公开/公告号CN104392900A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司;
申请/专利号CN201410568186.0
申请日2014-10-22
分类号H01L21/02;
代理机构上海申汇专利代理有限公司;
代理人翁若莹
地址 201108 上海市闵行区春中路56号121-122室
入库时间 2023-12-17 04:31:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-01
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20150304 申请日:20141022
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-03-08
著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后: 申请日:20141022
著录事项变更
2017-03-08
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 登记生效日:20170216 变更前: 变更后: 申请日:20141022
专利申请权、专利权的转移
2015-04-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20141022
实质审查的生效
2015-03-04
公开
公开
机译: 利用氮化物的热分解特性的缓冲层结构,分离氮化物薄膜的方法,厚膜以及可减少附加工序数的多层结构
机译: 一种使用氮化铝/氮化镓超晶格生长半极性氮化镓外延层的方法
机译: 用于垂直结构氮化物基半导体发光器件的氮化物基化合物层的制造涉及从氮化镓衬底上的缓冲层到掩模层横向生长氮化物基化合物。