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GaAsSOI衬底上PHEMT器件特性演示

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为了验证GaAsSOI的优势,本文利用AlAs氧化制备的SOIGaAs(001)衬底,生长了PHEMT结构材料,并进行了材料特性和器件特性分析.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|96-97|共2页
会议地点贵阳
作者
贾海强;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN32:TN304.23;
关键词
晶体管;

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