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图形化SOI LDMOS跨导特性的研究

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摘要

借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进行的参数调节提供了参考.

著录项

来源
《电子器件》 |2007年第6期|2122-2124|共3页
作者
曲越; 李德昌; 习毓;
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作者单位

西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;

西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;

西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
图形化SOI LDMOS; 跨导; 栅氧化层; 漂移区;

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