机译:SOI衬底上侧向绝缘栅双极型晶体管中的新型热载流子降解机理
National Application-Specific Integrated Circuit System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China;
Buried oxide; degradation mechanisms; hot carrier; lateral insulated-gate bipolar transistor on a silicon-on-insulator substrate (SOI-LIGBT);
机译:衬底掺杂对阳极短的N沟道横向绝缘栅双极型晶体管性能的影响
机译:最大衬底电流应力条件下高压横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子降解率
机译:SOI衬底上横向IGBT器件的热载流子退化模型
机译:超薄横向单向双极式绝缘栅极晶体管作为pH传感器
机译:硅-NON - 隔音器基板上的RF横向双极结晶体管
机译:GaN和GaAs高速晶体管的降解机理
机译:由于电离辐射和热载流子应力,对双极结型晶体管的增益衰减进行建模。
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性