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程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉; 姜丽娟; 许仲德;
温州大学物理与电子信息学院;
中科院上海微系统与信息技术研究所;
东北微电子所;
图形化PSOI; 横向双扩散MOSFET; 击穿电压; 结构优化;
机译:上漂移区双步局部SOI LDMOSFET:一种提高击穿电压和输出特性的新型器件
机译:一种新型的具有周期性掩埋氧化物的局部SOI LDMOSFET,可提高击穿电压并增强自热效应
机译:在衬底中具有n型浮置埋层的新型部分SOI LDMOSFET(> 800 V)
机译:横向超结PSOI LIGHT和LDMOSFET
机译:对SOI LDMOSFET的新型埋入式绝缘子材料和几何形状进行热分析,并获得电气性能的稳定性。
机译:TNFr1选择性拮抗TNFα突变体的结构优化以创建新型模式TNF调节生物学
机译:基于遗传算法的新型杠杆辅助齿轮减速器的结构优化
机译:适用于路由和调度的新型计算机体系结构优化算法(3年级)
机译:结构优化系统,结构优化方法和结构优化程序
机译:结构优化装置,结构优化方法和结构优化程序
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