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A novel lambda negative-resistance transistor in the 0.5 μm standard CMOS process

机译：0.5μm标准CMOS工艺的新型Lambda负电阻晶体管

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作者
Yan Chen; LuHong Mao; WeiLian Guo; Xin Yu; ShiLin Zhang; Sheng Xie;
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年度 2012
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1. A novel lambda negative-resistance transistor in the 0.5μm standard CMOS process [J] . 无中国科学通报：英文版 . 2012,第007期

机译：0.5μm标准CMOS工艺的新型Lambda负电阻晶体管
2. Ion-sensitive field-effect transistors in standard CMOS fabricated by post processing [J] . Jakobson C.G., Dinnar U., Feinsod M., IEEE sensors journal . 2002,第4期

机译：通过后处理制造的标准CMOS中的离子敏感场效应晶体管
3. Ion-sensitive field-effect transistors in standard CMOS fabricated by post processing [J] . Jakobson C.G., Dinnar U., Feinsod M., IEEE sensors journal . 2002,第4期

机译：通过后处理制造的标准CMOS中的离子敏感场效应晶体管
4. Research on a novel Dual-Base Transistor (DUBAT) in 0.5μm Standard Si-base CMOS Process [C] . CHEN Yan, LIU Changlong, GUO WeiLian International Conference on Mechatronics, Materials, Chemistry and Computer Engineering . 2015

机译：0.5μm标准Si基CMOS工艺中新型双基晶体管（Dubat）的研究
5. Realizing vertical bipolar transistors in a standard CMOS technology for the design of low-cost BiCMOS integrated circuits [D] . Rezaei, Farshid. 2004

机译：在标准CMOS技术中实现垂直双极晶体管，用于设计低成本BICMOS集成电路
6. Standard CMOS Fabrication of a Sensitive Fully Depleted Electrolyte-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor for Biosensor Applications [O] . Gil Shalev, Ariel Cohen, Amihood Doron, 2009

机译：用于生物传感器的灵敏的全耗尽型电解质-绝缘体-半导体场效应晶体管的标准CMOS制作
7. Experimental Results for an Inductively Matched Microwave Amplifier in a Standard 0.5 Micron CMOS Process Using Four Identical Spiral Inductors [O] . Payam Shoghi, Christopher J. Barnwell, Thomas P. Weldon 2009

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