基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究

摘要

设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路.理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度.该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏度即△IC/Ic0≈20%,并且有很好的电控制特性.该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造.