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射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

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设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.

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来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|32-35|共4页
作者
李文钧; 程新红; 宋朝瑞; 陈展飞; 刘军; 孙玲玲;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
体接触; 图形化SOI; LDMOSFET; 射频;

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