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International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
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Embedded nonvolatile memory with STT-MRAMs and its application for nonvolatile brain-inspired VLSIs
机译:
带有STT-MRAM的嵌入式非易失性存储器及其在基于大脑的非易失性VLSI中的应用
作者:
Tetsuo Endoh
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Nonvolatile memory;
Magnetic tunneling;
Random access memory;
MOSFET;
Very large scale integration;
Computer architecture;
Solids;
2.
The road to a trillion: Making the IoT work
机译:
通往万亿之路:使物联网工作
作者:
Rob Aitken
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
3.
Novel memory hierarchy with e-STT-MRAM for near-future applications
机译:
带有e-STT-MRAM的新型存储器层次结构,适用于近期应用
作者:
Shinobu Fujita
;
Hiroki Noguchi
;
Kazutaka Ikegami
;
Susumu Takeda
;
Kumiko Nomura
;
Keiko Abe
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Program processors;
Servers;
Cloud computing;
Nonvolatile memory;
Performance evaluation;
Magnetic tunneling;
4.
Impact of substrate on the frequency behavior of trans-conductance in ultrathin body and BOX FDSOI MOS devices - a physical insight
机译:
基板对超薄机身和BOX FDSOI MOS器件中跨导频率特性的影响-物理见解
作者:
Mandar Bhoir
;
Pragya Kushwaha
;
Yogesh S. Chauhan
;
Nihar R. Mohapatra
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Substrates;
Logic gates;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Frequency dependence;
Frequency measurement;
Negative feedback;
5.
A high accuracy and robust machine learning network for pattern recognition based on binary RRAM devices
机译:
基于二进制RRAM器件的高精度,鲁棒性机器学习网络用于模式识别
作者:
Chen Liu
;
Runze Han
;
Sheng Zhang
;
Maochuan Li
;
Zheng Zhou
;
Peng Huang
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Training;
Neurons;
Resistance;
Handwriting recognition;
Electrical resistance measurement;
Switches;
6.
A universal model for interface-type threshold switching phenomena by comprehensive study of Vanadium oxide-based selector
机译:
综合研究基于氧化钒的选择器的界面型阈值切换现象的通用模型
作者:
Chih-Yang Lin
;
Ying-Chen Chen
;
Meiqi Guo
;
Chih-Hung Pan
;
Fu-Yuan Jin
;
Yi-Ting Tseng
;
Cheng Chih Hsieh
;
Xiaohan Wu
;
Min-Chen Chen
;
Yao-Feng Chang
;
Fei Zhou
;
Burt Fowler
;
Kuan-Chang Chang
;
Tsung-Ming Tsai
;
Ting-Chang Chang
;
Yonggang Zhao
;
Simon M. Sze
;
Sanjay Banerjee
;
Jack C. Lee
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Guidelines;
Contacts;
7.
A design methodology of efficient on-chip wireless power transmission
机译:
高效的片上无线电力传输的设计方法
作者:
Salahuddin Raju
;
Clarissa C. Prawoto
;
Mansun Chan
;
C. Patrick Yue
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
System-on-chip;
Receivers;
Transmitters;
Inductors;
Frequency measurement;
Q measurement;
Power measurement;
8.
Density functional theory molecular dynamics simulations and experimental measurements of a-HfO2/a-SiO/SiGe(001) and a-HfO2/a-SiO2/SiGe(001) interfaces
机译:
a-HfO2 / a-SiO / SiGe(001)和a-HfO2 / a-SiO2 / SiGe(001)界面的密度泛函分子动力学模拟和实验测量
作者:
E. Chagarov
;
K. Sardashti
;
I. Kwak
;
S. Ueda
;
M. Yakimov
;
A. C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Hafnium compounds;
Density measurement;
Atomic measurements;
Annealing;
9.
A steep slope Phase-FET based on 2D MoS2 and the electronic phase transition in VO2
机译:
基于2D MoS2和VO2中的电子相变的陡坡度FET
作者:
Benjamin Grisafe
;
Nikhil Shukla
;
Matthew Jerry
;
Suman Datta
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Field effect transistors;
Two dimensional displays;
Switches;
Logic gates;
10.
A novel design of P-N staggered face-tunneling TFET targeting for low power and appropriate performance applications
机译:
针对低功耗和适当性能应用的P-N交错式面隧道TFET的新颖设计
作者:
E. R. Hsieh
;
Y. C. Fan
;
K. Y. Chang
;
C. H. Liu
;
C. H. Chien
;
Steve S. Chung
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Silicon;
PIN photodiodes;
Ions;
Face;
Silicon germanium;
11.
