适合基站放大器应用的图形化SOI LDMOSFET的设计与分析

摘要

设计了一种新型图形化SOI(pattemed-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(1ateral doublediffused MOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2G、60V无线通讯基站功率放大器的要求.