公开/公告号CN109935628B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201910239157.2
申请日2019-03-27
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宋缨
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 11:29:30
机译: SOI衬底(尤其是FDSOI衬底)中用于MOS晶体管的增强衬底接触
机译: 在SOI衬底,特别是FDSOI衬底上生产的晶体管与相应集成电路之间进行局部隔离的方法
机译: 在SOI衬底,特别是FDSOI衬底上生产的晶体管与相应集成电路之间进行局部隔离的方法