度可精确控制;本发明方法制备得到的多晶碘化汞厚膜取向性高,致密性好,晶粒尺寸小,电学性能佳,为多晶碘化汞半导体辐射探测的制备打下了坚实的基础。

著录项

  • 公开/公告号CN102965617A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201210469242.6

  • 申请日2012-11-20

  • 分类号

  • 代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人陆聪明

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2024-02-19 17:08:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/06 申请公布日:20130313 申请日:20121120

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20121120

    实质审查的生效

  • 2013-03-13

    公开

    公开

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