Ferroelectricity in HfO2 thin films as a function of Zr doping
机译:
HfO2薄膜中的铁电随Zr掺杂的变化
作者:
Golnaz Karbasian
;
Ava Tan
;
Ajay Yadav
;
Eric Martin Henry Sorensen
;
Claudy Rayan Serrao
;
Asif Islam Khan
;
Korok Chatterjee
;
Sangwan Kim
;
Chenming Hu
;
Sayeef Salahuddin
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Tin;
Substrates;
Zirconium;
Hafnium compounds;
Annealing;
Doping;
Silicon;
12.
A magnetic shift register with periodic potential energy modulation
机译:
具有周期性势能调制的磁移位寄存器
作者:
T. Kondo
;
H. Morise
;
T. Shimada
;
M. Quinsat
;
M. Kado
;
Y. Ootera
;
S. Nakamura
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Magnetic domain walls;
Magnetic domains;
Magnetic tunneling;
Perpendicular magnetic anisotropy;
Shift registers;
Potential energy;
13.
Heterogeneous SoCs
机译:
异构SoC
作者:
Subramanian S. Iyer
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
14.
World megatrend of intelligent robotics and AI: Impact on VLSI-DAT
机译:
智能机器人和AI的世界大趋势:对VLSI-DAT的影响
作者:
Ren C. Luo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
15.
Navigating through the fragmented application maze
机译:
浏览零散的应用程序迷宫
作者:
Keh-Ching Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
16.
RRAM technology and its embedded potential on IoT applications
机译:
RRAM技术及其在物联网应用中的嵌入式潜力
作者:
ChiaHua Ho
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
17.
Terahertz systems-on-chip enabled by nano-IC technologies
机译:
纳米IC技术支持太赫兹片上系统
作者:
Mau-Chung Frank Chang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
18.
Utilizing NVDIMM to alleviate the I/O performance gap for big data workloads
机译:
利用NVDIMM缓解大数据工作负载的I / O性能差距
作者:
Zili Shao
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
19.
InGaAs quantum-well MOSFETs for future logic applications
机译:
用于未来逻辑应用的InGaAs量子阱MOSFET
作者:
Dae-Hyun Kim
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
20.
New embedded memories, from lab to fab
机译:
从实验室到工厂的新型嵌入式存储器
作者:
David Eggleston
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
21.
Building best in class system solutions: Enabled by collaboration
机译:
构建一流的系统解决方案:通过协作实现
作者:
Suhita Devineni
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
22.
Collaboration and innovation for your success
机译:
协作与创新助您成功
作者:
David Shih
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
23.
Soft electronics for the human body
机译:
人体软电子
作者:
John A. Rogers
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
24.
STT-MRAM memories for IoT applications: Challenges and opportunities at circuit level and above
机译:
物联网应用的STT-MRAM存储器:电路级及以上的挑战和机遇
作者:
Massimo Alioto
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
25.
Virtual Reality: The new era of the future world
机译:
虚拟现实:未来世界的新时代
作者:
Raymond Pao
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
26.
TCAD based Design-Technology Co-Optimisations in advanced technology nodes
机译:
先进技术节点中基于TCAD的设计技术共同优化
作者:
Asen Asenov
;
Karim El Sayed
;
Ricardo Borges
;
Plamen Asenov
;
Campbell Millar
;
Terry Ma
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
FinFETs;
Integrated circuit interconnections;
Tools;
CMOS technology;
27.
Low-current Spin Transfer Torque MRAM
机译:
低电流自旋转移力矩MRAM
作者:
G. Hu
;
J. J. Nowak
;
G. Lauer
;
J. H. Lee
;
J. Z. Sun
;
J. Harms
;
A. Annunziata
;
S. Brown
;
W. Chen
;
Y. H. Kim
;
N. Marchack
;
S. Murthy
;
C. Kothandaraman
;
E. J. OSullivan
;
J. H. Park
;
M. Reuter
;
R. P. Robertazzi
;
P. L. Trouilloud
;
Y. Zhu
;
D. C. Worledge
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Switches;
Magnetic tunneling;
Temperature measurement;
Optimization;
Integrated circuits;
Magnetic switching;
Junctions;
28.
