绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接 结构

摘要

本发明公开了垂直全环栅(VGAA)纳米线器件电路路由结构。该电路路由结构包括多个VGAA纳米线器件，VGAA纳米线器件包括NMOS器件和PMOS器件。该器件形成在绝缘体上半导体衬底上。每个器件均包括底板和顶板，其中，底板和顶板中的一个用作漏极节点，并且底板和顶板中的另一个用作源极节点。每个器件还包括栅极层。栅极层完全围绕器件中的垂直沟道。在一个实例中，CMOS电路形成有氧化物(OD)阻挡层，OD阻挡层用作NMOS器件和PMOS器件的共用底板。在另一实例中，CMOS电路形成有顶板，该顶板用作NMOS器件和PMOS器件的共用顶板。在另一实例中，形成SRAM电路。本发明还提供了绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接结构。