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姚韵若; 朱大中;
浙江大学微电子技术与系统设计研究所;
MAGFET; CMOS; 几何修正因子; 相对灵敏度; 数学模型;
机译:基于标准CMOS技术的扇形分漏极磁场效应晶体管
机译:基于异质结硅磁敏敏感晶体管的集成磁敏差分电路
机译:使用CMOS工艺抑制侧壁注入磁晶体管的制造和特性
机译:基于标准CMOS技术的扇形漏极磁场效应晶体管的相对灵敏度研究
机译:映射到门级的经典和非经典CMOS晶体管故障模型的综合,用于基于硬件的可重构故障注入
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:0.5μm标准CMOS工艺的新型Lambda负电阻晶体管
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:基于标准CMOS IC工艺的互补隧穿场效应晶体管的制造方法
机译:基于标准CMOS IC工艺的互补隧道场效应晶体管的制造方法
机译:基于标准CMOS IC工艺制造互补隧道效应晶体管的方法
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