Analytical solution for RESURF and breakdown characteristics of finger STI DEMOS transistors
机译:
指状STI DEMOS晶体管的RESURF和击穿特性的解析解决方案
作者:
H.C. Tsai
;
R.H. Liou
;
C.H. Lien
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Fingers;
Doping;
Transistors;
Electric fields;
Conformal mapping;
Semiconductor process modeling;
Electric potential;
29.
TCAD-based characterization of logic cells: Power, performance, area, and variability
机译:
基于TCAD的逻辑单元表征:功率,性能,面积和可变性
作者:
HW. Karner
;
C. Kernstock
;
Z. Stanojević
;
O. Baumgartner
;
F. Schanovsky
;
M. Karner
;
D. Helms
;
R. Eilers
;
M. Metzdorf
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Switches;
Transistors;
Transient analysis;
Power demand;
Semiconductor process modeling;
Timing;
Integrated circuit modeling;
30.
Performance evaluation of pass-transistor-based circuits using monolayer and bilayer 2-D transition metal dichalcogenide (TMD) MOSFETs for 5.9nm node
机译:
使用单层和双层2-D过渡金属二卤化金属(TMD)MOSFET的5.9nm节点的基于晶体管的电路的性能评估
作者:
Chang-Hung Yu
;
Jun-Teng Zheng
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Delays;
MOS devices;
Performance evaluation;
Logic gates;
Transistors;
Benchmark testing;
Field programmable gate arrays;
31.
Ge n-channel FinFET performance enhancement using low work function metal-interfacial layer-Ge contacts
机译:
使用低功函数金属界面层-Ge触点增强Ge n沟道FinFET性能
作者:
Prashanth P. Manik
;
Sachin Dev
;
Nayana Remesh
;
Yaksh Rawal
;
Siddhant Khopkar
;
Saurabh Lodha
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Doping;
Metals;
Schottky diodes;
Contact resistance;
Performance evaluation;
Delays;
32.
Temperature compensated super-high-frequency (2–8 GHz) surface acoustic wave devices
机译:
温度补偿的超高频(2–8 GHz)表面声波设备
作者:
Salahuddin Raju
;
Changjian Zhou
;
Bin Li
;
Mansun Chan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Surface acoustic wave devices;
Resonant frequency;
Substrates;
Temperature measurement;
Thermal stability;
Surface acoustic waves;
33.
EUV extendibility research at Berkeley Lab
机译:
伯克利实验室的EUV可扩展性研究
作者:
P. Naulleau
;
C. Anderson
;
M. Benk
;
W. Chao
;
K. Goldberg
;
E. Gullikson
;
M. Miyakawa
;
A. Wojdyla
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Ultraviolet sources;
Tools;
Lithography;
Imaging;
Resists;
Nonhomogeneous media;
34.
DSA: Progress toward industry acceptance
机译:
DSA:朝着行业认可的方向发展
作者:
Anthony VanderHeyden
;
Darron Jurajda
;
Douglas Guerrero
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Ultraviolet sources;
Lithography;
Market research;
Industries;
History;
Self-assembly;
Tools;
35.
Electron multi-beam technology
机译:
电子多束技术
作者:
Elmar Platzgummer
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Tools;
Writing;
Electron beams;
Current density;
Nanofabrication;
Throughput;
Resists;
36.
Design and optimization of strong Physical Unclonable Function (PUF) based on RRAM array
机译:
基于RRAM阵列的强大物理不可克隆功能(PUF)的设计和优化
作者:
Yachuan Pang
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
Rui Liu
;
Shan Wang
;
Shimeng Yu
;
An Chen
;
He Qian
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Reliability;
Resistance;
Hamming distance;
Optimization;
Hardware;
Security;
Random access memory;
37.
On the physical modeling of random telegraph noise (RTN) amplitude in nanoscale MOSFETs: From ideal to statistical devices
机译:
关于纳米级MOSFET中随机电报噪声(RTN)幅度的物理建模:从理想设备到统计设备
作者:
Zexuan Zhang
;
Shaofeng Guo
;
Zhe Zhang
;
Runsheng Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Predictive models;
Charge carrier density;
Integrated circuit modeling;
MOSFET;
Dielectrics;
Turning;
38.
Contact engineering and channel doping for robust carbon nanotube NFETs
机译:
可靠的碳纳米管NFET的接触工程和沟道掺杂
作者:
Jianshi Tang
;
Damon Farmer
;
Sarunya Bangsaruntip
;
Kuan-Chang Chiu
;
Bharat Kumar
;
Shu-Jen Han
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Doping;
Silicon;
Thin film transistors;
Gold;
Robustness;
Contact resistance;
Substrates;
39.
