一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法

摘要

本发明公开了一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法。所述方法为：HVPE法在蓝宝石基板上生长GaN单结晶膜：包括生长第一缓冲层的阶段，第二缓冲层的阶段，第三缓冲层的阶段；蓝宝石基板经HCI处理后，GaN单结晶膜形成拥有纳米多孔型结构的GaN薄膜缓冲层，并且在纳米多孔型结构的GaN薄膜缓冲层上再依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层，生长出垂直型GaN结晶，即得GaN单结晶基板。本发明通过HVPE设备内的In-situ过程，容易地形成纳米多孔性结构和GaN生长过程，所以可以减少单结晶GaN基板制作时间和费用；纳米多孔型缓冲层厚度可达300μm。