Asymmetric S/D contacts with BN tunneling barrier on black phosphorous FETs
机译:
黑色磷FET上具有BN隧道势垒的非对称S / D触点
作者:
Lingming Yang
;
Mengwei Si
;
Qing Paduano
;
Mike Snure
;
Peide Ye
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
MOSFET;
Logic gates;
Ions;
Etching;
Metals;
Schottky barriers;
40.
Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
机译:
用于低热预算Ge CMOS器件的锗烷化技术之后的离子注入:从块状Ge到UTB-GeOI衬底
作者:
Wen Hsin Chang
;
Toshifumi Irisawa
;
Hiroyuki Ishii
;
Hiroyuki Hattori
;
Hiroyuki Ota
;
Noriyuki Uchida
;
Tatsuro Maeda
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
MOSFET circuits;
MOSFET;
Substrates;
Annealing;
Logic gates;
Ion implantation;
Junctions;
41.
Selective etching of silicon in preference to germanium and Si0.5Ge0.5
机译:
优先于锗和Si0.5Ge0.5的硅的选择性蚀刻
作者:
Christopher F. Ahles
;
Jong Youn Choi
;
Steven Wolf
;
Andrew C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
CMOS technology;
Logic gates;
Fabrication;
Plasma measurements;
Pressure measurement;
42.
Semiconductor-On-Insulator lateral bipolar transistors for high-speed low-power applications
机译:
高速低功耗应用的绝缘体上半导体横向双极晶体管
作者:
Jeng-Bang Yau
;
J. Cai
;
T. H. Ning
;
K. K. Chan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Integrated circuits;
Bipolar transistors;
Radiative recombination;
Silicon germanium;
Silicon;
Implants;
Resistance;
43.
Device-architecture co-design for hyperdimensional computing with 3d vertical resistive switching random access memory (3D VRRAM)
机译:
用于具有3d垂直电阻切换随机存取存储器(3D VRRAM)的超维计算的设备架构协同设计
作者:
Haitong Li
;
Tony F. Wu
;
Subhasish Mitra
;
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
High definition video;
Three-dimensional displays;
Kernel;
Measurement uncertainty;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
Computational modeling;
44.
1×- to 2×-nm MTJ switching at sub-3 ns pulses with compatible current in sub-20 nm CMOS for high performance embedded STT-MRAM
机译:
在亚3 ns脉冲下进行1×到2×nm的MTJ开关,并在20 nm以下的CMOS中兼容电流,用于高性能嵌入式STT-MRAM
作者:
Daisuke Saida
;
Saori Kashiwada
;
Megumi Yakabe
;
Tadaomi Daibou
;
Keiko Abe
;
Hiroki Noguchi
;
Junichi Ito
;
Shinobu Fujita
;
Miyoshi Fukumoto
;
Shinji Miwa
;
Yoshishige Suzuki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Magnetic tunneling;
Switches;
Resistance;
Cache memory;
Switching circuits;
Random access memory;
Power demand;
45.
Back-side integration of Hybrid III–V on Silicon DBR lasers
机译:
Hybrid III–V在硅DBR激光器上的背面集成
作者:
J. Durel
;
B. Ben Bakir
;
C. Jany
;
S. Cremer
;
K. Hassan
;
B. Szelag
;
T. Bria
;
V. Larrey
;
L. Sanchez
;
P. Brianceau
;
J.-A Dallery
;
R. Guiavarch
;
T. Card
;
R. Thibon
;
J.-E. Broquin
;
F. Bœuf
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Waveguide lasers;
Silicon;
Optical waveguides;
Couplers;
Laser modes;
Distributed Bragg reflectors;
Metals;
46.
Exploration and evaluation of TCAM with hybrid tunneling FET and FinFET devices for ultra-low-voltage applications
机译:
具有超低电压应用的混合隧道FET和FinFET器件的TCAM的探索和评估
作者:
Meng-Hsuan Tu
;
Yin-Nien Chen
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
TFETs;
Delays;
Capacitance;
Hybrid power systems;
Integrated circuit modeling;
Three-dimensional displays;
47.
Dense N over CMOS 6T SRAM cells using 3D Sequential Integration
机译:
使用3D顺序集成的CMOS 6T SRAM单元上的密集N
作者:
C-M. V.
;
C. Fenouillet-Beranger
;
M. Brocard
;
O. Billoint
;
G. Cibrario
;
L. Brunet
;
X. Garros
;
C. Leroux
;
M. Casse
;
A. Laurent
;
A. Toffoli
;
G. Romano
;
R. Kies
;
R. Gassilloud
;
N. Rambal
;
V. Lapras
;
M-P. Samson
;
C. Tallaron
;
C. Tabone
;
B. Previtali
;
D. Barge
;
A. Ayres
;
L. Pasini
;
P. Besombes
;
F. Andrieu
;
P. Batude
;
T. Skotnicki
;
M. Vinet
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Three-dimensional displays;
Random access memory;
Computer architecture;
Performance evaluation;
Reliability;
MOSFET;
Epitaxial growth;
48.
Hardware implementation of physically unclonable function (puf) in perpendicular STT MRAM
机译:
垂直STT MRAM中物理不可克隆功能(puf)的硬件实现
作者:
D. Y. Wang
;
Y. C. Hsin
;
K. Y. Lee
;
G. L. Chen
;
S. Y. Yang
;
H. H. Lee
;
Y. J. Chang
;
I. J. Wang
;
Y. C. Kuo
;
Y. S. Chen
;
P. H. Wang
;
C. I. Wu
;
D. D. Tang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Switches;
Hamming weight;
Hamming distance;
Security;
Magnetic fields;
CMOS process;
Hardware;
49.
Embedded non-volatile memory system as an enabler of smarter world
机译:
嵌入式非易失性存储系统可推动更智能的世界
作者:
Takashi Kono
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
MONOS devices;
Integrated circuit reliability;
Logic gates;
Transistors;
Security;
Random access memory;
50.
An investigation of program disturb characteristics and data pattern effect in 128G 3D NAND flash memories
机译:
128G 3D NAND闪存中程序干扰特性和数据模式效应的研究
作者:
Yu-Hung Yeh
;
Sheng-Hung Shih
;
Jen-Chien Fu
;
Chrong-Jung Lin
;
Ya-Chin King
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Arrays;
Stress;
Delays;
Microprogramming;
51.
Development and electrical investigation of through glass via and through si via in 3D integration
机译:
3D集成中的玻璃通孔和硅通孔的开发和电气检查
作者:
Geng-Ming Chang
;
Shih-Wei Lee
;
Ching-Yun Chang
;
Kuan-Neng Chen
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Through-silicon vias;
Filling;
Capacitance;
Three-dimensional displays;
Glass;
Plating;
Thermal stability;
52.
Extended abstract: Industrial performance to serve economical rebound
机译:
扩展摘要:工业绩效为经济反弹服务
作者:
Bertrand Bleneau
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
53.
Scaling of gate dielectric on Ge substrate
机译:
锗衬底上栅电介质的缩放
作者:
Yung-Hsiang Chan
;
Bing-Yue Tsui
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Artificial intelligence;
Hafnium oxide;
Roads;
Handheld computers;
Logic gates;
Tin;
54.
Impacts of work function variation and line edge roughness on hybrid TFET-MOSFET monolithic 3D SRAMs
机译:
功函数变化和线边缘粗糙度对混合TFET-MOSFET单片3D SRAM的影响
作者:
Jian-Hao Wang
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
SRAM cells;
Three-dimensional displays;
TFETs;
Wireless sensor networks;
Circuit stability;
55.
Evaluation of analog performance of monolayer and bilayer two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMD) MOSFETs
机译:
评估单层和双层二维过渡金属二卤化金属(TMD)MOSFET的模拟性能
作者:
Hung-Yi Lee
;
Chang-Hung Yu
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Transconductance;
Molybdenum;
Sulfur;
Performance evaluation;
Resistance;
Atomic layer deposition;
Electrostatics;
56.
Twin gate Tunnel FET based capacitorless dynamic memory
机译:
基于双栅极隧道FET的无电容器动态存储器
作者:
Nupur Navlakha
;
Jyi-Tsong Lin
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
TFETs;
Random access memory;
Scalability;
Reliability;
Switches;
57.
Investigation and comparison of design space for ultra-thin-body GeOI/SOI negative capacitance FETs
机译:
超薄GeOI / SOI负电容FET设计空间的研究与比较
作者:
Ho-Pei Lee
;
Chien-Lin Yu
;
Wei-Xiang You
;
Pin Su
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Silicon;
Iron;
Capacitance;
MOSFET;
Couplings;
Permittivity;
58.
Negative capacitance FETs with steep switching by ferroelectric Hf-based oxide
机译:
通过铁电H型氧化物进行陡峭开关的负电容FET
作者:
M. H. Lee
;
P.-G. Chen
;
S.-T. Fan
;
C.-Y. Kuo
;
H.-H. Chen
;
S.-S. Gu
;
Y.-C. Chou
;
C.-H. Tang
;
R.-C. Hong
;
Z.-Y. Wang
;
M.-H. Liao
;
K.-S. Li
;
M.-C. Chen
;
C. W. Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Hysteresis;
FinFETs;
Standards;
Capacitance;
Crystallization;
59.
III–V/Ge MOSFETs and TFETs for ultra-low power logic LSIs
机译:
用于超低功耗逻辑LSI的III–V / Ge MOSFET和TFET
作者:
Shinichi Takagi
;
Mitsuru Takenaka
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Silicon;
MOSFET;
Logic gates;
Zinc;
Substrates;
Junctions;
60.
High performance PMOS with strained high-Ge-content SiGe fins for advanced logic applications
机译:
高性能PMOS,带有应变高Ge含量的SiGe鳍,适用于高级逻辑应用
作者:
Pouya Hashemi
;
Takashi Ando
;
Karthik Balakrishnan
;
Siyuranga Koswatta
;
Kam-Leung Lee
;
John A. Ott
;
Kevin Chan
;
John Bruley
;
Sebastian U. Engelmann
;
Vijay Narayanan
;
Effendi Leobandung
;
Renee T. Mo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Silicon germanium;
FinFETs;
Logic gates;
Silicon;
Strain;
Substrates;
Very large scale integration;
61.
Filament control of field-enhanced WOx resistive memory toward low power applications
机译:
面向低功率应用的场增强WOx电阻存储器的细丝控制
作者:
Chao-Hung Wang
;
Kuang-Hao Chiang
;
Yu-Hsuan Lin
;
Jau-Yi Wu
;
Yung-Han Ho
;
Erh-Kun Lai
;
Dai-Ying Lee
;
Ming-Hsiu Lee
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Switches;
Plasmas;
Oxidation;
Resistance;
Voltage control;
Nonvolatile memory;
Resistive RAM;
62.
Occurrence and solution to overcome 1 RESET resistance pinning effect in Ti/HfOx based RRAM for low power nonvolatile memory applications
机译:
克服基于Ti / HfOx的RRAM中针对低功耗非易失性存储应用的1个RESET电阻钉扎效应的情况和解决方案
作者:
Sk. Ziaur Rahaman
;
Heng-Yuan Lee
;
Yu-De Lin
;
Chien-Hua Hsu
;
Kan-Hsueh Tsai
;
Wei-Su Chen
;
Yu-Sheng Chen
;
Pang-Shiu Chen
;
Pei-Hua Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Hafnium compounds;
Transistors;
Scalability;
Switches;
Switching circuits;
Buffer layers;
63.
I/O device optimization techniques tailored for highly-scaled FinFET technology
机译:
针对大规模FinFET技术量身定制的I / O设备优化技术
作者:
Ming-Huei Lin
;
Chung-An Hu
;
Chia-Cheng Chen
;
Tien-Shun Chang
;
Yun-Ju Sun
;
Hou-Yu Chen
;
Vincent S. Chang
;
Shyh-Horng Yang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
MOS devices;
Gold;
Frequency selective surfaces;
Ions;
Silicon;
Human computer interaction;
Junctions;
64.
Stressor design for FinFETs with air-gap spacers
机译:
带气隙垫片的FinFET的应力源设计
作者:
Darsen D. Lu
;
Angada B. Sachid
;
Yao-Min Huang
;
Yi-Ju Chen
;
Chun-Chi Chen
;
Min-Cheng Chen
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Air gaps;
FinFETs;
Stress;
Logic gates;
Silicon compounds;
Carbon;
Atmospheric modeling;
65.
Integration of III–V nanowires for the next RF- and logic technology generation
机译:
集成III–V纳米线,用于下一代RF和逻辑技术
作者:
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Nanowires;
Logic gates;
MOSFET;
Silicon;
Electrostatics;
Resistance;
66.
Novel TFET circuits for high-performance energy-efficient heterogeneous MOSFET/TFET logic
机译:
用于高性能节能异构MOSFET / TFET逻辑的新型TFET电路
作者:
Daniel H. Morris
;
Uygar E. Avci
;
Kaushik Vaidyanathan
;
Huichu Liu
;
Tanay Karnik
;
Ian A. Young
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
TFETs;
MOSFET;
Performance evaluation;
Tunneling;
Pipeline processing;
Energy efficiency;
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